一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于抛光高硬度材料的纳米氮化硅抛光组合物，它的组份和重量百分比含量为，１％～８％的表面改性的纳米氮化硅、０．１％～１．０％钛酸酯偶联剂、０．１％～２％的季戊四醇硬脂酸酯、０．１％～１％的甘油单十六烷酸酯、余量为基础油。本发明专利技术还涉及这种纳米氮化硅抛光组合物的制备方法。采用本发明专利技术的纳米氮化硅抛光组合物使被抛光的材料表面达到超镜面的光洁度，而且在抛光过程中没有杂质或污染物污染被抛光的材料表面。本发明专利技术的制备工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法
本专利技术涉及一种用于抛光高硬度材料的纳米氮化硅抛光组合物，本专利技术还涉及这种纳米氮化硅抛光组合物的制备方法。
技术介绍
纳米氮化硅具有高强度、耐磨、耐热、耐热冲击和自润滑等特点，是各种高硬度材料的最佳磨料之一，它适用于高硬度材料的磨削与抛光。中国专利申请号为02117756.2，公开号为CN1384166A，专利技术名称为“用于存储器硬盘磁头表面抛光的抛光组合物及其抛光方法”，公开了一种用于存储器硬盘磁头抛光的抛光组合物，其特征在于，该抛光组合物至少包括以下组分：(1)选自纳米量级的金刚石、二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰中的一种磨料或多种磨料的组合，占总重量的0.01-50％；(2)烷烃的矿物油或合成油，占总重量的50-99.99％；(3)缓冲组分，占总重量的0-50％，使所述抛光组合物的PH值为6-8。该专利技术的抛光组合物可用于存储器硬盘磁头的粗抛光或精抛光，或类似于磁头表面的金属或非金属表面。由于该专利技术的主要成分之一的缓冲组份使用一些碱性或酸性物质，在抛光液中和成为盐，而成为杂质或污染物，从而污染了被抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米氮化硅抛光组合物，其特征在于：其组份和重量百分比含量为，表面改性的纳米氮化硅１％～８％钛酸酯偶联剂０．１％～１．０％季戊四醇硬脂酸酯０．１％～２％甘油单十六烷酸酯０．１％～１％ 基础油８８％～９８．７％。

【技术特征摘要】
1.一种纳米氮化硅抛光组合物，其特征在于：其组份和重量百分比含量为，表面改性的纳米氮化硅               1％～8％钛酸酯偶联剂                       0.1％～1.0％季戊四醇硬脂酸酯                   0.1％～2％甘油单十六烷酸酯                   0.1％～1％基础油                             88％～98.7％。2.根据权利要求1所述的纳米氮化硅抛光组合物，其特征在于：所述的表面改性的纳米氮化硅是经聚氧乙烯表面改性的纳米氮化硅。3、根据权利要求1或2所述的纳米氮化硅抛光组合物，其特征在于：所述的纳米氮化硅的粒径为20～40nm。4、根据权利要求1所述的纳米氮化硅抛光组合物，其特征在于：所述的基础油为C4-C8烷烃的矿物油。5、权利要求1-4任何一项所述的纳米氮化硅抛光组合物的制备方法，其特征在于：它包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新明，魏庆华，卢业玉，张道宏，
申请(专利权)人：张新明，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]