一种DFN2018‑6高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种DFN2018‑6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大，使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接，无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽，减少引脚槽数量，进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽，使芯片安装部之间的距离缩小，增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2018-6高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN2018-6高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，让引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为DFN2018-6（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2018表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽1.8mm，6表示有6个引脚），由于该类芯片安装部的引脚数量较多，需在芯片安装部周围多个方向布置引脚槽，使得芯片与芯片之间的距离增加，降低了框架基体材料的利用率、增加生产成本。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对现有DFN2018-6封装形式的框架的芯片安装部的引脚数量较多，需要在芯片安装部周围多方位布置引脚槽，造成框架上芯片与芯片之间的距离增加，框架基体材料利用率不高的问题，提供一种DFN2018-6高密度框架，该框架将靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN2018‑6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2018-6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。2.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部包括芯片支撑区和芯片散热区，在芯片支撑区两侧对称设有两个芯片散热区，所述芯片支撑区为半腐蚀结构。3.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所有芯片安装部的长边与框架的长边或短边平行布置，所有引脚槽均设置于芯片安装部的一侧并延伸至边缘，芯片安装部的另一对称侧设有与切割道连通的连通槽。4.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安装部之间为切割部，所述切割部为横竖交错的切割道连筋，所述切割道连筋的宽度为0.1±0....

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，崔金忠，李东，许兵，李宁，李超，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51