一种石墨烯基传感器的制备方法技术
Preparation method of graphene based sensor
The invention provides a preparation method of graphene based sensor includes sequentially forming bottom electrode layer, isolation layer and graphene film on a substrate; the oxygen plasma or oxygen injection of charged groups to graphene film, the graphene films into graphene oxide, graphite oxide polypropylene film as a sensitive material layer; on the surface of graphene oxide films are formed at the top of the isolation layer and the upper electrode layer. The present invention makes graphene films by ion implantation into graphene oxide film, and can control the uniformity and consistency of graphene based sensitive materials better.
【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯基传感器的制备方法
本专利技术涉及传感器
，具体涉及一种石墨烯基传感器的制备方法。
技术介绍
基于石墨烯材料的应用非常广泛，其中氧化石墨烯在温湿度传感器中的应用是最具市场化前景的方向之一。但是，由于石墨烯经过化学方法氧化后将其分散到水中的浓度较低，且由于悬浊液特性，导致石墨烯分散液很难采用传统成膜工艺例如旋涂来实现成膜；同时氧化石墨烯的退火温度对其材料的含氧基团影响很大而导致其特性随受该工艺影响较大，导致均匀性、重复性、一致性较差，也即是该工艺的工艺窗口较小，最终使得该材料在温湿度传感器市场化应用方向上进展缓慢。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在提供一种石墨烯基传感器的制备方法，利用离子注入来使石墨烯转变为氧化石墨烯。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种石墨烯基传感器的制备方法，包括以下步骤：步骤01：在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜；步骤02：将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内，使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层；步骤03：在氧化石墨烯薄膜表面依次形成顶部隔离层和上电极层。优选...
【技术保护点】
一种石墨烯基传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜；步骤02：将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内，使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层；步骤03：在氧化石墨烯薄膜表面依次形成顶部隔离层和上电极层。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯基传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜；步骤02：将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内，使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层；步骤03：在氧化石墨烯薄膜表面依次形成顶部隔离层和上电极层。2.根据权利要求1所述的石墨烯基传感器的制备方法，其特征在于，所形成的上电极层和所形成的氧化石墨烯薄膜作为一个电容结构，所形成的氧化石墨烯薄膜和所形成的下电极层作为一个电容结构，从而构成双电容结构。3.根据权利要求2所述的石墨烯基传感器的制备方法，其特征在于，所形成的氧化石墨烯薄膜呈横卧"S"型连续排布，所形成的底部隔离层和所述顶部隔离层依附所述氧化石墨烯薄膜也呈"S"型连续排布。4.根据权利要求3所述的石墨烯基传感器的制备方法，其特征在于，所形成的下电极层位于所述底部隔离层的底部并与之接触，所形成的上电极层位于所述顶部隔离层呈横卧"S"型的凹陷中。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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