【技术实现步骤摘要】
一种基于磁流变泡沫的超光滑平面抛光方法
本专利技术涉及超精密加工
,具体涉及一种基于磁流变泡沫的超光滑平面抛光方法,特别适合于微电子半导体晶片的超光滑平面加工。
技术介绍
随着光学和微电子学及相关
的发展,对所需材料的表面质量要求越来越高,现阶段主要通过化学机械抛光和磁流变抛光等技术对超精密工件进行表面抛光。但是利用化学机械抛光后,工件表面料将清理困难,易对环境造成污染,不能满足超级精密工件表面洁净度和环保要求。磁流变抛光技术是一种利用磁流变抛光液在磁场中的流变特性对工件进行抛光的技术,磁流变抛光液在梯度磁场中会发生流变现象,形成具有粘塑性宾汉姆(Bingham)柔性凸起,当柔性凸起与待加工工件表面接触并发生相对运动时,会在工件表面产生很大的剪切力,在磁流变抛光液中磨粒的作用下实现材料的去除。而利用磁流变抛光液对工件进行抛光,虽然解决了上述困难,但仍然存在抛光液易沉淀,抛光液和磨料消耗严重等问题,增加了生产成本,抛光效率和质量不能满足生产需要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够提高磁流变抛光效率,降低抛光液中磨粒的磨损率,提高抛光效率和质量的 ...
【技术保护点】
一种基于磁流变泡沫的超光滑平面抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S110:制作泡沫基体;步骤S120:将所述泡沫基体安装在抛光装置中的抛光盘内;步骤S130:在所述抛光盘内注入磁流变抛光液;步骤S140:根据待加工工件的参数要求调节工艺参数;步骤S150:将待加工工件安装在所述抛光设备的抛光头上;步骤S160:将所述抛光装置接通电源,磁场发生装置旋转产生脉冲磁场,抛光盘内的磁流变抛光液在所述泡沫基体的范围内产生磁刷,所述磁刷随抛光盘旋转,同时,抛光头带动待加工工件旋转,实现待加工工件的表面抛光。
【技术特征摘要】
1.一种基于磁流变泡沫的超光滑平面抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S110:制作泡沫基体;步骤S120:将所述泡沫基体安装在抛光装置中的抛光盘内;步骤S130:在所述抛光盘内注入磁流变抛光液;步骤S140:根据待加工工件的参数要求调节工艺参数;步骤S150:将待加工工件安装在所述抛光设备的抛光头上;步骤S160:将所述抛光装置接通电源,磁场发生装置旋转产生脉冲磁场,抛光盘内的磁流变抛光液在所述泡沫基体的范围内产生磁刷,所述磁刷随抛光盘旋转,同时,抛光头带动待加工工件旋转,实现待加工工件的表面...
【专利技术属性】
技术研发人员:李建勇,李保震,朱朋哲,曹建国,聂蒙,
申请(专利权)人:北京交通大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。