The invention discloses a power clamp circuit includes a first node having a first power supply voltage, the second node has second power supply voltage and is connected between the first node and the second node voltage detector, the voltage detector includes a first output node. The clamp circuit is connected between the first node and the second node. The voltage detector is configured to drive the first output node to the first supply voltage in response to the difference between the first supply voltage and the second supply voltage exceeding a predetermined threshold voltage. The clamping circuit is configured to establish a conductive path between the first node and the second node in response to the first or second output node being driven to the first supply voltage. The invention also discloses a method for operating the power clamp circuit.
【技术实现步骤摘要】
电源钳位电路及其操作方法
本专利技术的实施例一般地涉及半导体
,更具体地涉及电源钳位电路及其操作方法。
技术介绍
集成电路(IC)潜在地被暴露于由于能够影响电路可靠性的电源电涌和其他电源所导致的电过应力(EOS,electricalover-stress)事件。在EOS事件期间,用于向电路输送电力的导体或节点上的电压电平大体高于正常电压电平,因此电路部件受到损坏。由于薄氧化物和低结击穿电压增强的易损性,随着IC尺寸的缩减,EOS关注增加。相比于上升时间快且持续时间短的短暂的静电放电(ESD)事件,EOS事件具有更慢的上升时间,更高的能量和/或更宽范围的脉冲宽度。因此,防止EOS事件的保护电路需要与用于ESD事件不同的方法。在大部分情况中,ESD保护电路形成于IC芯片上,以在所有制造和封装过程中解决ESD威胁,而一些离散的EOS或系统ESD保护电路元件设置于该芯片外侧。在一些现有方法中,通过二极管串设置EOS电路,二极管串在EOS事件中保护灵敏电路元件,但允许在正常的电路操作中发生显著的漏电流。用于一些方法中的多晶硅二极管需要足够大以在EOS事件中避免生成显著 ...
【技术保护点】
一种电源钳位电路,包括:第一节点,被配置为具有第一电源电压;第二节点,被配置为具有第二电源电压;电压检测器,连接在所述第一节点和所述第二节点之间,所述电压检测器包括第一输出节点;以及钳位电路,连接在所述第一节点和所述第二节点之间,其中,所述电压检测器被配置为响应于所述第一电源电压和所述第二电源电压之间的差值超过预定阈值电压,将所述第一输出节点驱动至所述第一电源电压,所述钳位电路被配置为响应于所述第一输出节点被驱动至所述第一电源电压,建立所述第一节点和所述第二节点之间的导电通路。
【技术特征摘要】
2016.05.27 US 15/167,1491.一种电源钳位电路,包括:第一节点,被配置为具有第一电源电压;第二节点,被配置为具有第二电源电压;电压检测器,连接在所述第一节点和所述第二节点之间,所述电压检测器包括第一输出节点;以及钳位电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡明甫,曾仁洲,陈国基,张子恒,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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