电致发光器件制造技术

宽泛而言，本发明专利技术的实施方案提供了固态发光器件和制造固态发光器件的方法。所述方法包括制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的薄层。在实施方案中，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子。

Electroluminescent device

Broadly speaking, the implementation scheme of the present invention provides a solid-state light emitting device and a method for the manufacture of a solid-state light emitting device. The method includes preparing thin layers of semiconducting perovskite nanoparticles embedded in the matrix or blends of materials with wider bandgap materials than semiconductor perovskite nanoparticles. In an embodiment, the method includes the solution of semiconductor perovskite materials or their precursors with solution blending than semiconductor perovskite materials or their precursors of wide band gap materials, then removed from the mixture resulting in solvent, semiconductor nanoparticles embedded in the perovskite compared with semiconductor perovskite materials with nanoparticles the width of the space of the matrix or the blend.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电致发光器件专利
本专利技术涉及固态发光器件，并且具体涉及钙钛矿系发光二极管、钙钛矿系发射磷光体和相关制造方法。专利技术背景在其最基本的形式中，发光二极管(LED)包括安置在阳极和阴极之间的发光层。可以在阳极和发光层(也被称为活性层或发射层)之间结合空穴注入层。其作用是降低阳极的功函与发光层的价带或最高占有分子轨道(HOMO)之间的能量差，从而增加引入到发光层中的空穴的数量。宽泛而言，在操作中，空穴通过阳极注入，并且如果存在空穴注入层，则注入活性层中，并且电子通过阴极注入活性层中。空穴和电子在发光层中辐射地组合以提供光。相当地，在阴极和发光层之间的电子注入层可以在控制电子向发光层中的注入方面起到相同的作用。这些注入层的另外作用是将载流子限制在器件内，使得在正向电偏压下，明显地防止从阴极注入到发光层中的电子经由空穴注入层离开发光层，并且相当地，明显地防止从阳极注入到发光层中的空穴经由电子注入层离开发光层。一些器件在空穴注入层和发光层之间还结合薄聚合物夹层。这在提高器件效率和LED的寿命方面具有重要作用。例如，利用夹层，可以得到具有大于5％的外量子效率的发蓝光的聚合物有机发光二极管(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层的方法，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比所述半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.28 GB 1421133.81.一种用于制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层的方法，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比所述半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子。2.根据权利要求1所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料具有大于1.5eV的带隙。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料选自由绝缘材料和半导体材料组成的组。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在移除所述溶剂的步骤之后进行退火步骤。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述溶剂通过旋涂移除。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述半导体钙钛矿纳米粒子是半导体钙钛矿纳米晶体。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中半导体钙钛矿纳米粒子：其中嵌入所述半导体钙钛矿纳米粒子且具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料的重量比是0.01∶1至20∶1。8.根据权利要求7所述的方法，其中半导体钙钛矿纳米粒子：其中嵌入所述半导体钙钛矿纳米粒子且具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的重量比是0.1∶1至10∶1，优选1∶1至5∶1，并且最优选1∶1至2∶1。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中嵌入在具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料的所述基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的所述薄层的厚度是≤500nm，优选≤100nm。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料是选自绝缘聚合物、绝缘小有机分子和绝缘无机材料中的绝缘材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘材料是绝缘聚合物或绝缘小有机分子。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘聚合物或绝缘小有机分子是极性聚合物或极性小有机分子。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是半导体。14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是聚酰亚胺。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述聚酰亚胺是具有以下形式的二苯甲酮四羧酸二酐4，4-二氨基二苯醚间苯二胺聚合物(PIP)的聚酰胺酸：16.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是聚苯乙烯。17.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是以下形式的聚(9-乙烯基咔唑)：18.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中所述绝缘材料是以下形式的小有机化合物4，4-双(N-咔唑基)-1，1-联苯：19.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘材料是氧化铝。20.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中所述半导体钙钛矿是有机金属卤化物钙钛矿材料。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿具有AMX3结构，其中A是一价阳离子，M是二价阳离子并且X是卤素阴离子。22.根据权利要求20或权利要求21所述的方法，其中二价阳离子M是二价金属阳离子。23.根据权利要求22所述的方法，其中所述二价金属阳离子是锡(Sn2+)或铅(Pb2+)。24.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中所述一价阳离子是伯、仲或叔铵阳离子[HNR1R2R3]+，其中R1、R2和R3中的每一个可以是相同或不同的并且选自氢、未取代或取代的C1-C20烷基和未取代或取代的C5-C18芳基。25.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中所述一价阳离子具有形式[R1R2N-CH＝NR3R4]+：其中R1、R2、R3和R4中的每一个可以是相同或不同的，并且选自氢、未取代或取代的C1-C20烷基和未取代或取代的C5-C18芳基。26.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中所述一价阳离子具有形式(R1R2N)(R3R4N)C＝NR5R6：其中R1、R2、R3、R4、R5和R6中的每一个可以是相同或不同的，并且选自氢、未取代或取代的C1-C20烷基和未取代或取代的C5-C18芳基。27.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中所述一价阳离子是碱金属阳离子。28.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中所述一价阳离子铯(Cs+)或铷(Rb+)。29.根据权利要求20至28中任一项所述的方法，其中X是选自氯、溴、碘和氟的卤素阴离子，并且在所述AMX3结构中，每个卤素可以是相同或不同的。30.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿材料具有A1-iBiMX3结构，其中：A和B各自为根据权利要求24至28中任一项所述的一价阳离子，其中A和B是不同的；M是根据权利要求22和23所述的二价金属阳离子；X是根据权利要求29所述的卤素阴离子；并且i在0至1之间。31.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿材料具有AMX3-kYk结构，其中：A是根据权利要求24至28中任一项所述的一价阳离子；M是根据权利要求22和23所述的二价金属阳离子；X和Y各自为根据权利要求29所述的卤素阴离子，其中X和Y是不同的；并且k在0至3之间。32.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿材料具有AM1-jNjX3结构，其中：A是根据权利要求24至28中任一项所述的一价阳离子；M和N各自为根据权利要求22和23所述的二价金属阳离子；X是根据权利要求25所述的卤素阴离子；并且j在0至1之间。33.根据权利要求20所述的方法，其中所述有机金属卤化物钙钛矿材料具有A1-iBiM1-jNjX3-kYk结构，其中：A和B各自为根据权利要求24至28中任一项所述的一价阳离子，其中A和B是不同的；M和N各自为根据权利要求18和19所述的二价金属阳离子；X和Y各自为根据权利要求29所述的卤素阴离子，其中X和Y是不同的；并且其中i在0至1之间，j在0至1之间，并且k在0至3之间。34.一种嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层。35.根据权利要求34所述的嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料具有大于1.5eV的带隙。36.根据权利要求34或权利要求35所述的嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层，其中具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的所述材料是绝缘材料或半导体材料。37.根据权利要求34至36中任一项所述的嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层，其中所述半导体钙钛矿纳米粒子是半导体钙钛矿纳米晶体。38.根据权利要求34至37中任一项所述的嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的所述半导体钙钛矿纳米粒子的薄层，其中半导体钙钛矿纳米粒子：其中嵌入所述半导体钙钛矿纳米粒子且具有比所述半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的重量比是0.01∶1至20∶1。39.根据权利要求38所述的嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·弗兰德，陈致匡，李广如，狄大卫，尼尔·C·格里纳姆，
申请(专利权)人：剑桥企业有限公司，阿卜杜拉阿齐兹国王科技城，
类型：发明
国别省市：英国,GB