阵列基板及其制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板。阵列基板包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括主体区域和边缘区域；绝缘层，设置于有源层一侧；栅极金属层，设置于绝缘层远离有源层一侧；其中，在垂直于有源层所在平面的第一方向上，边缘区域距离栅极金属层的高度大于主体区域距离栅极金属层的高度。本发明专利技术提供的阵列基板及其制作方法和显示面板，避免了薄膜晶体管有源层边缘区域优先开启而产生驼峰效应，提高了阵列基板的可靠性。

Array substrate and its making method and display panel

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method and a display panel. The array substrate comprises a plurality of thin film transistor, thin film transistor includes an active layer, an active layer includes a body region and the edge region; an insulating layer is arranged on one side of the active layer; a gate metal layer disposed on the insulating layer from the active layer side; wherein, the active layer in the vertical direction in the first plane, edge distance the gate metal layer height is greater than the main regional distance gate metal layer height. The array substrate, the manufacturing method and the display panel provided by the invention avoid hump effect on the edge region of the active layer of the thin film transistor, and improve the reliability of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基本及其制作方法和显示面板。
技术介绍
显示面板主要包括两大类：LCD显示面板(LiquidCrystalDisplay，液晶显示面板)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板。TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)一般呈阵列排布制作在基板上，作为显示面板像素单元的开关器件，是显示面板的核心部件。根据制作材料的不同，TFT的种类分为多种，目前大规模产业化的TFT为硅基TFT。硅基TFT根据有源层材料的不同包括：a-Si(非晶硅)TFT、LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)TFT和HTPS(HighTemperaturePoly-silicon，高温多晶硅)TFT，其中，LTPSTFT具有电荷迁移率高、易高度集成化、抗干扰能力强等优点，成为目前业内研究的热点。但是，在实际应用过程中发现，常规的LTPSTFT的可靠性较差。因此，提供一种TFT的可靠性好的阵列基板及其制作方法和显示面板，是本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括主体区域和边缘区域；绝缘层，设置于所述有源层一侧；栅极金属层，设置于所述绝缘层远离所述有源层一侧；其中，在垂直于所述有源层所在平面的第一方向上，所述边缘区域距离所述栅极金属层的高度大于所述主体区域距离所述栅极金属层的高度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括主体区域和边缘区域；绝缘层，设置于所述有源层一侧；栅极金属层，设置于所述绝缘层远离所述有源层一侧；其中，在垂直于所述有源层所在平面的第一方向上，所述边缘区域距离所述栅极金属层的高度大于所述主体区域距离所述栅极金属层的高度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层，包括：第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层通过过孔连接，在所述第一方向上，所述第一栅极层相对所述第二栅极层靠近所述有源层，所述第二栅极层用于设置栅极线，在沿所述栅极线的延伸方向上，所述第一栅极层的长度小于或等于所述主体区域的长度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层用于设置栅极线，所述绝缘层远离所述有源层一侧设置有凹槽，所述栅极金属层填充所述凹槽，在所述栅极线的延伸方向上，所述凹槽的长度小于或等于所述主体区域的长度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层具有第一表面，在所述第一方向上，所述凹槽的深度小于所述第一表面距离所述主体区域的高度。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板，还包括衬底基板层和遮光层，所述遮光层设置于所述衬底基板层靠近所述有源层一侧，所述有源层在所述遮光层的正投影位于所述遮光层内。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅材料。7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述制作方法包括：制作所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层包括主体区域和边缘区域；在所述有源层的一侧制作所述薄膜晶体管的第一绝缘层；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱在稳，邬可荣，袁永，陈红明，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42