阵列基板及阵列基板的制造方法技术

一种阵列基板以及阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括基板(110)、信号传输线(120)、栅极(130)、第一绝缘层(140)、有源层(150)、第一电极(1601)、第二电极(1602)以及第三电极(200)，其中，第一绝缘层(140)包括第一绝缘部和第二绝缘部，覆盖所述信号传输线(120)的所述第一绝缘部与覆盖所述栅极(130)的所述第二绝缘部之间设有隔离槽(1401)，所述隔离槽(1401)可以释放第一绝缘层(140)中的内应力，从而防止脆性的第一绝缘层(140)在内应力的作用下容易破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板(110)、第一绝缘层(140)等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。其中，隔离槽(1401)和用于连接第一电极(1601)和信号传输线(120)的第一通孔(1402)可以经过一次光罩和刻蚀工艺一起形成，简化阵列基板的工艺步骤，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及阵列基板的制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为一种开关元件广泛应用于液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)等电子显示器件中。薄膜晶体管一般包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极等部分，其中，高质量的栅极绝缘层是实现薄膜晶体管的好的电稳定性、较小的漏电流等重要参数的关键。栅极绝缘层主要通过无机非金属材料，(例如，SiOx、SiNx等)采用等离子体化学气相沉积的方法制备。由于栅极绝缘层本身特性以及制备条件的限制，通常栅极绝缘层内部具有内应力，脆性的SiOx、SiNx等材料制备的栅极绝缘层在内应力的作用下容易破裂；尤其，在柔性显示器中，内应力的存在也会导致薄膜晶体管中柔性基板、栅极绝缘层等层结构的变形。
技术实现思路
第一方面，本专利技术提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的信号传输线和栅极、覆盖所述信号传输线和所述栅极的绝缘层、设于所述绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的信号传输线和栅极、覆盖所述信号传输线和所述栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及第一金属层，其中，所述栅极与所述信号传输线之间设有间隙；所述绝缘层上开设隔离槽和通孔，所述第一金属层通过所述通孔与所述信号传输线导通，所述隔离槽设于所述信号传输线与所述栅极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的信号传输线和栅极、覆盖所述信号传输线和所述栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及第一金属层，其中，所述栅极与所述信号传输线之间设有间隙；所述绝缘层上开设隔离槽和通孔，所述第一金属层通过所述通孔与所述信号传输线导通，所述隔离槽设于所述信号传输线与所述栅极之间。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括有机层，所述有机层设于所述绝缘层上，且填充所述隔离槽。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层与所述有源层的两端导通，形成源极和漏极。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层为一体结构。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括无机层，所述无机层覆盖所述有源层和所述绝缘层；所述无机层开设有第一贯孔、第二贯孔、第三贯孔及第四贯孔；所述第一贯孔与所述通孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第二贯孔与所述隔离槽连通；所述第三贯孔及所述第四贯孔分别对应所述有源层的两端设置，用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层覆盖所述无机层；所述有机层开设第五贯孔、第六贯孔以及第七贯孔，其中，所述第五贯孔对应所述第一贯孔设置且与所述第一贯孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第六贯孔对应所述第三贯孔设置且与所述第三贯孔连通；所述第七贯孔对应所述第四贯孔设置且与所述第四贯孔连通；所述第六贯孔和所述第七贯孔用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层背离所述基板的表面与所述绝缘层背离所述基板的端面齐平。8.如权利要求3-7所述的任一一项阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层以及像素电极，所述保护层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，并开设第二通孔；所述第二通孔对应所述源极设置；所述像素电极覆盖所述保护层，并通过所述第二通孔与所述源极导通。9.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括无无机层和像素电极，所述无机层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，且对应所述源极开设第八贯孔；所述有机层覆盖所述无机层，且对应所述第八贯孔开设有第三通孔；所述像素电极覆盖所述有机层，且通过所述第八贯孔和所述第三通孔与所述源极导通。10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层还对应所述隔离槽开设第九贯孔，所述第九贯孔与所述隔离槽连通。11.如权利要求1-9所述的任一一项阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基板，所述信号传输线和所述栅极设置在所述缓冲层上。12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层对应所述隔离槽开设凹槽，所述凹槽与所述隔离槽连通，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁泽，余晓军，古普塔阿米特，赵继刚，魏鹏，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44