The embodiment of the invention discloses a liquid crystal display panel for electrostatic release structure, with a high resistance film paste liquid crystal display panel, the liquid crystal display panel glass top is covered with a layer of membrane resistance, and high resistance film is reserved in the surrounding edge, a conductive material layer is arranged in the the glass panel is reserved on the edge of the conductive material layer and the high resistance film four phase contact, the conductive material layer through the silver conductive adhesive and TFT substrate GND pin connection. The embodiment of the invention also discloses the corresponding liquid crystal display panel and the liquid crystal display. According to the embodiment of the invention, the release of static electricity can be accelerated, and the static electricity produced by tearing film and film coating can be greatly improved.
【技术实现步骤摘要】
液晶显示面板静电释放结构、液晶显示面板及液晶显示器
本专利技术涉及薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)技术,特别涉及一种液晶显示面板静电释放结构、液晶显示面板及液晶显示器。
技术介绍
在现有技术中,IPS(In-PlaneSwitching,平面转换)显示屏的表面必须有一层接地的屏蔽层,否则外界电场会影响液晶分子的翻转状态,导致显示不良;另外,自容型incell显示屏(一种将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的显示屏)具有良好接地的屏蔽层,会彻底屏蔽掉盒内的触控信号,所以需在表面镀一层高阻屏蔽层,既能屏蔽低频的静电冲击,又能传输高频的触控信号;由于高阻屏蔽层比ITO的阻抗大很多,在撕/覆保护膜时产生的静电或者ESD测试中产生的静电都难以消散,导致模组发绿,发白,发紫等颜色变化,通常在较长时间(如,10s)内难以消散。为解决上述不足之处,通常采用如下手段:其一,更换保护膜的供应商,但是,由于各厂商保护膜所用的材料表面阻抗都不一样,导致匹配的种类也不一样;其二,增加银胶面积,加快静电的释放,但是,这样会增加工艺难度,出现溢胶风险较大,而且成本上升很大; ...
【技术保护点】
一种液晶显示面板静电释放结构,其用于贴装有高阻膜的液晶显示面板上,其特征在于,所述液晶显示面板至少包括TFT基板,在所述液晶显示面板最上层的玻璃面板上覆盖有一层高阻膜,并在高阻膜周围预留有边缘,在所述玻璃面板预留的边缘上设置有一导电材料层,所述导电材料层与所述高阻膜四周相接触,所述导电材料层通过导电银胶与TFT基板的GND脚相连接。
【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板静电释放结构,其用于贴装有高阻膜的液晶显示面板上,其特征在于,所述液晶显示面板至少包括TFT基板,在所述液晶显示面板最上层的玻璃面板上覆盖有一层高阻膜,并在高阻膜周围预留有边缘,在所述玻璃面板预留的边缘上设置有一导电材料层,所述导电材料层与所述高阻膜四周相接触,所述导电材料层通过导电银胶与TFT基板的GND脚相连接。2.如权利要求1所述的一种液晶显示面板静电释放结构,其特征在于,所述导电材料层是通过涂布或电镀的方式设置于所述玻璃面板的边缘上,所述导电银胶为两段,分别将TFT基板的两个GND脚与导电材料层的不同位置相连接。3.如权利要求2所述的一种液晶显示面板静电释放结构,其特征在于,所述导电材料层的方阻小于或等于1K欧姆。4.如权利要求1至3任一项所述的一种液晶显示面板静电释放结构,其特征在于,所述玻璃面板至少要完全覆盖液晶显示面板的AA区。5.一种液晶显示面板,其至少包括:TFT基板、与所述T...
【专利技术属性】
技术研发人员:林丹,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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