使用压印技术来控制磁化状态的方法技术

本发明专利技术涉及一种使用压印技术来控制磁化状态的方法。所述方法可以包括：使具有不同磁化状态的第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动；和当第一磁性结构和第二磁性结构之间的距离减小时，改变第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态。当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态改变时，可以使用由第一磁性结构和第二磁性结构中的一个的磁化状态产生的磁场来使另一个磁性结构的磁化状态对齐。所述方法不需要进行包括图案化、蚀刻、填充和平坦化步骤的复杂的制造过程。通过使用所述方法，可以稳定地处理大容量的数据。

A method of controlling magnetization by using embossing technology

The present invention relates to a method of controlling the magnetization state by using an embossing technique. The method may include that different magnetization of a first magnetic structure and the second magnetic structures toward each other; and when the first magnetic structure and the second magnetic structure distance decreases, change the magnetization state of the first magnetic structure or second magnetic structure. When the magnetization state of the first magnetic structure or the second magnetic structure is changed, we can use the magnetic field generated by the magnetization state of the first magnetic structure and the second magnetic structure to make the magnetization state of another magnetic structure align. This method does not require complex manufacturing processes including patterning, etching, and filling the peace process. By using the method described, large volume data can be processed stably.

【技术实现步骤摘要】
使用压印技术来控制磁化状态的方法
本公开涉及一种控制磁化状态的方法，特别涉及一种使用压印技术来控制磁化状态的简单方法。
技术介绍
近年来，由于信息产业的快速发展，所以对存储容量大于常规磁性存储介质的存储容量的磁性存储介质具有持续需求。因此，表现出导电性或基于磁阻的磁性的精细图案可以用于磁阻膜和磁性存储介质，并且在这种情况下，可以降低装置的电阻并可以增大从磁阻型磁头输出的再现信号的强度。在这种磁性存储介质中，应当减小单位单元的尺寸或单位单元之间的距离以增大在给定空间中存储的数据量。然而，根据现有技术，难以减小这种尺寸或距离。另外，当超过一定限度时，变得难以稳定地存储数据。此外，为了实现具有大容量、稳定的写入和良好的数据保持特性的磁性存储介质，可以使基板上的磁性层图案化成包括多个磁性图案的图案化介质的形式，该磁性图案彼此物理地隔开特定距离或间距，并且每个磁性图案都用于存储作为最小数据单元的1位。然而，为了在基板上形成图案化介质，需要进行包括掩模图案形成步骤、蚀刻步骤、填充步骤等的复杂制造过程，并且该复杂的制造过程导致缺陷数量增多。此外，在其中对磁性层进行蚀刻和填充步骤的情况下，磁性层可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用压印技术来控制磁化状态的方法，包括：使具有不同磁化状态的第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动；和当第一磁性结构和第二磁性结构之间的距离减小时，改变第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态，其中当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态改变时，使用由第一磁性结构和第二磁性结构中的一个的磁化状态产生的磁场来使另一个磁性结构的磁化状态对齐。

【技术特征摘要】
2016.05.30 KR 10-2016-00664651.一种使用压印技术来控制磁化状态的方法，包括：使具有不同磁化状态的第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动；和当第一磁性结构和第二磁性结构之间的距离减小时，改变第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态，其中当第一磁性结构或第二磁性结构的磁化状态改变时，使用由第一磁性结构和第二磁性结构中的一个的磁化状态产生的磁场来使另一个磁性结构的磁化状态对齐。2.如权利要求1所述的方法，其中使第一磁性结构和第二磁性结构朝向彼此移动包括使第一磁性结构和第二磁性结构移动以彼此间隔开接近原子大小的距离或使其彼此重叠。3.如权利要求1所述的方法，其中，当第一磁性结构具有比第二磁性结构的矫顽力相对更强的矫顽力时，第二磁性结构的磁化状态由第一磁性结构改变。4.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：文琼雄，黄灿镕，
申请(专利权)人：韩国标准科学研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR