一种新型高压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型高压LED芯片，属于LED照明术领域。它包括陶瓷支架(1)和若干颗LED芯片(2)，其特征在于：所述的若干颗LED芯片(2)以多排平行排列的方式固定在陶瓷支架(1)的固晶区域(4)内，在固晶区域(4)内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台(5)，在陶瓷支架(1)两侧的对角线处还设有LED芯片(2)的正极引脚(6)和负极引脚(7),正极引脚(6)和负极引脚(7)分别位于圆环形凸台(5)的外侧，所述LED芯片(2)相互之间通过金线(3)串联连接在一起并通过金线(3)连接于正极引脚(6)和负极引脚(7)之间。本实用新型专利技术能实现一种高电压低电流的LED照明模式。

A new type of high voltage LED chip

The utility model discloses a new type of high voltage LED chip, which belongs to the field of LED lighting. It includes a ceramic bracket (1) and a plurality of LED chip (2), which is characterized in that a plurality of the LED chip (2) with multiple parallel arranged and fixed on the ceramic bracket (1) of the solid crystal region (4), in the solid crystal region (4) in the surface is used to define the circular convex LED chip and phosphor position (5), (1) LED in the ceramic chip is also provided with a diagonal line on both sides at the cathode pin (2) (6) and (7), positive negative pin pin (6) and (7) are located in the anode pin ring the boss (5) outside the LED chip (2) between the wires (3) are connected in series and the wire (3) connecting pin (6) and Yu Zhengji (7) between the anode pin. The LED lighting mode with high voltage and low current can be realized by the utility model.

【技术实现步骤摘要】
一种新型高压LED芯片
本技术涉及LED照明术领域，具体来说是一种新型高压LED芯片。
技术介绍
现有的LED灯珠一般包括支架、LED芯片和填充于固晶区域内并把LED芯片固定住的荧光粉。现有的LED芯片结构一般只设有1个LED芯片。目前，普通的LED芯片电压一般为3V，功率由电流决定，如20mA0.06W、30mA0.1W、60mA0.2W、150mA0.5W、350mA1W、700mA3W，也就是说LED芯片的功率随着电流的加大而加大，从而大功率LED芯片呈现出一种低电压高电流的现象,这样的LED芯片发热量大，容易损坏LED芯片自身，影响其使用寿命，一般需要设计结构复杂的散热结构或额外配置散热器来给LED降温。此外，这样的低压高电流芯片的能耗高，电能一般20％转化为光能，80％转化为热能，能源利用率低。此外，现有的高压LED芯片在固晶区域没有定位装置，因此在LED芯片固晶时，会使荧光粉流到陶瓷支架上，固晶后还需要对LED芯片进行清理，这样就会浪费生产时间。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述不足，本技术的目的是提供一种高压LED芯片，其要解决的技术问题是改变低电压高电流的LED照明模式，实现一种高电压低电流的LED照明模式，从而大幅度减低AC-DC转换效率损失，而且封装时能对荧光粉进行定位、同时能增加LED发光区的发光面积，增加发光亮度。实现上述目的，本技术采用下述技术方案：一种新型高压LED芯片，包括陶瓷支架和若干颗LED芯片，其特征在于：所述若干颗LED芯片以多排平行排列的方式固定在陶瓷支架的固晶区域内，在固晶区域内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台，在陶瓷支架两侧的对角线处还设有LED芯片的正极引脚和负极引脚,正极引脚和负极引脚分别位于圆环形凸台的外侧，所述LED芯片相互之间通过金线串联连接在一起并通过金线连接于正极引脚和负极引脚之间。采用上述结构后，与现有技术相比，本技术具有以下优点：1、改变了传统低电压高电流的LED照明模式，实现高电压低电流的LED照明模式。由于将若干颗LED芯片以多排平行排列的方式固定在陶瓷支架的固晶区域内，并将多颗电压为3V的低压LED芯片在灯珠内部进行串联，从而以3V为阶梯，使得高压LED芯片的电压能够达到108V、220V甚至更高，从根本上改变了低电压高电流的模式，开创了一种高电压低电流的模式，确保了LED芯片在高功率时依然保持了很低的电流密度，从而极大提高了高功率LED芯片的发光效率。2、封装时能对荧光粉进行定位。由于在固晶区域内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台，这样LED芯片在封装时，通过圆环形凸台对荧光粉进行定位，防止荧光粉流到陶瓷支架上。3、增加LED发光区的发光面积，增加发光亮度。由于正极引脚和负极引脚位于圆环形凸台的外侧，而且位于陶瓷支架两侧的对角线处，这样能够使焊线尽量远离陶瓷支架上的发光区，避免焊线较多而挡住发光区，从而更有利于发光。附图说明图1为本技术的主视示意图。图2为本技术的侧视剖视示意图。图中，1-陶瓷支架，2-LED芯片，3-金线，4-固晶区域，5-圆环形凸台，6-正极引脚，7-负极引脚。具体实施方式如图1至2所示，一种新型高压LED芯片，包括陶瓷支架、26颗LED芯片。26颗LED芯片按左右对称分三排平行排列的方式固定在陶瓷支架的固晶区域内，在固晶区域内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台。圆环形凸台的高度为2-3mm，在陶瓷支架两侧的对角线处还设有LED芯片的正极引脚和负极引脚,正极引脚和负极引脚分别位于圆环形凸台的外侧，26颗LED芯片相互之间通过金线串联连接在一起，并通过金线连接于正极引脚和负极引脚之间。本技术是一种高压LED芯片，是将多颗电压为3V的低压LED芯片在灯珠内部进行串联，串联2颗就是6V，3颗就是9V,这样以3V为阶梯，电压可以达到108V，220V甚至更高，使得LED芯片电压以3V为单位任意调节，从而实现光源按照电源要求进行完美匹配。如本技术就将26颗LED芯片在灯珠内部进行串联，串联后的电压可以达到78V，这样高压LED可以大幅度减低AC-DC转换效率损失。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型高压LED芯片，包括陶瓷支架(1)和若干颗LED芯片(2)，其特征在于：所述的若干颗LED芯片(2)以多排平行排列的方式固定在陶瓷支架(1)的固晶区域(4)内，在固晶区域(4)内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台(5)，在陶瓷支架(1)两侧的对角线处还设有LED芯片(2)的正极引脚(6)和负极引脚(7),正极引脚(6)和负极引脚(7)分别位于圆环形凸台(5)的外侧，所述LED芯片(2)相互之间通过金线(3)串联连接在一起并通过金线(3)连接于正极引脚(6)和负极引脚(7)之间。

【技术特征摘要】
1.一种新型高压LED芯片，包括陶瓷支架(1)和若干颗LED芯片(2)，其特征在于：所述的若干颗LED芯片(2)以多排平行排列的方式固定在陶瓷支架(1)的固晶区域(4)内，在固晶区域(4)内的表面上还设有用来限定LED芯片和荧光粉位置的圆环形凸台(5)，在陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟强，吴存春，
申请(专利权)人：大理滇威节能灯具有限公司，
类型：新型
国别省市：云南,53