一种高功率LED制造技术

一种高功率LED，包括金属基板，在金属基板上设有陶瓷基板，在陶瓷基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在陶瓷基板的背面设有若干个背面导电线路正极层和若干个背面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，在陶瓷基板上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，金属基板的表面积大于陶瓷基板的表面积。由于金属基板上设有陶瓷基板，从而在相对较小的基板上进行固晶，使得光源更加集中，同时通过大面积金属基板进行散热，有利于散热，因为采用双面导电线路结构，通过导通孔的导电体双面导电线路导通，适应封装面积的缩小化、部件封装的高密度化的要求。

A high power LED

A high power LED, including a metal substrate, a ceramic substrate on the metal substrate, a plurality of positive positive electrode layer and a plurality of conductive lines positive conductive line layers are arranged in the front electrode ceramic substrate, a plurality of conductive lines on the back of the positive electrode layer and a plurality of conductive lines on the back of anode layer are arranged in the backside of the ceramic substrate is provided with a first the LED light emitting unit on the front line of cathode conductive layer, a light emitting unit in second LED positive negative electrode layer on the conductive lines, a plurality of through holes arranged on a ceramic substrate, a conductive body is provided with a conduction hole, the metal substrate surface area greater than the surface area of the ceramic substrate. With the ceramic substrate on the metal substrate, thus the solid crystal on the substrate is relatively small, so that the light source is more concentrated, and the large area of the metal substrate for cooling, heat dissipation is favorable, because the use of double-sided conductive line structure, the conductive double-sided conductive vias of the conduction lines, to reduce high density, packaging requirements of the packaging area.

【技术实现步骤摘要】
一种高功率LED
本技术涉及一种高功率LED。
技术介绍
LED作为一种新型、有较大潜力的固态照明方式，具有绿色、环保、响应时间短、寿命长、耗电量少、发光效率高、稳定性好等优点。随着单颗大功率LED的功率密度的不断提高，以及多芯片集成阵列块方法的使用，现有舞台灯中使用的高功率LED的功率一般在350瓦左右，而随着LED的光输出能力逐渐增强，同时LED的功率和正向电流也逐渐增大，解决其散热问题也越来越关键。如果不及时将芯片发出的热量导出并消散，大量的热量将积聚在LED内部，将造成芯片的温升效应，LED的发光效率将急剧下降，而且寿命和可靠性也将大打折扣；另外高温高热将使LED封装结构内部产生机械应力，还可能引发质量问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单、功率大体积小的高功率LED。为了解决上述技术问题，本技术包括金属基板，在金属基板上设有陶瓷基板，在陶瓷基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在陶瓷基板的背面设有若干个背面导电线路正极层和若干个背面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，在陶瓷基板上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，金属基板的表面积大于陶瓷基板的表面积。由于金属基板上设有陶瓷基板，从而在相对较小的基板上进行固晶，使得光源更加集中，同时通过大面积金属基板进行散热，有利于散热，因为采用双面导电线路结构，通过导通孔的导电体双面导电线路导通，适应封装面积的缩小化、部件封装的高密度化的要求。作为本技术的进一步改进，所述导通孔包括设在背面导电线路正极层位置处的第一导通孔和设在背面导电线路负极层位置处的第二导通孔，第一导通孔内的导电体分别与正面导电线路正极层、背面导电线路正极层连接，第二导通孔内的导电体分别与正面导电线路负极层、背面导电线路负极层连接。作为本技术的进一步改进，在陶瓷基板的背面的中部位置处设有散热层。作为本技术的进一步改进，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，每个第一芯片上设有与第一LED发光单元焊接区域连接的一第一焊线，每个第二芯片上设有与第二LED发光单元焊接区域连接的一第二焊线。作为本技术的进一步改进，若干个第一芯片呈矩阵排布，若干个第二芯片呈矩阵排布，每列第一芯片上的第一焊线均朝陶瓷基板边缘一侧的方向设置，每列第二芯片上的第二焊线朝陶瓷基板边缘一侧的方向设置。作为本技术的进一步改进，若干个第一焊线重叠设置，其中靠近陶瓷基板边缘的第一芯片上的第一焊线处于远离陶瓷基板边缘的第一芯片上的第一焊线的下方，若干个第二焊线重叠设置，其中靠近陶瓷基板边缘的第二芯片上的第二焊线处于远离陶瓷基板边缘的第二芯片上的第二焊线的下方。作为本技术的进一步改进，若干个第一焊线交叉设置，若干个第二焊线交叉设置。作为本技术的进一步改进，在陶瓷基板的正面设有若干个LED封装区，正面导电线路正极层和正面导电线路负极层设在LED封装区内。作为本技术的进一步改进，在所述金属基板上设有若干个陶瓷基板。因为在金属基板上设有若干个陶瓷基板，这样便于进行多个光源的开关控制。作为本技术的进一步改进，在陶瓷基板外覆盖有玻璃盖板。玻璃盖板对第一LED发光单元和第二LED发光单元上的焊线起到保护作用。综上所述，本技术的优点是结构简单、功率大体积小。附图说明下面结合附图和具体实施方式来对本技术做进一步详细的说明。图1为本技术的第一焊线和第二焊线为重叠设置方式的局部剖视图。图2为图1的陶瓷基板的正面视图。图3为图1的陶瓷基板的背面视图。图4为本技术的陶瓷基板上的第一焊线和第二焊线为交叉设置方式的示意图。具体实施方式第一实施例：由图1至图3所示，本技术包括金属基板，在金属基板上设有陶瓷基板1，金属基板的表面积大于陶瓷基板1的表面积，在陶瓷基板1的正面设有若干个LED封装区，在LED封装区内设有正面导电线路正极层2和正面导电线路负极层3，在陶瓷基板1的背面设有若干个背面导电线路正极层4和若干个背面导电线路负极层5，在正面导电线路正极层2上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层3上设有第二LED发光单元，在陶瓷基板1上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，所述导通孔包括设在背面导电线路正极层4位置处的第一导通孔8和设在背面导电线路负极层5位置处的第二导通孔9，第一导通孔8内的导电体分别与正面导电线路正极层2、背面导电线路正极层4连接，第二导通孔9内的导电体分别与正面导电线路负极层3、背面导电线路负极层5连接，在陶瓷基板1的背面设有散热层10，所述散热层10设在陶瓷基板1的中部位置处，在正面导电线路正极层2上设有第一LED发光单元焊接区域13，在正面导电线路负极层3上设有第二LED发光单元焊接区域14，第一LED发光单元焊接区域即第一LED发光单元中每个第一芯片与正面导电线路正电极2焊接点所组成的区域，第二LED发光单元焊接区域即第二LED发光单元中每个第二芯片与正面导电线路负电极焊接点所组成的区域，所述第一LED发光单元包括多个呈矩阵排布的第一芯片6，本实施例中每个第一LED发光单元包括2行2列共12个第一芯片6，一共具有8个第一LED发光单元，每个第一芯片6上设有与第一LED发光单元焊接区域13连接的一第一焊线11，所述第二LED发光单元包括多个呈矩阵排布的第二芯片7，本实施例中每个第二LED发光单元包括2行2列共12个第二芯片7，一共具有8个第二LED发光单元，每个第二芯片7上设有与第二LED发光单元焊接区域14连接的一第二焊线12，每列第一芯片6上的第一焊线11均朝陶瓷基板边缘一侧的方向设置，每列第二芯片7上的第二焊线12朝陶瓷基板边缘一侧的方向设置，若干个第一焊线11重叠设置，其中靠近陶瓷基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11处于远离陶瓷基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11的下方，若干个第二焊线12重叠设置，其中靠近陶瓷基板边缘的第二芯片7上的第二焊线12处于远离陶瓷基板边缘的第二芯片7上的第二焊线12的下方，在陶瓷基板1外覆盖有玻璃盖板13。由于金属基板上设有陶瓷基板1，从而在相对较小的基板上进行固晶，使得光源更加集中，同时通过大面积金属基板进行散热，有利于散热，因为采用双面导电线路结构，通过导通孔的导电体双面导电线路导通，适应封装面积的缩小化、部件封装的高密度化的要求。因为每列的第一LED发光单元的第一焊线11的朝向一致，每列的第二LED发光单元的第二焊线12的朝向一致，这样布线规整合理，更合理的利用了空间。在陶瓷基板1的背面设有散热层10，提高了散热性能。玻璃盖板13对第一LED发光单元和第二LED发光单元上的焊线起到保护作用。第二实施例：参看图2和图4，本实施例与实施例1的区别在于：第一焊线和第二焊线为交叉设置，即靠近陶瓷基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11处于远离陶瓷基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11的下方且一第一LED发光单元内的若干第一焊线之间存在相交点；其中靠近陶瓷基板边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率LED，包括金属基板，其特征在于：在金属基板上设有陶瓷基板，在陶瓷基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在陶瓷基板的背面设有若干个背面导电线路正极层和若干个背面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，在陶瓷基板上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，金属基板的表面积大于陶瓷基板的表面积。

【技术特征摘要】
1.一种高功率LED，包括金属基板，其特征在于：在金属基板上设有陶瓷基板，在陶瓷基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在陶瓷基板的背面设有若干个背面导电线路正极层和若干个背面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，在陶瓷基板上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，金属基板的表面积大于陶瓷基板的表面积。2.按权利要求1所述的高功率LED，其特征在于：所述导通孔包括设在背面导电线路正极层位置处的第一导通孔和设在背面导电线路负极层位置处的第二导通孔，第一导通孔内的导电体分别与正面导电线路正极层、背面导电线路正极层连接，第二导通孔内的导电体分别与正面导电线路负极层、背面导电线路负极层连接。3.按权利要求1所述的高功率LED，其特征在于：在陶瓷基板的背面的中部位置处设有散热层。4.按权利要求1所述的高功率LED，其特征在于：在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，每个第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，李矗，张强，黄巍，
申请(专利权)人：鸿利智汇集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44