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本发明提供了一种石墨烯基传感器的制备方法，包括：在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜；将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内，使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层；在氧化石墨烯薄膜表面依次形成...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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