配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法、半导体装置的制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配线电路基板、半导体装置、配线电路基板的制造方法、半导体装置的制造方法
本专利技术涉及配线电路基板(内插板)、半导体装置，特别地，涉及介于封装基板和半导体元件之间的配线电路基板、具有用于连接半导体元件的配线电路基板的半导体装置。
技术介绍
当前，为了将细间距的半导体元件与子插件板等外部基板连接而使用封装基板。作为封装基板的材料，使用陶瓷或者树脂。在这里，陶瓷封装基板由于使用烧结的金属化材料(metallizedmaterial)而电阻值变高。并且，陶瓷的介电常数高，难以搭载高频、高性能的半导体元件。另一方面，树脂制封装基板由于使用通过电镀而得到的铜配线，所以能够降低配线电阻，树脂的介电常数低，相对地容易搭载高频、高性能的半导体元件。在这里，作为在封装基板和半导体元件之间插入内插板(配线电路基板)的技术，存在例如专利文献1～专利文献4的技术。另外，近年，作为面向高端的内插板，在基板的材质中使用硅、玻璃的内插板的研究活跃地进行，备受关注。在作为基材而使用硅、玻璃的内插板中，一大特征是使用下述技术，即，在内部形成贯通孔，将该贯通孔利用导电性物质填充的被称为TSV(Thr...
【技术保护点】
一种配线电路基板，其具有：基材，其具有贯通孔；绝缘性树脂层，其层叠于所述基材上且形成有导通通路；以及配线组，其层叠于所述绝缘性树脂层上，在该配线电路基板中，具有：第1无机密接层，其形成于所述贯通孔内；中空状的贯通电极，其是通过在所述第1无机密接层上层叠第1导电层而形成的；埋孔树脂，其是通过将金属粉和树脂材料的混合物填充至所述贯通电极内而形成的；以及第2导电层，其对所述贯通电极的上下端进行包覆。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.14 JP 2014-2318421.一种配线电路基板，其具有：基材，其具有贯通孔；绝缘性树脂层，其层叠于所述基材上且形成有导通通路；以及配线组，其层叠于所述绝缘性树脂层上，在该配线电路基板中，具有：第1无机密接层，其形成于所述贯通孔内；中空状的贯通电极，其是通过在所述第1无机密接层上层叠第1导电层而形成的；埋孔树脂，其是通过将金属粉和树脂材料的混合物填充至所述贯通电极内而形成的；以及第2导电层，其对所述贯通电极的上下端进行包覆。2.根据权利要求1所述的配线电路基板，其中，还具有：第2无机密接层，其设置于所述贯通电极和所述第2导电层之间；以及第1配线组，其设置于所述第2无机密接层之上，具有承载部和配线。3.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，对所述第1配线组进行包覆的所述绝缘性树脂的热膨胀系数比所述第1导电层以及所述第2导电层的形成材料的热膨胀系数高。4.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，所述埋孔树脂的导热率大于或等于1W/m·k。5.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，所述第1无机密接层是由从由氧化锡、氧化铟、氧化锌、镍、镍磷、铬、氧化铬、氮化铝、氮化铜、氧化铝、钽、钛、铜构成的组中选出的1种材料构成的单层膜，或者，由大于或等于2种材料构成的单层膜，或者，将大于或等于2种材料层叠的层叠膜。6.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，形成所述第1导电层以及所述第2导电层的导电性材料是从由铜、银、金、镍、铂、钯、钌、锡、锡银、锡银铜、锡铜、锡铋、锡铅构成的组中选出的任意的单体金属，或者，两者或两者以上的化合物。7.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，所述埋孔树脂由金属粉和树脂材料的混合物构成，该金属粉是从由铜、银、金、镍、铂、钯、钌、锡、锡银、锡银铜、锡铜、锡铋、锡铅构成的组中选出的至少一种金属粉，该树脂材料是从由环氧/苯酚类树脂、聚酰亚胺树脂、环烯、PBO树脂构成的组中选出的任意的树脂材料。8.根据权利要求1所述的配线电路基板，其中，所述绝缘性树脂层由从由环氧/苯酚类树脂、聚酰亚胺树脂、环烯、PBO树脂构成的组中选出的大于或等于1种的材料构成。9.根据权利要求1所述的配线电路基板，其特征在于，所述基材由玻璃构成。10.一种半导体装置，其特征在于，具有：权利要求1所述的配线电路基板；以及安装于所述配线电路基板的半导体元件。11.一种配线电路基板的制造方法，其具有下述...
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