【技术实现步骤摘要】
补偿电路
本专利技术涉及被配置成减少响应于供电电压的瞬态扰动的参考信号的干扰的补偿电路、包括补偿电路的集成电路和包括该集成电路的机动车。
技术介绍
集成电路可根据所需规范执行模拟和数字功能。这些集成电路由电源产生的供电电压供电。这种电源可在集成电路外部。但是,这种外部电源对于向集成电路供电可能不够稳定,这是因为外部电源可能向具有不同电压和电流需求的许多电路供电。举例来说,在汽车应用中,电源是车辆的电池,其在车辆中向所有集成电路供电。为此目的,通常使用参考电路和产生稳定参考信号的线性调节器来向内部集成电路功能供电。所述参考电路由电源供电,由此任何瞬态扰动(特别是供电电压的相对较大的和较快的瞬态扰动)可随时间推移反映在参考信号的对应干扰中。低功率参考电路通常被设计成承受供电电压的缓慢变化,但不承受所述相对较快的瞬态扰动。如果所述较快和较大的瞬态扰动大于每微秒10伏特或更快(具有大于10伏特的峰间值),那么参考信号可受到不利影响,从而导致集成电路的故障或其非所需复位。如电子快速瞬变(EFT)的技术中已知的这些快速瞬态扰动可由电磁干扰(EMI)、静电放电(ESD)信号、国际标准化组织(ISO)脉冲等造成。为了预防所述故障或复位,与外部电源并联使用外部电容器或瞬态电压抑制器(TVS)以抑制这些电子快速瞬变。但是,外部电容器或TVS为大且昂贵的分立组件。由此需要有效地抑制集成电路中的EFT同时比外部电容器或TVS更便宜且更小的解决方案。
技术实现思路
根据本申请案的例子,提供被配置成用于耦合到电压源和参考电路的补偿电路。补偿电路包括瞬态转换器和加法器。提供瞬态转换器以供将 ...
【技术保护点】
一种被配置成用于耦合到电压源(200)和参考电路(30、32、41)的补偿电路,其特征在于,所述补偿电路(20、22、23)包括:瞬态转换器(5、9、14),所述瞬态转换器(5、9、14)将供电电压(VS)的第一瞬态扰动转换为与所述第一瞬态扰动成比例的第一补偿电信号,所述电压源(200)被配置成用于将所述供电电压(VS)供应到所述补偿电路(20、22、23)和所述参考电路(30、32、41),且所述参考电路(30、32、41)被配置成产生具有恒定参考幅值的参考信号,所述参考电路(30、32、41)包括第一电路节点(35)和电耦合到所述第一电路节点(35)以供输出所述参考信号的参考输出(38、40);及加法器(10、12、17),所述加法器(10、12、17)耦合到所述瞬态转换器(5、9、14)以供将所述第一补偿电信号添加到所述第一电路节点处的电信号(42),所述第一补偿电信号具有与响应于所述第一瞬态扰动的所述电信号的干扰的干扰极性相反的第一极性。
【技术特征摘要】
2016.05.19 EP 16305577.51.一种被配置成用于耦合到电压源(200)和参考电路(30、32、41)的补偿电路,其特征在于,所述补偿电路(20、22、23)包括:瞬态转换器(5、9、14),所述瞬态转换器(5、9、14)将供电电压(VS)的第一瞬态扰动转换为与所述第一瞬态扰动成比例的第一补偿电信号,所述电压源(200)被配置成用于将所述供电电压(VS)供应到所述补偿电路(20、22、23)和所述参考电路(30、32、41),且所述参考电路(30、32、41)被配置成产生具有恒定参考幅值的参考信号,所述参考电路(30、32、41)包括第一电路节点(35)和电耦合到所述第一电路节点(35)以供输出所述参考信号的参考输出(38、40);及加法器(10、12、17),所述加法器(10、12、17)耦合到所述瞬态转换器(5、9、14)以供将所述第一补偿电信号添加到所述第一电路节点处的电信号(42),所述第一补偿电信号具有与响应于所述第一瞬态扰动的所述电信号的干扰的干扰极性相反的第一极性。2.根据权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,所述加法器(10、12、17)被配置成用于将具有与所述第一极性相反的第二极性的所述第一补偿电信号添加到所述参考电路(30、32、41)的第二电路节点处的第二电信号。3.根据在前的任一项权利要求所述的补偿电路,其特征在于,包括另外的瞬态转换器(13),所述另外的瞬态转换器(13)被配置成产生与所述供电电压的第二瞬态扰动成比例的第二补偿电信号,其中所述第一瞬态扰动具有第一扰动极性且所述第二瞬态扰动具有与所述第一扰动极性相反的第二扰动极性。4.根据在前的任一项权利要求所述的补偿电路,其特征在于,所述第一补偿电信号具有补偿幅值,且所述加法器(10、12、17)被配置成输出具有与所述补偿幅值成比例的对应的一个或多个另外的补偿幅值的一个或多个另外的补偿电信号,以供将所述一个或多个另外的补偿电信号添加到所述参考电路(30、32、41)的对应的一个或多个另外的电路节点。5.根据在前的任一项权利要求所述的补偿电路,其特征在于,所述瞬态转换器(5、9、14)包括:至少一第一晶体管(60)、第一电容器(65)和第二晶体管(70)的串联布置,其中各晶体管具有形成各晶体管的主电流路径的相应第一端、第二端和第三端,其中各晶体管的所述第三端电连接到所述第一端,其中所述第一晶体管(60)的所述第三端电耦合到所述第一电容器的第一端,其中所述第二晶体管(70)的所述第三端电耦合到所述第一电容器的第二端,其中所述第一晶体管(60)的所述第二端电耦合到所述电压源(200)的正端,且其中所述第二晶体管(70)的所述第二端电耦合到参考电位。6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥利维耶·蒂科,帕斯卡·卡迈勒·阿布达,高远,
申请(专利权)人:恩智浦美国有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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