增强型单极天线制造技术

一种增强型单极天线，包括：一芯片天线及一基板。该芯片天线上具有一第一辐射单元及该基板上具有一第一接地单元、一信号馈入单元及一第二辐射单元。以该第一辐射单元与该信号馈入单元及该第二辐射单元电性连结。藉由调整第一辐射单元来控制300MHz~6GHz频段阻抗、共振频率、频宽与辐射效应，藉由第二辐射单元与第一辐射单元形成的彼此相配合频率波长，来控制300MHz~6GHz频段而达到预定的目标阻抗、共振频率、频宽与辐射效应，且可有效缩小天线尺寸与增加天线辐射效率。

Enhanced monopole antenna

An enhanced monopole antenna includes: a chip antenna and a substrate. The chip antenna has a first radiation unit and a first grounding unit, a signal feed in unit and a second radiation unit. The first radiation unit is electrically connected with the signal feed in unit and the second radiation unit. By adjusting the first radiation unit to control the 300MHz~6GHz band impedance, resonant frequency, bandwidth and radiation effects, by second radiation unit formation and the first radiation unit is matched with each other to control the frequency and wavelength, the 300MHz~6GHz band and reaches a predetermined target impedance, resonant frequency, bandwidth and radiation effect, and can effectively reduce the size of the antenna and increase the antenna radiation efficiency.

【技术实现步骤摘要】
增强型单极天线
本技术涉及一种天线，尤指一种用于短距离传递相互交换料的增强型单极天线。
技术介绍
已知，现有的行动式电子装置上皆安装有蓝芽及WIFI系统，使该行动电子装置可以与另一个电子装置或另一个行动式电子装置进行短距离的数据传递。这些行动式电子装置在科技技术不断的增进下，很多行动式电子装置都朝轻薄短小的体形设计(例如耳机)，此时行动式电子装置内部又需安装多种天线，又必需安装在同一个行动式电子装置内部时，势必就要缩小行动式电子装置内部的电路板或其它零组件的体积，或者行动式电子装置内部的电路板或其它零组件的体积无法再缩小时，此时就必需要将天线的体积缩小。由于天线的体积缩小后，确实可以与行动式电子装置的电路板及其它零组件的整合在一起使用，但是天线的体积缩小后，将会导致天线的接收与发射性能降低，造成行动式电子装置无法与另一个电子装置或另一个行动式电子装置进行短距离的数据传递。
技术实现思路
因此，本技术之主要目的在于解决传统缺失，本技术主要藉由调整天线上的第一辐射单元来控制300MHz~6GHz频段阻抗、共振频率、频宽与辐射效应，藉由天线上的第二辐射单元与第一辐射单元形成的彼此相配合频率波长，来控制300MHz~6GHz频段而达到预定的目标阻抗、共振频率、频宽与辐射效应，且可有效缩小天线尺寸与增加天线辐射效率。为达上述之目的，本技术提供一种增强型单极天线，包括：一芯片天线及一基板。该芯片天线上具有一基体，该基体上具有一顶面及一底面，该基体的该顶面及该底面上具有一第一辐射单元。该基板上具有一正面、一背面及一侧边端面，该正面具有一第一接地单元、一信号馈入单元及一第二辐射单元，该信号馈入单元与该第一接地单元之间具有一间距，于该基板的背面上具有一对应该第一接地层的第二接地单元，以及对应固接该芯片天线位置处具有一净空区。其中，该芯片天线的第一辐射单元电性连结于该信号馈入单元及该第二辐射单元上，该第二辐射单元与该第一辐射单元电性连结处沿着基板正面延伸于该基板的侧边端面上，以该第二辐射单元与第一辐射单元形成彼此相配合的频率波长。优选地，上述信号馈入单元具有一第一信号馈入线及一第二信号馈入线，该第一信号馈入线具有一第一端点及第二端点，该第二信号馈入线具有一第三端点及一第四端点，该第二端点与该第三端点之间具有一间隙。优选地，上述第一端点与上述芯片天线的第一辐射单元电性连结。优选地，上述间隙形成一匹配电路，或于上述第二端点与上述第三端点之间电性连结一耦合组件或一电感组件。优选地，上述第二辐射单元一端具有一第一电极端，另一端具有一第二电极，由该第一电极端沿着基板的该正面延伸于上述基板的该侧边端面上。优选地，上述第一电极与上述芯片天线的第一辐射体电性连结。优选地，上述第二辐射单元的长度为5-100mm。优选地，上述基体由陶瓷基板或多层的玻璃纤维板组成。优选地，上述第一辐射单元由复数直线、复数U形线及复数导线组成，该些直线设于上述基体的底面，该些U形线设于上述基体的顶面，以该些导线贯穿该基体内部并与该些直线两端及该些U形线的两端电性连结，以形成该第一辐射单元缠绕设于该基体上。优选地，上述第一辐射单元由复数直线及复数导线组成，该些直线设于上述基体的顶面及底面，以该些导线贯穿该基体内部并与该些直线两端电性连结，以形成该第一辐射单元缠绕设于该基体上。优选地，上述频率波长为1λ、1/2λ、1/4λ或1/8λ。优选地，上述第一接地单元及该第二接地单元相邻的该侧边端面上增设有一辅助接地单元，该辅助接地单元分别与该第一接地单元及该第二接地单元电性连结。附图说明图1是本技术之第一实施例的增强型单极天线分解示意图。图2是本技术之第一实施例的增强型单极天线组合示意图。图3是图2的基板另一面示意图。图4是本技术之第一实施例的增强型单极天线没有第二辐射单元的组合示意图。图5是本技术之第一实施例的增强型单极天线没有第二辐射单元的反射系数测试曲线示意图。图6是本技术之第一实施例的增强型单极天线具有第二辐射单元的反射系数测试曲线示意图。图7是本技术之第二实施例的增强型单极天线组合示意图。图8是图7的基板另一面示意图。图9是本技术之第三实施例的增强型单极天线组合示意图。图10是图9的基板另一面示意图。图11是本技术之第四实施例的增强型单极天线组合示意图。图12是图11的基板另一面示意图。图13a-13c是本技术之第五实施例的增强型单极天线的各视角立体示意图。【主要部件符号说明】芯片天线1、1b基体11、11b顶面111、111b底面112、112b第一辐射单元12、12b直线121、121bU形线122导线123、123b该基板2、2a、2b正面21、21a、21b背面22、22a、22b第一接地单元23、23a、23b信号馈入单元24、24a、24b第一信号馈入线241第一端点2411第二端点2412第二信号馈入线242第三端点2421第四端点2422间隙243第二辐射单元25、25a、25b第一电极251、251a、251b第二电极252、252a、252b间距26、26a、26b第二接地单元27、27a、27b净空区28、28a、28b侧边端面29、29a、29b辅助接地单元3具体实施方式兹有关本技术之
技术实现思路
及详细说明，现在配合附图说明如下：请参阅图1、2及3，本技术之第一实施例的增强型单极天线分解、组合及图2的基板另一面示意图。如图所示：本技术之增强型单极天线，包含有：一芯片天线1及一基板2。该芯片天线1，由陶瓷基板或多层的玻璃纤维板所组成的方形的基体11，该基体11的顶面111及底面112上具有一第一辐射单元12，该第一辐射单元12系由复数直线121、复数U形线122及复数导线123组成，该些直线121设于该基体11的底面112，该些U形线122设于该基体11的顶面111，以该些导线123贯穿该基体11内部并与该些直线121两端及该些U形线122的两端电性连结，以形成该第一辐射单元12缠绕设于该基体11上。该基板2，其上具有一正面21、一背面22及一侧边端面29，于该正面21上具有一第一接地单元23、一信号馈入单元24及一第二辐射单元25。该信号馈入单元24与该第一接地单元23之间具有一间距26，该信号馈入单元24具有第一信号馈入线241及一第二信号馈入线242，该第一信号馈入线241上具有一第一端点2411及第二端点2412，该第二信号馈入线242上具有一第三端点2421及一第四端点2422，该第二端点2412与该第三端点2421之间具有一间隙243，该间隙243形成一匹配电路，或于该第二端点2412与该第三端点2421之间电性连结一耦合组件(图中未示)或一电感组件(图中未示)。另，于该基板2的背面22上具有一对应该第一接地层23的第二接地单元27，以及对应该固接芯片天线1位置处具有一净空区28。前述所提之第二辐射单元25一端具有一第一电极端251，另一端具有一第二电极端252，由该第一电极端251沿着基板2的正面21延伸于该基板2的侧边端面29上。在芯片天线1与该基板2电性连结时，以该芯片天线1表面的第一辐射单元12电性连结于该信号馈入单元24的第一端点2411与该第二辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强型单极天线，其特征在于包括：一芯片天线，其上具有一基体，该基体上具有一顶面及一底面，该基体的该顶面及该底面上具有一第一辐射单元；一基板，其上具有一正面、一背面及一侧边端面，该正面具有一第一接地单元、一信号馈入单元及一第二辐射单元，该信号馈入单元与该第一接地单元之间具有一间距，于该基板的背面上具有一对应该第一接地层的第二接地单元，以及对应固接该芯片天线位置处具有一净空区；其中，该芯片天线的第一辐射单元电性连结于该信号馈入单元及该第二辐射单元上，该第二辐射单元与该第一辐射单元电性连结处沿着基板正面延伸于该基板的侧边端面上，以该第二辐射单元与第一辐射单元形成彼此相配合的频率波长。

【技术特征摘要】
1.一种增强型单极天线，其特征在于包括：一芯片天线，其上具有一基体，该基体上具有一顶面及一底面，该基体的该顶面及该底面上具有一第一辐射单元；一基板，其上具有一正面、一背面及一侧边端面，该正面具有一第一接地单元、一信号馈入单元及一第二辐射单元，该信号馈入单元与该第一接地单元之间具有一间距，于该基板的背面上具有一对应该第一接地层的第二接地单元，以及对应固接该芯片天线位置处具有一净空区；其中，该芯片天线的第一辐射单元电性连结于该信号馈入单元及该第二辐射单元上，该第二辐射单元与该第一辐射单元电性连结处沿着基板正面延伸于该基板的侧边端面上，以该第二辐射单元与第一辐射单元形成彼此相配合的频率波长。2.如权利要求1所述的增强型单极天线，其特征在于上述信号馈入单元具有一第一信号馈入线及一第二信号馈入线，该第一信号馈入线具有一第一端点及第二端点，该第二信号馈入线具有一第三端点及一第四端点，该第二端点与该第三端点之间具有一间隙。3.如权利要求2所述的增强型单极天线，其特征在于上述第一端点与上述芯片天线的第一辐射单元电性连结。4.如权利要求2所述的增强型单极天线，其特征在于上述间隙形成一匹配电路，或于上述第二端点与上述第三端点之间电性连结一耦合组件或一电感组件。5.如权利要求1所述的增强型单极天线，其特征在于上述第二辐射单元一端具有一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文照，蔡昀展，蔡为闳，
申请(专利权)人：昌泽科技有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71