交联性弹性体组合物及该交联性弹性体组合物所形成的成型品制造技术

本发明专利技术提供了交联性弹性体组合物及该由交联性弹性体组合物形成的成型品，所述组合物对半导体制造过程中进行的高浓度Ｆ自由基照射、Ｏ↓［２］等离子体照射、Ｆ等离子体照射的任意一种处理的重量变化小、具有显著的等离体耐受性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及交联性弹性体组合物及该由交联性弹性体组合物形成的成型品，对于半导体制造过程中的NF3等离子体处理、O2等离子体处理、氟等离子体处理的全部等离子体处理，所述组合物的重量变化小、具有显著的等离子体耐受性。更具体地说，本专利技术涉及密封材料。
技术介绍
在半导体制造过程中所进行的蚀刻、灰化及化学气相沉积(CVD)工序中要使用等离子体装置。在离子体装置中，各个连接部位和可活动部位要使用弹性体密封材料来密封。这些密封材料不仅要具有密封性能，而且根据微细化和基板晶片的大型化的要求，还需要耐受所谓高密度(1012～1013/cm3)等离子体处理条件的苛刻处理条件，而且还不能污染需要非常精密加工的半导体。作为能够满足上述要求的密封材料，使用了在交联性氟弹性体里配合有机或无机填料的材料。在通过CVD形成薄膜的工序后，为了清洁CVD装置的处理腔内，要通过利用了NF3远程等离子体的高浓度氟自由基进行清洁。另外在半导体制造过程中的蚀刻、灰化工序中也要用到高密度的O2等离子体、氟等离子体。所以，需要密封材料对NF3等离子体处理、O2等离子体处理和氟等离子体处理全部具有耐受性。但是，以往使用或本文档来自技高网...

【技术保护点】
等离子体处理用交联性弹性体组合物，其含有交联性弹性体和氟化碳填料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：东野克彦，野口刚，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]