一种空间光束相位调控器件制造技术

技术编号:16643451 阅读:63 留言:0更新日期:2017-11-26 15:29
本发明专利技术提供了一种空间光束相位调控器件。利用法布里珀罗谐振腔,来实现对入射光0到360度间任一度数的相位调控;利用介质衬底与介质包覆层,来为相位调控层提供保护与阻抗匹配;利用周期性阵列中不同谐振腔宽度对透射光产生不同相位延时,来实现空间光束相位调控。本发明专利技术利用厚金属超材料颗粒周期性阵列中的法布里珀罗共振实现对空间光束的相位调控,具有相位调控范围大、工作效率高、适应波段宽且器件结构简单易于制备的优点。

A phase control device for spatial beam

The present invention provides a spatial beam phase control device. Using the Fabry Perot resonator to realize phase control of incident light 0 to 360 degrees between any degree; coating the dielectric substrate and the media, to provide protection for impedance matching and phase control layer; optical generation with phase delay of transmission by using periodic arrays in different cavity width, to realize spatial beam phase control. The invention uses ultra thick metal material particles of periodic Fabry Perot resonance in the array to achieve phase control of space beam, with phase range, high work efficiency, adapt to a wide band and simple device structure is easy to be prepared.

【技术实现步骤摘要】
一种空间光束相位调控器件
本专利技术涉及调控器件,具体涉及一种空间光束相位调控器件。
技术介绍
超材料相位调控技术在超分辨成像、亚波长聚焦、平面棱镜、波束指向、异常反射与折射、光涡旋产生以及光学偏振态调控等领域都有着广泛的应用。早期的金属超材料相位调控器件大多是由单层超薄金属纳米结构构成。通过改变纳米结构单元的形状、尺寸以及排列方式可以有效地调节透射光相位。但是该类基于单层超薄金属纳米结构的超材料相位调控器件无法有效地抑制金属结构的反射与吸收,因而其效率很低。近年来兴起的惠更斯超表面大大的提高了超材料相位调控器件的效率。基于介质材料的惠更斯超表面相位调控器件利用同时能产生电共振与磁共振的介质纳米颗粒能够有效地抑制材料损耗与界面反射,从而能够将相位调控器件的效率提高到接近100%。但是,介质超材料相位调控器件多利用硅纳米颗粒,其工作波长被限制在300THz以下;部分利用宽禁带介质材料如氧化钛的器件虽然能够工作在可见光波段,但是其结构高宽比太大,制备难度极大,成本极高,难以普及。基于金属材料的惠更斯超表面相位调控器件由多层金属纳米结构组成,其效率相比早期单层超薄金属纳米结构的相位调控器件本文档来自技高网...
一种空间光束相位调控器件

【技术保护点】
一种空间光束相位调控器件,包括:介质衬底、相位调控层、介质包覆层;所述相位调控层,形成于介质衬底之上,用于对入射光进行相位调控;所述介质包覆层,形成于相位调制层之上,用于与介质衬底共同为相位调控层提供阻抗匹配。

【技术特征摘要】
1.一种空间光束相位调控器件,包括:介质衬底、相位调控层、介质包覆层;所述相位调控层,形成于介质衬底之上,用于对入射光进行相位调控;所述介质包覆层,形成于相位调制层之上,用于与介质衬底共同为相位调控层提供阻抗匹配。2.如权利要求1所述的空间光束相位调控器件,其特征在于,介质衬底采用在入射光工作波段透明的介质材料。3.如权利要求1所述的空间光束相位调控器件,其特征在于,介质包覆层采用在入射光工作波段透明的介质材料。4.如权利要求1所述的空间光束相位调控器件,其特征在于,相位调控层为金属超材料颗粒的周期性阵列。5.如权利要求4所述的空间光束相位调控器件,其特征在于,周期性阵列上的金属超材料颗粒按照矩形阵列排布。6.如权利要求5所述的空间光束相位调控器件,其特征在于,金属超材料颗粒的...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦欣胡晓斌宋国峰李健
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:北京,11

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