像素结构、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素结构、阵列基板和显示装置，属于显示器领域。所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，第一组薄膜晶体管和第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与像素电极连接，第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。通过将原来串连的两个TFT改为串连的两组TFT，避免了现有技术中半导体层中形成沟道的区域断裂导致整个像素无法正常工作的问题。

Pixel structure, array substrate and display device

The invention discloses a pixel structure, an array substrate and a display device, which belong to the display field. The pixel structure comprises a first group of second groups of thin film transistor, thin film transistor and pixel electrodes, the first transistor and a second thin film transistor group group film includes at least two thin film transistor, thin film transistor, the first group of all in a thin film transistor source is connected with a data line, all the first thin film transistor in thin film transistors drain and all second groups of thin film transistor in thin film transistors connected to a source electrode of the thin film transistor, all second groups of thin film transistor in a drain connected with the pixel electrode, a thin film transistor gate all the first group of thin film transistors all thin film transistor gate and the second group of the thin film transistor is connected with a gate line. By changing the original two TFT connected to the two group of TFT, the problem that the whole pixel can not work properly is avoided in the current technology.

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种像素结构、阵列基板和显示装置。
技术介绍
电子纸的显示效果接近自然纸张效果，具有低功耗、低成本、易于携带和环保等优点，被广泛应用于价格标签、手表、智能卡、广告牌、产品标签、电子秤及贺卡等领域。电子纸的结构与扭曲向列(TwistedNematic，TN)型液晶显示面板类似，电子纸中的像素结构包括像素电极和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)。为了保证在断电的情况下，像素电极中的电压能够维持时间较长，以使电子纸在断电的情况下长时间保持显示画面，在电子纸的像素结构中，通常会通过两个串联的TFT控制像素电极的通断状态。由于两个TFT串联时，如果像素电极漏电，漏出的电流需要经过两个TFT，而一个TFT时像素电极漏电只需要经过一个TFT。故相比于一个TFT而言两个串连的TFT使得像素电极漏电的难度增大，所以设计两个串连的TFT能够保证像素电极中的电压。然而，具有上述像素结构的电子纸，特别是柔性电子纸在应力的作用下容易发生损坏，例如，在电子纸弯曲时，TFT的半导体层由于柔性不够，半导体层中形成沟道的区域容易发生断裂。由于两个TFT是串连设置的，所以任意一个TFT的半导体层中形成沟道的区域发生断裂，都有可能导致信号无法传输至像素电极，从而导致显示不良。
技术实现思路
为了解决现有的电子纸的TFT中半导体层中形成沟道的区域容易发生断裂，从而导致显示不良的问题，本专利技术实施例提供了一种像素结构、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种像素结构，所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，所述第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和所述第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管，所述第二组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量和所述第二组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量相等。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极为一体结构，所述一体结构为圆形电极。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极和所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极均为圆弧形电极，且所述圆弧形电极与所述圆形电极同心设置。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，多个所述圆弧形电极绕所述圆形电极的周向均匀间隔分布。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极为一体结构，所述一体结构为多边形电极。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极和所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极均为长条形电极，每个长条形电极分别与所述多边形电极的一边对应设置，且所述长条形电极的长度方向与其在所述多边形电极中对应的一边平行。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述多边形电极为正多边形，所述多边形电极的边数等于所述第一组薄膜晶体管中的薄膜晶体管数量与所述第二组薄膜晶体管中的薄膜晶体管数量之和。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管的沟道的宽长比＝W1/(A1*L1)，A1为所述第一组薄膜晶体管中薄膜晶体管的数量，W1/L1为第一组薄膜晶体管中仅包括一个薄膜晶体管时，薄膜晶体管的沟道的宽长比；所述第二组薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管的沟道的宽长比＝W2/(A2*L2)，A2为所述第一组薄膜晶体管中薄膜晶体管的数量，W2/L2为第二组薄膜晶体管中仅包括一个薄膜晶体管时，薄膜晶体管的沟道的宽长比。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管的栅极为一体结构，所述一体结构为块状电极。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括如第一方面任一项所述的像素结构。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：在本专利技术中，通过将原来串连的两个TFT改为串连的两组TFT，由于每组TFT中TFT的数量均为至少2个，所以即使发生弯折，其中一个TFT的半导体层中形成沟道的区域发生断裂时，由于该组TFT还有其他TFT能够正常工作，因此该像素结构依然能够正常工作，避免了现有技术中只要一个TFT的半导体层中形成沟道的区域断裂即会导致整个像素无法正常工作(电子纸显示画面就会出现亮点或者暗点)的问题，大大提高了像素结构的可靠性。另外，该方案不改变像素结构的工艺制程，便于实现。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种像素结构的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种像素结构的结构示意图；图3是图2提供的像素结构中的形成沟道的区域的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种像素结构的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种像素结构，像素结构包括第一组TFT、第二组TFT和像素电极，第一组TFT和第二组TFT均包括至少两个TFT，第一组TFT中的所有TFT的源极与同一根数据线连接，第一组TFT中的所有TFT的漏极与第二组TFT中的所有TFT的源极连接，第二组TFT中的所有TFT的漏极与像素电极连接，第一组TFT的所有TFT的栅极和第二组TFT的所有TFT的栅极与同一根栅线连接。本专利技术实施例通过将原来串连的两个TFT改为串连的两组TFT，每组TFT包括至少两个TFT，第一组TFT中的所有TFT的源极与数据线连接，第一组TFT中的所有TFT的漏极和第二组TFT中的所有TFT的源极连接，第二组TFT中的所有TFT的漏极和像素电极连接，由于每组TFT中TFT的数量均为至少2个，且源漏极采用上述方式连接，所以即使发生弯折，其中一个TFT的半导体层中形成沟道的区域发生断裂时，由于该组TFT还有其他TFT能够正常工作，因此该像素结构依然能够正常工作，避免了现有技术中只要一个TFT的半导体层中形成沟道的区域断裂即会导致整个像素无法正常工作的问题，大大提高了像素结构的可靠性。另外，该方案不改变像素结构的工艺制程，便于实现。具体地，驱动集成电路(IntegratedCircuit，IC)通过栅线输出栅极信号，使得第一组TFT、第二组TFT的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，所述第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和所述第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，所述第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和所述第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管，所述第二组薄膜晶体管包括2-4个薄膜晶体管。3.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量和所述第二组薄膜晶体管中的薄膜晶体管的数量相等。4.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极为一体结构，所述一体结构为圆形电极。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极和所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极均为圆弧形电极，且所述圆弧形电极与所述圆形电极同心设置。6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，多个所述圆弧形电极绕所述圆形电极的周向均匀间隔分布。7.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一组薄膜晶体管中的所有...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庭良，曹中林，李挺，臧鹏程，黄炜赟，孟佳，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51