The invention discloses a L band power amplifier laser cavity laser seal welding method, the L band power amplifier cavity seal welding method comprises the steps of: 1, check for welding power amplifier of the cavity and the cover plate; step 2, cleaning the welding power amplifier of the cavity and the cover plate; step 3. The power amplifier and the cover plate to be welded into a vacuum oven baking; step 4, will cover after baking cavity to be welded welded to the power amplifier; step 5, to inspect the welding parts after welding. The laser seal welding laser welding method to improve the one-time pass rate, is of great significance to save cost and improve the efficiency and improve the quality of the products.
【技术实现步骤摘要】
L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法
本专利技术涉及功率放大器腔体的密封方法领域,具体地,涉及一种L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展,体积小、集成度高、性能稳定的裸芯片在微波电路中得到了广泛应用。对于使用裸芯片方法组装的微波电路模块,气密性封装是非常重要的一个方法环节。高性能而且价格不菲的裸芯片极容易受到外在环境的影响,受到空气的氧化、腐蚀等。尤其是海军装备,需要面对高湿度、高盐度、高腐蚀性等恶劣的海洋环境,通过气密性封装可以很好的保障微波电路模块在恶劣环境下长期可靠、稳定的工作。激光封焊技术已经广泛应用于微电子产品腔体的气密性封装中。激光封焊不仅可以防止湿气、氧气以及其他有害气体污染电路,而且也可以防止操作过程中造成的电路机械损伤。激光焊接技术与平行封焊技术相比,具有一定的优势:可焊接体积较大、腔体外形结构图为非规则图形的金属。因此,提供一种利用激光焊接方法,提高激光封焊的一次性合格率,对于节约成本、提高效率以及提高产品的质量具有重要意义的L波段功率放大器腔体的激光焊接方法是本专利技术亟需解决的问题。
技术实现思路
针对上述技术问题,本专利技术的目的是提供一种利用激光焊接方法,提高激光封焊的一次性合格率,对于节约成本、提高效率以及提高产品的质量具有重要意义的L波段功率放大器腔体的激光焊接方法。为了实现上述目的,本专利技术提供了一种L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法,所述L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法包括:步骤1,检查待焊接功率放大器的腔体和盖板的匹配性,待焊接功率放大器的腔体和盖板之间的缝隙小于0.1m ...
【技术保护点】
一种L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法,其特征在于,所述L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法包括:步骤1,检查待焊接功率放大器的腔体和盖板的匹配性,待焊接功率放大器的腔体和盖板之间的缝隙小于0.1mm;步骤2,清洗待焊接功率放大器的腔体和盖板,利用浸有纯丙酮的酒精棉清洗待焊接功率放大器的腔体,利用汽相清洗机清洗盖板;步骤3,将待焊接功率放大器和盖板放入真空烘箱中烘烤;步骤4,将烘烤后的盖板焊接到待焊接功率放大器的腔体上,将盖板放入待焊接功率放大器的腔体上压平整,并在盖板上加上压块,防止在焊接过程中,盖板发生位移;步骤5,对焊接后的焊接件进行检查。
【技术特征摘要】
1.一种L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法,其特征在于,所述L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法包括:步骤1,检查待焊接功率放大器的腔体和盖板的匹配性,待焊接功率放大器的腔体和盖板之间的缝隙小于0.1mm;步骤2,清洗待焊接功率放大器的腔体和盖板,利用浸有纯丙酮的酒精棉清洗待焊接功率放大器的腔体,利用汽相清洗机清洗盖板;步骤3,将待焊接功率放大器和盖板放入真空烘箱中烘烤;步骤4,将烘烤后的盖板焊接到待焊接功率放大器的腔体上,将盖板放入待焊接功率放大器的腔体上压平整,并在盖板上加上压块,防止在焊接过程中,盖板发生位移;步骤5,对焊接后的焊接件进行检查。2.根据权利要求1所述的L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法,其特征在于,所述步骤3中烘箱的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐日红,费文军,孟庆贤,蔡庆刚,汪伦源,张丽,
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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