一种高功率COB结构制造技术

一种高功率COB结构，包括基板，在基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，每个第一芯片上设有与第一LED发光单元焊接区域连接的一第一焊线，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，每个第二芯片上设有与第二LED发光单元焊接区域连接的一第二焊线。具有布线规整合理，更合理的利用了空间，也便于生产工艺的安排。

A high power COB architecture

A high power COB structure, which comprises a substrate, a plurality of positive positive electrode layer and a plurality of conductive lines positive conductive line layers are arranged in the front electrode substrate, is provided with a first conductive line in front of the LED light emitting unit cathode layer, a second conductive line in front of the LED light emitting unit is provided with a first electrode layer, the LED light emitting unit welding area in front of the positive electrode layer on the conductive lines on the front line, the negative conductive layer is provided with second LED light emitting unit welding area, the first LED light emitting unit includes a first plurality of chips, each chip is arranged on the first and the first LED light emitting unit welding a first welding line area connection, the second LED light emitting unit comprises a plurality of second each of the second chip, chip is provided with second LED light-emitting unit second welding wire welding area connection. With reasonable wiring, more reasonable use of space, but also facilitate the production process arrangements.

【技术实现步骤摘要】
一种高功率COB结构
本技术涉及一种高功率COB结构。
技术介绍
LED作为一种新型、有较大潜力的固态照明方式，具有绿色、环保、响应时间短、寿命长、耗电量少、发光效率高、稳定性好等优点。随着单颗大功率LED的功率密度的不断提高，以及多芯片集成阵列块方法的使用，现有舞台灯中使用的高功率LED的功率一般在350瓦左右，而随着LED的光输出能力逐渐增强，同时LED的功率和正向电流也逐渐增大，解决其散热问题也越来越关键。目前现有的焊线方式：从芯片顶部电极正或负极引出引线，在芯片附近的支架焊盘找到另外一点作为与支架的连接点，使电路连通。这种焊线方式要求芯片间的距离较大，无法使芯片高密度排布，不能合理的利用基板的空间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种布局设置合理的高功率COB结构。为了解决上述技术问题，本技术包括基板，在基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，每个第一芯片上设有与第一LED发光单元焊接区域连接的一第一焊线，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，每个第二芯片上设有与第二LED发光单元焊接区域连接的一第二焊线。因为第一LED发光单元上的第一芯片向第一LED发光单元焊接区域设有第一焊线，第二LED发光单元上的第二芯片向第二LED发光焊接区域设有第二焊线，这样布线规整合理，更合理的利用了空间，也便于生产工艺的安排。作为本技术的进一步改进，若干个第一芯片呈矩阵排布，若干个第二芯片呈矩阵排布，每列第一芯片上的第一焊线均朝基板边缘一侧的方向设置，每列第二芯片上的第二焊线朝基板边缘一侧的方向设置，若干第一焊线和若干第二焊线朝向一致设置，能使得布线更加整齐，且焊线过程中无需经常调换焊线方向，从而焊线工艺简单。作为本技术的进一步改进，在基板的正面设有若干个LED封装区，在正面导电线路正极层和正面导电线路负极层设在LED封装区内。作为本技术的进一步改进，若干个第一焊线重叠设置，其中靠近基板边缘的第一芯片上的第一焊线处于远离基板边缘的第一芯片上的第一焊线的下方，若干个第二焊线重叠设置，其中靠近基板边缘的第二芯片上的第二焊线处于远离基板边缘的第二芯片上的第二焊线的下方。作为本技术的进一步改进，若干个第一焊线交叉设置，若干个第二焊线交叉设置。综上所述，本技术的优点是布局设置合理。附图说明下面结合附图和具体实施方式来对本技术做进一步详细的说明。图1为本技术的第一焊线和第二焊线为重叠设置方式的正面视图。图2为本技术的背面视图。图3为本技术的第一LED发光单元上第一焊线重叠设置的局部剖视图。图4为本技术的第一焊线和第二焊线为交叉设置方式的正面视图。具体实施方式第一实施例：由图1至图3所示，本技术包括基板1，在基板1的正面设有若干个LED封装区，在LED封装区内设有正面导电线路正极层2和正面导电线路负极层3，在基板1的背面设有若干个背面导电线路正极层4和若干个背面导电线路负极层5，通过基板1背面导电线路正极层4和背面导电线路负极层5与设有外接线路的金属基板相连实现电连接，在正面导电线路正极层2上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层3上设有第二LED发光单元，在基板1上设有若干个导通孔，导通孔内设有导电体，所述导通孔包括设在背面导电线路正极层4位置处的第一导通孔8和设在背面导电线路负极层5位置处的第二导通孔9，第一导通孔8内的导电体分别与正面导电线路正极层2、背面导电线路正极层4连接，第二导通孔9内的导电体分别与正面导电线路负极层3、背面导电线路负极层5连接，在基板1的背面设有散热层10，所述散热层10设在基板1的中部位置处，在正面导电线路正极层2上设有第一LED发光单元焊接区域13，第一LED发光单元焊接区域即第一LED发光单元中每个第一芯片与正面导电线路正电极2焊接点所组成的区域，在正面导电线路负极层3上设有第二LED发光单元焊接区域14，第二LED发光单元焊接区域即第二LED发光单元中每个第二芯片与正面导电线路负电极焊接点所组成的区域，所述第一LED发光单元包括多个呈矩阵排布的第一芯片6，本实施例中每个第一LED发光单元包括2行2列共12个第一芯片6，一共具有8个第一LED发光单元，每个第一芯片6上设有与第一LED发光单元焊接区域13连接的一第一焊线11，所述第二LED发光单元包括多个呈矩阵排布的第二芯片7，本实施例中每个第二LED发光单元包括2行2列共12个第二芯片7，一共具有8个第二LED发光单元，每个第二芯片7上设有与第二LED发光单元焊接区域14连接的一第二焊线12，每列第一芯片6上的第一焊线11均朝基板1边缘一侧的方向设置，每列第二芯片7上的第二焊线12朝基板1边缘一侧的方向设置，若干个第一焊线11重叠设置，其中靠近基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11处于远离基板1边缘的第一芯片6上的第一焊线11的下方，若干个第二焊线12重叠设置，其中靠近基板1边缘的第二芯片7上的第二焊线12处于远离基板边缘的第二芯片7上的第二焊线12的下方。采用双面导电线路结构，通过导通孔的导电体双面导电线路导通，适应封装面积的缩小化、部件封装的高密度化的要求。因为第一LED发光单元上的第一芯片向第一LED发光单元焊接区域设有第一焊线，第二LED发光单元上的第二芯片向第二LED发光焊接区域设有第二焊线，这样布线规整合理，更合理的利用了空间，也便于生产工艺的安排。在基板1的背面设有散热层10，提高了散热性能。第二实施例：参看图2和图4，本实施例与实施例1的区别在于：第一焊线和第二焊线为交叉设置，即靠近基板边缘的第一芯片6上的第一焊线11处于远离基板1边缘的第一芯片6上的第一焊线11的下方且一第一LED发光单元内的若干第一焊线之间存在相交点；其中靠近基板1边缘的第二芯片7上的第二焊线12处于远离基板边缘的第二芯片7上的第二焊线12的下方且一第二LED发光单元内的若干第二焊线之间存在相交点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率COB结构，包括基板，其特征在于：在基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，每个第一芯片上设有与第一LED发光单元焊接区域连接的一第一焊线，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，每个第二芯片上设有与第二LED发光单元焊接区域连接的一第二焊线。

【技术特征摘要】
1.一种高功率COB结构，包括基板，其特征在于：在基板的正面设有若干个正面导电线路正极层和若干个正面导电线路负极层，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元，在正面导电线路正极层上设有第一LED发光单元焊接区域，在正面导电线路负极层上设有第二LED发光单元焊接区域，所述第一LED发光单元包括多个第一芯片，每个第一芯片上设有与第一LED发光单元焊接区域连接的一第一焊线，所述第二LED发光单元包括多个第二芯片，每个第二芯片上设有与第二LED发光单元焊接区域连接的一第二焊线。2.按权利要求1所述的高功率COB结构，其特征在于：若干个第一芯片呈矩阵排布，若干个第二芯片呈矩阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，李矗，张强，黄巍，
申请(专利权)人：鸿利智汇集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44