太赫兹奇次平衡式倍频器制造技术

本发明专利技术一种太赫兹奇次平衡式倍频器，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；输入端波导结构包括一个第一标准波导，第一标准波导为输入端波导结构的末级波导；输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，输出端波导结构一端的一个第一减高波导为输出端波导结构的末级波导；太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针。本发明专利技术既能够减小输入端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路的尺寸，以有利于太赫兹奇次平衡式倍频器结构的小型化，同时输出端波导结构采用依次互相连接的多级波导结构减小了电路损耗。

Terahertz odd balanced frequency doubler

The invention relates to a terahertz odd balanced doubler, comprising: an input waveguide and output waveguide structure and terahertz odd balanced multiplier circuit; the input end of the waveguide structure comprises a first standard waveguide, the first standard waveguide as input end waveguide wave guide; the output end of the waveguide structure comprises at least one the second standard waveguide are connected in sequence and at least one first reduced height waveguide, the output end of the waveguide structure of a first stage for reduced height waveguide waveguide output waveguide structure; terahertz odd balanced multiplier circuit comprises a through transmission line connected to the first E plane microstrip probe, Schottky diode and second E microstrip probe. The invention can reduce the input waveguide and terahertz odd balanced multiplier circuit size, to facilitate the miniaturization of terahertz odd balanced doubler structure, multi waveguide structure at the output end are connected with the waveguide structure to reduce the circuit loss.

【技术实现步骤摘要】
太赫兹奇次平衡式倍频器
本专利技术属于太赫兹器件
，尤其涉及一种太赫兹奇次奇次平衡式倍频器。
技术介绍
通常将频率在0.1-10THz范围内的电磁波定义为太赫兹波(THz波)，它介于毫米波和红外光之间，处于从电子学光向光子学的过渡区。THz波在电磁波频谱中占有很特殊的位置，具有频率高、带宽宽、安全性好等特点，在安检、通信、同行、雷达、射电天文中应用广泛。由于太赫兹波频频率较高，为了得到稳定可靠的信号源，常常需要利用倍频的方法获得太赫兹波，该过程通常是通过倍频器实现的。其中倍频器可以分为平衡式倍频器和非平衡式倍频器，平衡式倍频器又可分为奇次平衡式倍频器和奇次平衡式倍频器。传统的奇次平衡式倍频器一般在输入端和输出端采用高品质因数(Q值)的矩形波导谐振腔实现肖特基二极管的阻抗匹配和滤波功能，但是这种矩形波导谐振腔的结构使得倍频器的腔体体积过大，不利于奇次平衡式倍频器结构的小型化。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种太赫兹奇次奇次平衡式倍频器，以解决现有技术中矩形波导结构使得倍频器的腔体体积过大，不利于奇次平衡式倍频器结构的小型化的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；所述输入端波导结构包括一个第一标准波导，所述第一标准波导为所述输入端波导结构的末级波导，所述输入端波导结构的末级波导的末端为第一短路面；所述输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，所述输出端波导结构一端的一个第一减高波导为所述输出端波导结构的末级波导，所述输出端波导结构的末级波导的末端为第二短路面；所述太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针；所述第一E面微带探针通过所述输入端波导结构的末级波导上设置的第...

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；所述输入端波导结构包括一个第一标准波导，所述第一标准波导为所述输入端波导结构的末级波导，所述输入端波导结构的末级波导的末端为第一短路面；所述输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，所述输出端波导结构一端的一个第一减高波导为所述输出端波导结构的末级波导，所述输出端波导结构的末级波导的末端为第二短路面；所述太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针；所述第一E面微带探针通过所述输入端波导结构的末级波导上设置的第一开口延伸至所述输入端波导结构内，将接收到的本振信号从输入端波导结构的腔体内耦合至所述肖基特二极管；所述第二E面微带探针通过所述输出端波导结构的末级波导上设置的第二开口延伸至所述输出端波导结构内，将本振信号经过所述肖基特二极管倍频处理后的得到射频信号耦合至所述输出端波导结构的腔体内。2.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述输入端波导结构还包括一个与所述第一标准波导连接的第二减高波导，所述第二减高波导为所述输入端波导结构的末级波导。3.根据权利要求1所述的太赫兹奇次平衡式倍频器，其特征在于，所述输入端波导结构的末级波导的长度大于本振信号基波频率的四分之一波导波长，所述第一开口位于所述输入端波导结构的末级波导的H面径向轴线处且于轴线平行，所述第一开口与所述第一短路面的间距为本振信号基波频率的四分之一波导波长；所述输出端波导结构的末级波导的长度大于本振...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立森，杨大宝，王俊龙，梁士雄，徐鹏，赵向阳，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13