包含氧化膦基质和金属盐的半导体材料制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R

A semiconductor material containing phosphine oxide matrix and metal salts

The invention relates to a semiconductor material, which contains a compound of: I) (I), of which R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含氧化膦基质和金属盐的半导体材料
本专利技术涉及具有改善的电性质的有机半导体材料，适用于这种有机半导体材料的化合物，以及使用本专利技术半导体材料的改善的电性质的电子器件。
技术介绍
在至少包含基于有机化学所提供的材料的部件的电子器件中，有机发光二极管(OLED)具有显著地位。自从1987年Tang等人展示了有效的OLED(C.W.Tang等人,Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987))，OLED从有前景的候选者发展为高端商购显示器。OLED包含一系列基本上由有机材料制成的薄层。层的厚度通常在1nm至5μm范围内。所述层通常借助于真空沉积或从溶液例如借助于旋涂或喷涂来形成。OLED在电荷载流子以电子形式从阴极注入到有机层中和以空穴形式从阳极注入到有机层中后发射光，其中有机层被布置在阴极与阳极之间。基于施加的外电压，随后在发光区中形成激子和将这些激子辐射复合来实现电荷载流子注入。至少一个电极是透明或半透明的，在大多数情况下为透明氧化物(如氧化铟锡(ITO))或薄金属层形式。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于克服现有技术的缺陷并且提供可以成功地被包埋在用于电子器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.08 EP 15162784.11.一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C2-C30杂烷基、C6-C30芳基、C2-C30杂芳基、C1-C30烷氧基、C3-C30环烷氧基、C6-C30芳氧基，以及选自具有通式E-A-的结构单元，其中-A为C6-C30亚苯基间隔单元，并且-E为电子传输单元，其选自C10-C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6-C60杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且-至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E-A-；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中-M+为携带单一基本电荷的正金属离子，并且-A1、A2、A3和A4各自独立地选自H、取代或未取代的C6-C20芳基和取代或未取代的C2-C20杂芳基，其中所述取代或未取代的C2-C20杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。2.根据权利要求1所述的半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C6-C30芳基或C2-C30杂芳基，优选所述C2-C30杂芳基不含N；以及选自具有通式E-A-的结构单元，其中-A为C6-C30亚苯基间隔单元，优选联苯基，并且-E为电子传输单元，其选自C10-C60芳基；其中-在化合物(I)中，取代基R1、R2和/或R3中的至少一个为苯基，-至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E-A-；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中-M+为锂阳离子(Li+)，并且-A1、A2、A3和A4各自为含至少5个成环原子的杂芳基环，其包含至少一个杂原子N。3.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，A为C6-C30亚苯基间隔单元、或C6-C30间亚苯基间隔单元或C6-C30对亚苯基间隔单元；A优选是选自以下的间隔单元：亚苯基间隔单元、间亚苯基间隔单元、对亚苯基间隔单元、联苯基间隔单元、间联苯基间隔单元、对联苯基间隔单元、三联苯基间隔单元、间三联苯基间隔单元或对三联苯基间隔单元；A更优选是选自以下的间隔单元：间亚苯基间隔单元、对亚苯基间隔单元、间联苯基间隔单元、对联苯基间隔单元、间三联苯基间隔单元或对三联苯基间隔单元。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体材料，其中A是选自以下的间隔单元：亚苯基、联苯基、萘-1,8-二基、萘-2,6-二基、9,9'-二烷基芴-2,7-二基、9,9'-二芳基芴-2,7-二基、9-烷基-9'-芳基芴-2,7-二基、9,9'-二烷基芴-3,6-二基、9,9'-二芳基芴-3,6-二基和9-烷基-9'-芳基芴-3,6-二基，其中烷基为C1-C12烷基并且芳基为C6-C20芳基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，所述电子传输单元E为C14-C50芳基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，所述电子传输单元E为C14-C44芳基。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，至少一个电子传输单元E为C16-C44芘基或C14-C38蒽基。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，在任何的通式E-A-中i)A为C6-C30间亚苯基或对亚苯基间隔单元，并且E为C16-C44芘基；或ii)A为C6-C30间亚苯基间隔单元，并且E为C14-C34蒽基。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体材料，其中-A为C6-C30亚苯基间隔单元，并且-E为具有结构(Ib)、(Ic)、(Id)和/或(Ie)的电子传输单元：其中在结构(Ib)中-X为单键，并且-Z选自：二苯并[b,d]呋喃基、二苯并[b,d]噻吩基、9-蒽基、芘-1-基、芘-2-基、9,9'-二烷基芴-2-基、9,9'-二芳基芴-2-基、9-烷基-9'-芳基芴-2-基、9,9'-二烷基芴-3-基、9,9'-二芳基芴-3-基、9-烷基-9'-芳基芴-3-基、菲-1-基和菲-3-基；或其中在结构(Ib)中-X选自：亚苯基、联苯基、萘-1,8-二基、萘-2,6-二基、9,9'-二烷基芴-2,7-二基、9,9'-二芳基芴-2,7-二基、9-烷基-9'-芳基芴-2,7-二基、9,9'-二烷基芴-3,6-二基、9,9'-二芳基芴-3,6-二基和9-烷基-9'-芳基芴-3,6-二基；并且-Z选自：氢、萘基、联苯基、二苯并[b,d]呋喃基、二苯并[b,d]噻吩基、9-蒽基、芘-1-基、芘-2-基、9,9'-二烷基芴-2-基、9,9'-二芳基芴-2-基、9-烷基-9'-芳基芴-2-基、9,9'-二烷基芴-3-基、9,9'-二芳基芴-3-基、9-烷基-9'-芳基芴-3-基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱莉恩·弗雷，多玛果伊·帕维奇科，乌尔里希·登克尔，维金塔斯·扬库什，卡斯滕·罗特，弗朗索瓦·卡尔迪纳利，卡特娅·格雷斐，乌尔里希·黑格曼，欧姆莱恩·法德尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE