阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法技术

技术编号:16661993 阅读:44 留言:0更新日期:2017-11-30 11:30
本发明专利技术的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法,制作方法包括:在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层;在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂;对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案,并且形成蚀刻保护层,其中,在阵列基板的第一区中,光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分,并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合;以及在所述第一区中,以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层,从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。本发明专利技术的实施例还提供了一种液晶显示设备及其制作方法。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法
本专利技术一般涉及显示
更具体地,本专利技术涉及一种阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。
技术介绍
随着薄膜场效应晶体管液晶显示(TFT-LCD)技术的发展和工业技术的进步,液晶显示器的生产成本持续降低并且制造工艺日益完善,因而已经取代阴极射线管显示器而成为平板显示领域中的主流技术。TFT-LCD显示器因其本身所具有的体积小、功耗低、无辐射等优点而成为理想的显示装置。TFT-LCD的基本结构包括阵列基板和彩膜基板,以及夹在这两个基板之间的液晶层(LC)。在阵列基板和彩膜基板表面布置有对液晶具有取向作用的聚酰亚胺膜PI层(配向膜层)。以现有的扭曲向列(TN)型TFT-LCD为例,TFT结构通过在玻璃基板上依次沉积栅电极和公共电极、第一绝缘层、有源层、源漏电极、第二绝缘层、像素电极来形成,其中栅电极和公共电极同层布置。
技术实现思路
本专利技术实施例旨在提供一种改进的阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。典型地,彩膜基板和阵列基板在对盒本文档来自技高网...
阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层;在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂;通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案,并且形成蚀刻保护层,其中,在阵列基板的第一区中,所述光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分,并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合,并且其中,在所述第一区中,第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠;以及在所述第一区中,以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层,从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层;在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂;通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案,并且形成蚀刻保护层,其中,在阵列基板的第一区中,所述光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分,并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合,并且其中,在所述第一区中,第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠;以及在所述第一区中,以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层,从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光致抗蚀剂图案还暴露阵列基板的第二区中的第二绝缘层,并且其中,在所述第二区中,第二绝缘层与第一金属图案层在衬底上的正投影重叠,所述方法还包括:在所述第二区中,以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉第一绝缘层和第二绝缘层,从而暴露第一金属图案层。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述蚀刻保护层与所述光致抗蚀剂图案的材料相同。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述形成蚀刻保护层的步骤包括:在所述第一区中,采用光致抗蚀剂填充光致抗蚀剂图案与第二绝缘层之间的夹缝。5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案并且形成蚀刻保护层的步骤包括:采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员:房毛毛宋泳珍杨子衡沈世妃李登涛李盛荣王宜申
申请(专利权)人:合肥京东方显示技术有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1