用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路的接反限流保护技术领域，具体地说，涉及一种用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构。该接反限流结构包括设于无源器件支路处的第一接反限流电路、设于NPN管支路处的第二接反限流电路、设于NMOS管支路处的第三接反限流电路，和设于PMOS管支路处的第四接反限流电路。该接反限流方法将上述的接反限流结构运用于集成芯片中。本实用新型专利技术能够较佳地对集成电路中的每个支路分别进行接反限流保护。

Connection reverse current limiting structure for integrated circuit without internal voltage regulator source

The utility model relates to the reverse reverse current limiting protection technology of an integrated circuit, in particular relates to an anti reverse current limiting structure for an integrated circuit without an internal voltage regulator source. The reverse current limiting structure comprises a first passive device connected at the branch counter current limiting circuit, in the second NPN tube branch reverse current limiting circuit, a NMOS tube branch at third reverse current limiting circuit, and a branch of the fourth PMOS tube reverse current limiting circuit. The reverse current limiting method is applied to the integrated chip in the reverse current limiting structure. The utility model can preferably each branch of integrated circuits were reverse current limiting protection.

【技术实现步骤摘要】
用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构
本专利技术涉及集成电路的接反限流保护
，具体地说，涉及一种用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构。
技术介绍
集成电路是一种微型电子器件，采用一定的工艺将电路中所需要的器件和连线制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，再通过封装在一个管壳内，以成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路通常制作在硅单晶上，不仅由于其价格低廉，而且因硅单晶自身半导体的性质，可使其掺杂不同物质形成P型和N型，P型多空穴，N型多电子。集成电路通常是采用轻掺杂的P型衬底制造，通常P型衬底都要接到整个电路的最低电位，以保证PN结反向偏置。但在实际应用中，时常会因误操作而导致电路的电源和地接反，此时P型衬底的电位就变成了最高电位，而衬底与电路中的N型材料就会形成一个正向导通的PN结，若不对此时的电流进行限制，反向电流将会在短时间内急剧增大，从而可能烧毁芯片。集成电路供电有两种方式，一种是直接外部电源供电，另外一种是由内部稳压源供电。对于无内部稳压源的集成电路，在电路电源到地间会有多个通道，且每个通道的组成也会有所不同，现有技术很难对无内部稳压源集成电路的每个通道均进本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构，其特征在于：包括设于无源器件支路处的第一接反限流电路、设于NPN管支路处的第二接反限流电路、设于NMOS管支路处的第三接反限流电路，和设于PMOS管支路处的第四接反限流电路；第一接反限流电路包括用于去掉N型隔离岛的导电位或将N型隔离岛的导电位与无源器件支路处无源器件电位较高一端进行连接的导通通路；第二接反限流电路包括设于NPN管支路与电源间的PNP管，该PNP管的发射极接入电源，该PNP管的集电极接入NPN管支路处NPN管的集电极，该PNP管的基极通过一第一电阻接地；第三接反限流电路包括设于NMOS管支路与电源间的第一PMOS管，第一PMOS管的漏端接入...

【技术特征摘要】
1.用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构，其特征在于：包括设于无源器件支路处的第一接反限流电路、设于NPN管支路处的第二接反限流电路、设于NMOS管支路处的第三接反限流电路，和设于PMOS管支路处的第四接反限流电路；第一接反限流电路包括用于去掉N型隔离岛的导电位或将N型隔离岛的导电位与无源器件支路处无源器件电位较高一端进行连接的导通通路；第二接反限流电路包括设于NPN管支路与电源间的PNP管，该PNP管的发射极接入电源，该PNP管的集电极接入NPN管支路处NPN管的集电极，该PN...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭洋，
申请(专利权)人：鑫雁电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31