IGBT功率管固定结构制造技术

本发明专利技术公开了IGBT功率管固定结构，包括基座、弹片、功率管本体、压紧突起、座体卡扣、管体卡扣，本发明专利技术所述IGBT功率管固定结构在基座内部设置有弹片，提高了基座整体的强度，而且，功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上，然后再通过基座顶部的座体卡扣卡接在电路板上，安装拆卸都极其方便。同时，本发明专利技术通过在基座底部两侧位置设置压紧突起，在功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上后，功率管本体压迫到压紧突起，因此，功率管本体在压紧突起的反作用力下保持稳定，不易松动。

Fixed structure of IGBT power tube

The invention discloses a IGBT power tube fixing structure comprises a base, shrapnel, power tube body, pressing protrusions, seat buckle, pipe clamp, the IGBT power tube fixed structure in the base is arranged inside the shrapnel, improves the overall strength of the base, and the power tube body through a tube card a buckle connected to the base, and then through the top of the base seat buckle is clamped on the circuit board, the installation and disassembly are very convenient. At the same time, by setting the pressing protrusions in the base on both sides of the bottom position in the power tube body through the pipe clamp is clamped in the base, the power tube body compression to compress the processes, therefore, the power tube body remained stable in the reaction of pressing processes, is not easy to loose.

【技术实现步骤摘要】
IGBT功率管固定结构
本专利技术涉及设备配件领域，具体为IGBT功率管固定结构。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。在逆变器生产过程中，由于IGBT比较小，大多采用卡扣式安装，目前还没有一种成本低廉、结构牢固、安装方便，同时又容易更换的IGBT功率管固定结构。
技术实现思路
本专利技术正是针对以上技术问题，提供一种成本低廉、结构牢固、安装方便，同时又容易更换的IGBT功率管固定结构。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：IGBT功率管固定结构，包括基座、弹片、功率管本体、压紧突起、座体卡扣、管体卡扣，其特征在于基座上方设置有座体卡扣，座体卡扣两侧设置有通孔，功率管本体顶部设置管体卡扣，功率管本体通过管体卡扣与基座卡接在一起，基座底部两侧位置设置有压紧突起，弹片整体设置在基座内部。基座整体呈矩形，座体卡扣设置在中间，管体卡扣设置在座体卡扣两侧。管体卡扣设置在座体卡扣两侧的中间位置，与基座底部的压紧突起对应。管体卡扣设置在座体上操两侧的偏上侧位置，与基座底部的压紧突起错开。基座与座体卡扣为一体成型结构。本专利技术所述IGBT功率管固定结构在基座内部设置有弹片，提高了基座整体的强度，而且，功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上，然后再通过基座顶部的座体卡扣卡接在电路板上，安装拆卸都极其方便。同时，本专利技术通过在基座底部两侧位置设置压紧突起，在功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上后，功率管本体压迫到压紧突起，因此，功率管本体在压紧突起的反作用力下保持稳定，不易松动。附图说明图1为本专利技术剖面结构示意图，图2是本专利技术顶部结构示意图，其中：1—基座，2—弹片，3—功率管本体，4—压紧突起，5—座体卡扣，6—管体卡扣。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。IGBT功率管固定结构，包括基座1、弹片2、功率管本体3、压紧突起4、座体卡扣5、管体卡扣6，其特征在于基座1上方设置有座体卡扣5，座体卡扣5两侧设置有通孔，功率管本体3顶部设置管体卡扣6，功率管本体3通过管体卡扣6与基座1卡接在一起，基座1底部两侧位置设置有压紧突起4，弹片2整体设置在基座1内部。基座1整体呈矩形，座体卡扣5设置在中间，管体卡扣6设置在座体卡扣5两侧。管体卡扣6设置在座体卡扣5两侧的中间位置，与基座1底部的压紧突起4对应。管体卡扣6设置在座体上操两侧的偏上侧位置，与基座1底部的压紧突起4错开。基座1与座体卡扣5为一体成型结构。本专利技术所述IGBT功率管固定结构在基座1内部设置有弹片2，提高了基座1整体的强度，而且，功率管本体3通过管体卡扣6卡接在基座1上，然后再通过基座1顶部的座体卡扣5卡接在电路板上，安装拆卸都极其方便。同时，本专利技术通过在基座1底部两侧位置设置压紧突起4，在功率管本体3通过管体卡扣6卡接在基座1上后，功率管本体3压迫到压紧突起4，因此，功率管本体3在压紧突起4的反作用力下保持稳定，不易松动。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
IGBT功率管固定结构，包括基座、弹片、功率管本体、压紧突起、座体卡扣、管体卡扣，其特征在于基座上方设置有座体卡扣，座体卡扣两侧设置有通孔，功率管本体顶部设置管体卡扣，功率管本体通过管体卡扣与基座卡接在一起，基座底部两侧位置设置有压紧突起，弹片整体设置在基座内部。

【技术特征摘要】
1.IGBT功率管固定结构，包括基座、弹片、功率管本体、压紧突起、座体卡扣、管体卡扣，其特征在于基座上方设置有座体卡扣，座体卡扣两侧设置有通孔，功率管本体顶部设置管体卡扣，功率管本体通过管体卡扣与基座卡接在一起，基座底部两侧位置设置有压紧突起，弹片整体设置在基座内部。2.根据权利要求1所述的IGBT功率管固定结构，其特征在于所述基座整体呈矩形，座体卡扣设置在中间，管体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，倪健，秦海波，
申请(专利权)人：苏州市阿瑟顿新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32