电池保护芯片级联的均衡控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电池保护芯片级联的均衡控制电路，所述装置主要包括多个串联锂电保护芯片，每个电池保护芯片均具有均衡检测单元，可实现本级芯片组内电池组的均衡。同时芯片的均衡检测单元具有BUP端和BDN端，本节锂电保护芯片的BUP端与上一节锂电保护芯片的BDN端连接，本节锂电保护芯片的BDN端与下一节锂电保护芯片的BUP端连接。本发明专利技术能实现多级芯片的级联，并通过BUP端和BDN端传送和接受均衡信号，最终实现多串电池组同时均衡。

【技术实现步骤摘要】
电池保护芯片级联的均衡控制电路
本专利技术属于电池管理
，具体涉及电池保护芯片级联的均衡控制电路。
技术介绍
随着技术的发展，锂电池的发展越来越快，锂电池也越来越多地应用在各个领域，因此，其安全性也逐渐成为大家密切关注的问题。目前，在电池保护芯片的均衡检测电路中通常只有单节芯片电池内部的组内均衡，而不能实现各节芯片之间的组间均衡，即使有些芯片可以多节级联实现多组电池均衡，但是电路比较复杂。因此，用简单的电路实现多节芯片级联，多串电池组能够同时实现均衡就显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种电池保护芯片级联的均衡控制电路，对多节芯片级联，多串电池组能够同时实现均衡，并且电路简单，从而解决现有技术的不足。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是，电池保护芯片级联的均衡控制电路，包括多节锂电保护芯片，每节锂电保护芯片均具有BUP端和BDN端，本节锂电保护芯片的BDN端与下一节锂电保护芯片的BUP端连接；锂电保护芯片中设置有均衡检测电路和逻辑控制单元，均衡检测电路包括阈值检测单元A1和阈值检测单元A2，阈值检测单元A1的第一输入端连接至电压VCC，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
电池保护芯片级联的均衡控制电路，其特征在于，包括多节锂电保护芯片，每节锂电保护芯片均具有BUP端和BDN端，本节锂电保护芯片的BDN端与下一节锂电保护芯片的BUP端连接；锂电保护芯片中设置有均衡检测电路和逻辑控制单元，均衡检测电路包括阈值检测单元A1和阈值检测单元A2，阈值检测单元A1的第一输入端连接至电压VCC，第二输入端连接至直流电流源I2的输入端，直流电流源I2的输出端接地VSS；阈值检测单元A1的第一输出端分别连接至BUP引脚以及直流电流源I1的输入端，直流电流源I1的输出端接地VSS，直流电流源I1与阈值检测单元A1的第一输出端之间设置有开关SW1；第二输出端分别连接直流电流源I3输...

【技术特征摘要】
1.电池保护芯片级联的均衡控制电路，其特征在于，包括多节锂电保护芯片，每节锂电保护芯片均具有BUP端和BDN端，本节锂电保护芯片的BDN端与下一节锂电保护芯片的BUP端连接；锂电保护芯片中设置有均衡检测电路和逻辑控制单元，均衡检测电路包括阈值检测单元A1和阈值检测单元A2，阈值检测单元A1的第一输入端连接至电压VCC，第二输入端连接至直流电流源I2的输入端，直流电流源I2的输出端接地VSS；阈值检测单元A1的第一输出端分别连接至BUP引脚以及直流电流源I1的输入端，直流电流源I1的输出端接地VSS，直流电流源I1与阈值检测单元A1的第一输出端之间设置有开关SW1；第二输出端分别连接直流电流源I3输入端以及逻辑控制单元输入端用来控制逻辑控制单元，直流电流源I3的输出端接地VSS；直流电流源I4、直流电流源I5和直流电流源I6的输入端均由VDD控制，直流电流源I4的输出端通过开关SW2连接阈值检测单元A2的第一输出端以及BDN引脚；直流电流源I5的输出端连接至阈值检测单元A2的第二输入端，阈值检测单元A2的第一输入端接地VSS，阈值检测单元A2的第二输出端分别连接至直流电流源I6的输出端以及反相器A3的输入端，反相器A3的输出为DN信号连接至逻辑控制单元，用来控制逻辑控制单元，逻辑控制单元输出信号为CB1～CBn。2.根据权利要求1所述的电池保护芯片级联的均衡控制电路，其特征在于，还包括开关控制逻辑电路，包括反相器A106和反相器A108，其中，反相器A106的输入端由UP信号控制，反相器A106的输出端信号传送给逻辑与门A107的一个输入端，反相器A108的输入端由DN信号控制，反相器A108的输出端信号传送给逻辑与门A109的一个输入端，逻辑与门A107和A109的另一个输入端均由STOP信号控制，逻辑与门A107的输出为S_DN信号用于控制开关SW2的状态，逻辑与门A109的输出信号经反相器A110后输出为S_UP信号用于控制开关SW1的状态。3.根据权利要求1或2所述的电池保护芯片级联的均衡控制电路，其特征在于，均衡检测电路中，PMOS管M101、PMOS管M106与PMOS管M102、PMOS管M107构成电流镜作为直流电流源I4，PMOS管M101、PMOS管M106与PMOS管M103、PMOS管M108构成电流镜作为直流电流源I5，PMOS管M101、PMOS管M106与PMOS管M104、PMOS管M109构成电流镜作为直流电流源I6，PMOS管M101、PMOS管M106与PMOS管M105、PMOS管M110构成电流镜，这四组电流镜的源头均为PMOS管M101、PMOS管M106，均由直流电流源I101提供镜像电流；PMOS管M101、PMOS管M102、PMOS管M103、PMOS管M104、PMOS管M105的源极均由电压VDD控制，PMOS管M106的漏极与直流电流源I101的输入端连接，直流电流源I101的输出端接地VSS，PMOS管M107的漏极与PMOS管M118的源极连接，PMOS管M118作为开关SW2，其栅极由S_DN信号控制；电阻R2、NMOS管M119以及NMOS管M120构成了阈值检测单元A2，NMOS管M119的源极作为阈值检测单元A2的第一输入端接地VSS，电阻R2的一端和NMOS管M119的栅极作为阈值检测单元A2的第二输入端连接PMOS管M108的漏极，电阻R2的另一端与NMOS管M119的漏极以及NMOS管M120的栅极连接；NMOS管M120的漏极作为阈值检测单元A2的第二输出端连接PMOS管M109的漏极以及施密特触发器A104的输入端连接，施密特触发器A104的输出端与反相器A105连接，反相器A106的输出为DN信号；NMOS管M120的源极作为阈值检测单元A2的第一输出端与PMOS管M118的漏极以及引脚BDN连接；PMOS管M110的漏极分别与高压NMOS管M111的漏极和栅极、NMOS管M112的栅极以及高压NMOS管M115的栅极连接，高压NMOS管M111的源极与NMOS管M121的漏极连接，高压NMOS管M112的源极与NMOS管M117的漏极连接，NMOS管M117的栅极由S_UP信号控制，NMOS管M117的源极连接NMOS管M122的漏极，高压NMOS管M115的源极连接NMOS管M123的漏极；NMOS管M121与NMOS管M122、NMOS管M123、NMOS管M124构成电流镜，NMOS管M121为电流镜源头，由直流电流源I101提供镜像电流，NMOS管M121与NMOS管M122作为直流电流源I1，其中NMOS管M121与NMOS管M123构成的电流镜作为直流电流源I2，NMOS管M121与NMOS管M124构成的电流镜作为直流电流源I3；高压PMOS管M113、高压PMOS管M114和电阻R1构成阈值检测单元A1，高压PMOS管M113的源极作为阈值检测单元A1的第一输入端连接电压VCC，电阻R1的一端和高压PMOS管M113的栅极作为阈值检测单元A1的第二输入端连接高压NMOS管M115的漏极，电阻R1的另一端与高压PMOS管M113的漏极和高压PMOS管M114的栅极连接；高压PMOS管M114的源极作为阈值检测单元A1的第一输出端连接至引脚BUP和高压NMOS管M112的漏极，高压PMOS管M114的漏极作为阈值检测单元A1的第二输出端连接高压NMOS管M116的漏极，高压NMOS管M116的栅极由电压VDD控制，高压NMOS管M116的源极连接至施密特触发器A101的输入端，施密特触发器A101的输出端依次连接有反相器A102和A103，反相器A103输出UP信号。4.根据权利要求1或2所述的电池保护芯片级联的均衡控制电路，其特征在于，均衡检测电路中，高压PMOS管M306、高压PMOS管M307和电阻R1构成阈值检测单元A1，高压PMOS管M306的源极作为阈值检测单元A1的第一输入端连接电压VCC，电阻R1的一端和高压PMOS管M306的栅极作为阈值检测单元A1的第二输入端连接高压NMOS管M310的漏极，电阻R1的另一端与高压PMOS管M306的漏极和高压PMOS管M307的栅极连接；高压PMOS管M307的源极作为阈值检测单元A1的第一输出端连接至引脚BUP和高压NMOS管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雨鑫，李演明，张豪，席晓丽，周罡，曹灿，
申请(专利权)人：西安华泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61