一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，包括金属陶瓷全密封封装管壳，所述管壳的管座设有多个相同的通道，每个所述通道内安装上下对射式结构的光电三极管芯片和红外发光二极管芯片，并且通过管座和内盖板的金属化区域实现以上芯片的电极与外部管脚的电连接，通道之间设置有隔离墙。该多通道双列直插式抗辐照光电耦合器提高传输的效率，灵敏度高，抗辐照性能强。

A multi channel dual in line anti radiation Optocoupler

The utility model relates to a multi-channel dual in-line anti radiation photoelectric coupler, including metal ceramic sealed packaging shell, wherein the socket shell is provided with a plurality of identical channels, each of the channels provided under the phototriode beam tube structure chip and infrared light emitting diode chip is electrically connected. And through the metal electrode and the external region base and inner cover the chip pins, a wall between the channel set. The dual channel dual in line anti radiation optocoupler improves transmission efficiency, sensitivity, and radiation resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器
本技术涉及抗辐照半导体元器件
，具体为一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器。
技术介绍
光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件，它由发光源和受光器两部分组成，把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。随着目前中国航天事业的发展，航天用户对半导体器件抗辐照、高可靠的要求日益突出，目前现有的光电耦合器类半导体器件抗辐照性能差、可靠性差，不能作为航天器件适用，因此对器件抗辐照性能、高可靠性的需求迫在眉睫，故而我们提出了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，来解决以上的问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，具备全密封封装、抗辐照性能强、避免光互扰及可靠性高等优点，解决了目前光电耦合器类半导体器件抗辐照性能差、可靠性差，不能作为航天器件适用的问题。(二)技术方案为实现上述抗辐照性能强、避免光互扰及可靠性高等目的，本技术提供如下技术方案：一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，包括金属陶瓷全密封封装管壳，所述管壳包括位于底部的金属陶瓷全密封封装的管座，在管座上开设有多个相同的通道，每个所述通道内间隔分布有第一金属化区域和第二金属化区域，在第二金属化区域的中心位置处粘接有光电三极管芯片，所述光电三极管芯片的第一电极粘接在所述第二金属化区域，且所述光电三极管芯片的第二电极通过键合丝与第一金属化区域连接。所述管座在每个所述通道上方装有一内盖板，在内盖板上分别设置有第三金属化区域和第四金属化区域，且在第三金属化区域靠近第四金属化区域的末端粘接有红外发光二极管芯片，所述红外发光二极管芯片的第一电极粘接在该第三金属化区域；所述红外发光二极管芯片的第二电极通过键合丝与第四金属化区域连接；所述红外发光二极管芯片与所述光电三极管芯片形成上下对射式结构；所述第一至第四金属化区域通过管壳内部金属化线条与管座的外部管脚连接。金属化线条的形成是给管座的每层陶瓷上穿孔，然后在孔中注入金属化。所述管座在相邻通道中间设置有隔离墙。所述管壳还包括在管座顶端固定安装的外盖板，外盖板的边缘固定在管座的金属焊框上，所述管座的侧面固定安装有所述外部管脚，管座内部金属化区域通过金属化线条与该外部管脚相连。优选的，所述隔离墙的高度高于内盖板0.6mm。优选的，所述外部管脚的数量为十六个，且对称分布在管座的两侧。优选的，所述管壳左侧金属焊框与陶瓷体之间的金属化条为定位标记引线。优选的，所述管座在每个所述通道上方具有一台阶状卡槽，所述台阶状卡槽内安装所述内盖板。优选的，所述管壳的所有金属化区域的外表面均镀有镍层，且在镍层外有镀金层。优选的，所述管座顶端的设置有独立的金属焊框，且金属焊框的顶端与外盖板搭接，通过平行缝焊实现密封。金属焊框为了实现外盖板与管座的密封性。优选的，所述光电三极管芯片为硅抗辐照光电三极管。(三)有益效果与现有技术相比，本技术提供了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，具备以下有益效果：1、该多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，将红外发光二极管芯片通过键合丝与内盖板连接，红外发光二极管芯片与光电三极管芯片形成上下立体对射式传输结构，提高传输的效率，灵敏度高，采用金属陶瓷全密封封装管壳，抗辐照性能强。2、该多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，各通道间电源和地相互独立，相邻通道间采用隔离墙，避免光互扰，抗干扰能力强，提高可靠性，能适用于航天器件使用。附图说明图1为本技术任一通道的装配剖切结构示意图；图2为本技术俯视剖切结构示意图；图3为本技术内盖板结构示意图；图4为本技术正视剖切结构示意图；图5为本技术侧视剖切结构示意图；图6为本技术管壳管脚位置结构示意图；图7为本技术正视外形结构示意图；图8为本技术侧视外形结构示意图；图9为本技术俯视外形结构示意图。图中：1管壳、2管座、3通道、4第一金属化区域、5第二金属化区域、6光电三极管芯片、7金丝、8内盖板、9第三金属化区域、10第四金属化区域、11红外发光二极管芯片、12键合丝、13隔离墙、14外盖板、15金属焊框、16外部管脚、17定位标记引线。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-9，一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，包括金属陶瓷全密封封装的管壳1，管壳1表面左侧金属焊框与陶瓷体之间的金属化条为定位标记引线，共采用十六个外部管脚16，分别对应于四个通道。管壳1具体包括一金属陶瓷全密封封装的管座2，在管座2上等距离开设有四个相同的通道3，每个通道3内间隔分布有第一金属化区域4和第二金属化区域5，在第二金属化区域5的中心位置处粘接有光电三极管芯片6，所述光电三极管芯片6的第一电极粘接在所述第二金属化区域5，且所述光电三极管芯片6的第二电极通过作为键合丝的金丝7与第一金属化区域4连接，从而将第一金属化区域4作为该第二电极引出端。该光电三极管芯片6为抗辐照硅光电三极管，且第一电极为C电极，第二电极为E电极。每个通道3上方的管座2部位内装有内盖板8，管座2在每个通道上方处设置有与内盖板8相适配的台阶状卡槽，用于安装该内盖板8。在内盖板8上间隔设置有凸字形的第三金属化区域9和第四金属化区域10，且在第三金属化区域9靠近第四金属化区域10的末端部粘接有红外发光二极管芯片11，所述红外发光二极管芯片11的第一电极粘接在该第三金属化区域9，红外发光二极管芯片11的第二电极通过键合丝12与第四金属化区域10连接，键合丝12采用金丝，将红外发光二极管芯片11通过键合丝12与内盖板8连接，红外发光二极管芯片11与光电三极管芯片6形成上下立体对射式传输结构，提高传输的效率，灵敏度高，抗辐照性能强；其中红外发光二极管芯片11的第一电极是正极，第二电极是负极，管座的金属化区域——包括金属化区域4、5、9和10以及外部管脚16、金属焊框15、外盖板14的外表面均镀有镍层，且在镍层外有镀金层。管座2内所述第一至第四金属化区域通过管壳内部金属化线条与管座2的外部管脚16连接。金属化线条的形成是给管座的每层陶瓷上穿孔，然后在孔中注入金属化。管座2在位于相邻两个通道中间的位置处固定有隔离墙13，隔离墙13的高度高于内盖板0.6mm，各通道3间电源和地相互独立，相邻通道3间通过采用隔离墙13，避免光互扰，抗干扰能力强，提高可靠性，能适用于航天器件使用。管座2顶端的边缘设有比隔离墙13高0.3mm的金属焊框15，且外盖板14通过平行缝焊的方式与金属焊框15顶端密封在一起。管壳1的侧面固定安装有与管座2内部金属化区域连接的外部管脚16。外部管脚16的数量为十六个，且每八个外部管脚16为一列，对称分布在管壳1的两侧。管壳左侧金属焊框与陶瓷体之间的金属化条为定位标记引线17。以其中一个通道3为例，在工艺设计时，将内盖板8倒扣在管座2的金属台阶上，这时红外发光二极管芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，其特征在于，包括金属陶瓷全密封封装管壳，所述管壳包括位于底部的金属陶瓷全密封封装的管座，在管座上开设有多个相同的通道，每个所述通道内间隔分布有第一金属化区域和第二金属化区域，在第二金属化区域的中心位置处粘接有光电三极管芯片，所述光电三极管芯片的第一电极粘接在所述第二金属化区域，且所述光电三极管芯片的第二电极通过键合丝与第一金属化区域连接；所述管座在每个所述通道上方装有一内盖板，在内盖板上分别设置有第三金属化区域和第四金属化区域，且在第三金属化区域靠近第四金属化区域的末端粘接有红外发光二极管芯片，所述红外发光二极管芯片的第一电极粘接在该第三金属化区域；所述红外发光二极管芯片的第二电极通过键合丝与第四金属化区域连接；所述红外发光二极管芯片与所述光电三极管芯片形成上下对射式结构；所述第一至第四金属化区域通过管壳内部金属化线条与管座的外部管脚连接；所述管座在相邻通道中间设置有隔离墙；所述管壳还包括在管座顶端固定安装的外盖板，外盖板的边缘固定在管座的金属焊框上，所述管座的侧面固定安装有所述外部管脚，管座内部金属化区域通过所述金属化线条与所述外部管脚相连。

【技术特征摘要】
1.一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，其特征在于，包括金属陶瓷全密封封装管壳，所述管壳包括位于底部的金属陶瓷全密封封装的管座，在管座上开设有多个相同的通道，每个所述通道内间隔分布有第一金属化区域和第二金属化区域，在第二金属化区域的中心位置处粘接有光电三极管芯片，所述光电三极管芯片的第一电极粘接在所述第二金属化区域，且所述光电三极管芯片的第二电极通过键合丝与第一金属化区域连接；所述管座在每个所述通道上方装有一内盖板，在内盖板上分别设置有第三金属化区域和第四金属化区域，且在第三金属化区域靠近第四金属化区域的末端粘接有红外发光二极管芯片，所述红外发光二极管芯片的第一电极粘接在该第三金属化区域；所述红外发光二极管芯片的第二电极通过键合丝与第四金属化区域连接；所述红外发光二极管芯片与所述光电三极管芯片形成上下对射式结构；所述第一至第四金属化区域通过管壳内部金属化线条与管座的外部管脚连接；所述管座在相邻通道中间设置有隔离墙；所述管壳还包括在管座顶端固定安装的外盖板，外盖板的边缘固定在管座的金属焊框上，所述管座的侧面固定安装有所述外部管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王四新，殷伟伟，
申请(专利权)人：北京瑞普北光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11