长波紫外激发的白色发光材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及发光材料，公开了一种长波紫外激发的白色发光材料，其组成通式为为ＺｎＯ：ｘＣａ，其中０．０１≤ｘ≤０．１，平均粒径１－５ｕｍ，在３８５－３９５ｎｍ的长波紫外区有很强的吸收，在４５０－６００ｎｍ有很强的发射。其制备方法为：将含锌基质原料与含钙化合物研磨混合均匀，得到前驱物，其中含锌基质原料中锌元素与含钙化合物中钙元素摩尔比为１∶０．０１－１∶０．１；将上述前驱物在９５０～１０５０℃下烧结１－２小时；再将烧结后产物研磨后即得到长波紫外激发的白色发光材料。本方法采用研磨法结合空气氧化法，烧结温度低；生产工艺简单易操作、原料廉价易得适合工业化生产，而且所得产品具有很高的化学及光学稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氧化锌发光材料领域，具体涉及长波紫外激发的白色发光材料。
技术介绍
近年来随着各种功能材料的广泛应用，对材料发光性质的研究不断深入，同时也由于白光发光器件(LED)、激光二极管(LD)、真空荧光显示器(VFDs)以及最近新发展最有潜力的场发射平板显示器(FEDs)等巨大市场需求，促进了人们对III-V和II-VI族半导体材料的研究。ZnO是重要的半导体材料，在大气中不容易被氧化，具有很高的化学和热稳定性，激子束缚能大(激子束缚能为60meV，是ZnSe和GaN基材料的3倍)，禁带宽度约为3.36eV，室温下不易被热激发，容易实现受激发射，允许激子高温下复合，是制作与激子相关的光学器件中最有希望的材料。也是少数几种易于实现量子尺寸效应的氧化物半导体之一，可用作光电池、陶瓷、压敏、传感器、催化剂、发光材料等。同时，ZnO是一种具有纤锌矿结构的六方晶体。根据能带结构，ZnO晶体内部的晶格缺陷或者是掺杂的杂质对它的电学和光学性质产生巨大的影响。ZnO晶体内的晶格缺陷例如氧缺陷、锌缺陷、锌间隙、氧反替位等等可以导致400-730nm的可见发射。近年来，在ZnO中掺杂主族元素制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长波紫外激发的白色发光材料，其特征在于，其组成通式为ＺｎＯ：ｘＣａ，其中０．０１≤ｘ≤０．１。

【技术特征摘要】
1.一种长波紫外激发的白色发光材料，其特征在于，其组成通式为ZnO:xCa，其中0.01≤x≤0.1。2.权利要求1所述长波紫外激发的白色发光材料，其特征在于，其平均粒径为1-5um。3.长波紫外激发的白色发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将含锌基质原料与含钙化合物研磨混合均匀，得到前驱物，其中含锌基质原料中锌元素与含钙化合物中钙元素的摩尔比为1∶0.01-1∶0.1；2)将上述前驱物在950～1050℃下烧结1-2小时；3)将烧结后产物研磨后即得到长波紫外激发的白色发光材料。4.权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：余锡宾，杨广乾，陶振卫，
申请(专利权)人：上海师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]