参考电压产生电路制造技术

一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路包括：驱动单元，输入端外接输入信号，适于根据所述输入信号和反馈信号产生驱动电压；第一开关器件，其输入端耦接电源，其输出端输出所述反馈信号；第二开关器件，其控制端耦接所述驱动电压，其输入端耦接所述第一开关器件的输出端，其输出端经由第一偏置电路接地；所述参考电压产生电路还包括：第一补偿电路，其输入端耦接所述第一开关器件的控制端，其输出端耦接所述第二开关器件的输出端，所述第一补偿电路适于在所述第一补偿电路的输入端和输出端之间提供压降。本发明专利技术技术方案提高了参考电压产生电路的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生电路
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种参考电压产生电路。
技术介绍
模拟数字转换器(Analog-to-digitalconverter,ADC)是用于将模拟形式的连续信号转换为数字形式的离散信号的一类设备。模拟数字转换器可以提供信号用于测量。高精度ADC对参考电压有较高要求，通常为了减小设计难度，会将参考电压引到片外用大电容进行退藕。随着ADC的速度越来越高，芯片封装所引入的电感越来越不能忽视。因此，许多高速高精度的ADC要求参考电压可以在片内集成产生。现有技术中，请参照图1，图1是现有技术一种参考电压产生电路的结构示意图，考虑到晶圆面积成本，片内集成的参考电压产生电路不可能设置很大的退耦电容，故图1所示参考电压产生电路采用MOS管MP3、MOS管MP4等比例拷贝MOS管MP1、MOS管MP2结构的方式，减小前后级电路电流大小变化时，所形成的电流冲击对电路的正常工作产生的影响。其中，运算放大器101(operationalamplifier,OPA)正相输入端外接输入电压Vrefp_in，输出端耦接MOS管MP2的栅极和MOS管MP4的栅极；MOS管MP1的漏极接运算放大器的反相输入端，MOS管MP3的漏极为参考电压Vrefp的输出端。所有的MOS管均工作在饱和区，为了保证MOS管MP3和MOS管MP4工作在饱和区，则参考电压Vrefp的大小介于负载单元102和负载单元103的输入电压VA的值和电源电压VDD的值之间。而A点电压VA＝VDD-VTP-VOD3，其中，VTP为MOS管MP3的阈值电压，VOD3为MOS管MP3的过驱动电压，过驱动电压Vod＝Vgs-Vth，表示超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。根据不同的工艺，A点电压的电压VA通常比VDD低几百毫伏左右。但是，现有技术的参考电压产生电路只能产生比电源电压VDD稍低的参考电压，将参考电压值限制在几百毫伏的范围之内；在要求的参考电压和VDD的值相差较大时，现有技术的参考电压产生电路就不能发挥作用，限制了参考电压产生电路的应用范围。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是如何提高参考电压产生电路的应用范围。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种参考电压产生电路，参考电压产生电路包括：驱动单元，输入端外接输入信号，适于根据所述输入信号和反馈信号产生驱动电压；第一开关器件，其输入端耦接电源，其输出端输出所述反馈信号；第二开关器件，其控制端耦接所述驱动电压，其输入端耦接所述第一开关器件的输出端，其输出端经由第一偏置单元电路接地；所述参考电压产生电路还包括：第一补偿电路，其输入端耦接所述第一开关器件的控制端，其输出端耦接所述第二开关器件的输出端，所述第一补偿电路适于在所述第一补偿电路的输入端和输出端之间提供压降。可选的，所述反馈信号作为参考电压输出。可选的，所述第一补偿电路包括至少一个二极管。可选的，所述第一开关器件包括第一PMOS管，所述第二开关器件包括第二PMOS管；所述第一PMOS管的源极耦接所述电源，其栅极耦接所述第一补偿电路的输入端；所述第二PMOS管源极耦接所述第一PMOS管的漏极，其漏极耦接所述第一偏置电路的输入端，其栅极耦接所述驱动单元的输出端。可选的，所述第一PMOS管工作在饱和区，所述第一PMOS管的漏极电压作为反馈信号输入至所述驱动单元，所述驱动电压控制所述第二PMOS管工作在饱和区，至少一个所述二极管导通后，在所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极之间提供压降，所述第二PMOS管的漏极电压小于所述第一PMOS管的栅极电压。可选的，所述第一补偿电路包括MOS管；所述MOS管的栅极耦接其漏极。可选的，所述第一PMOS管工作在饱和区，所述第一PMOS管的漏极电压作为反馈信号输入至所述驱动单元，所述驱动电压控制所述第二PMOS管工作在饱和区，所述第二PMOS管的漏极电压控制所述MOS管导通，在所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极之间提供压降，所述第二PMOS管的漏极电压小于所述第一PMOS管的栅极电压。可选的，所述驱动单元包括运算放大器，其正相输入端接入所述输入信号，其反相输入端接入所述反馈信号，其输出端输出所述驱动电压。可选的，所述参考电压产生电路还包括第三PMOS管、第四PMOS管、第二偏置电路和第二补偿电路；所述第三PMOS管的源极耦接电源，其栅极耦接所述第二补偿电路的输入端；所述第四PMOS管的源极耦接所述第三PMOS管的漏极，其漏极耦接所述第二偏置电路的输入端，其栅极耦接所述驱动单元的输出端；所述第二补偿电路的输出端耦接所述第四PMOS管的漏极；所述第二偏置电路的输出端接地。可选的，所述第三PMOS管的漏极电压作为所述参考电压输出。可选的，所述第二补偿电路包括至少一个二极管。可选的，所述第二补偿电路包括MOS管；所述MOS管的栅极耦接其漏极。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术实施例的参考电压产生电路可以包括：驱动单元，输入端外接输入信号，适于根据所述输入信号和反馈信号产生驱动电压；第一开关器件，其输入端耦接电源，其输出端输出所述反馈信号；第二开关器件，其控制端耦接所述驱动电压，其输入端耦接所述第一开关器件的输出端，其输出端经由第一偏置电路接地；所述参考电压产生电路还包括：第一补偿电路，其输入端耦接所述第一开关器件的控制端，其输出端耦接所述第二开关器件的输出端，所述第一补偿电路适于在所述第一补偿电路的输入端和输出端之间提供压降。通过设置第一补偿电路，在第一开关器件的控制端和第二开关器件的输出端之间提供压降，使得第二开关器件的输出端电压小于第一开关器件的控制端电压，从而在不影响第一开关器件的工作状态下，降低第二开关器件的输出端电压；同时，在第二开关器件的输出端电压降低后，可以通过调节输入信号使参考电压产生电路得到较大的电压输出范围。进一步地，所述反馈信号作为参考电压输出，在反馈信号可以通过调节输入信号得到较大的范围时，参考电压产生电路产生的参考电压的范围增大，提高了参考电压产生电路的应用范围。进一步地，所述第一补偿电路包括至少一个二极管，通过采用二极管提供压降，降低第二开关器件的输出端电压，参考电压产生电路产生的参考电压的范围增大。进一步地，所述第一补偿电路包括MOS管，所述MOS管的栅极耦接其漏极，通过将MOS的栅端和输出端连接提供压降，实现降压效果，降低第二开关器件的输出端电压，参考电压产生电路产生的参考电压的范围增大。附图说明图1是现有技术一种参考电压产生电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例一种参考电压产生电路的结构示意图；图3是本专利技术实施例另一种参考电压产生电路的结构示意图；图4是本专利技术实施例又一种参考电压产生电路的结构示意图；图5是本专利技术实施例再一种参考电压产生电路的结构示意图。具体实施方式如
技术介绍
中所述，现有技术的参考电压产生电路只能产生比电源电压VDD稍低的参考电压，将参考电压值限制在几百毫伏的范围之内；在要求的参考电压和VDD的值相差较大时，现有技术的参考电压产生电路就不能发挥作用，限制了参考电压产生电路的应用范围。本实施例的参考电压产生电路通过设置第一补偿电路，在第一开关器件的控制端和第二开关器件的输出端之间提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压产生电路，包括：驱动单元，输入端外接输入信号，适于根据所述输入信号和反馈信号产生驱动电压；第一开关器件，其输入端耦接电源，其输出端输出所述反馈信号；第二开关器件，其控制端耦接所述驱动电压，其输入端耦接所述第一开关器件的输出端，其输出端经由第一偏置电路接地；其特征在于，所述参考电压产生电路还包括：第一补偿电路，其输入端耦接所述第一开关器件的控制端，其输出端耦接所述第二开关器件的输出端，所述第一补偿电路适于在所述第一补偿电路的输入端和输出端之间提供压降。

【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路，包括：驱动单元，输入端外接输入信号，适于根据所述输入信号和反馈信号产生驱动电压；第一开关器件，其输入端耦接电源，其输出端输出所述反馈信号；第二开关器件，其控制端耦接所述驱动电压，其输入端耦接所述第一开关器件的输出端，其输出端经由第一偏置电路接地；其特征在于，所述参考电压产生电路还包括：第一补偿电路，其输入端耦接所述第一开关器件的控制端，其输出端耦接所述第二开关器件的输出端，所述第一补偿电路适于在所述第一补偿电路的输入端和输出端之间提供压降。2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述反馈信号作为参考电压输出。3.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一补偿电路包括至少一个二极管。4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一开关器件包括第一PMOS管，所述第二开关器件包括第二PMOS管；所述第一PMOS管的源极耦接所述电源，其栅极耦接所述第一补偿电路的输入端；所述第二PMOS管源极耦接所述第一PMOS管的漏极，其漏极耦接所述第一偏置电路的输入端，其栅极耦接所述驱动单元的输出端。5.根据权利要求4所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一PMOS管工作在饱和区，所述第一PMOS管的漏极电压作为反馈信号输入至所述驱动单元，所述驱动电压控制所述第二PMOS管工作在饱和区，至少一个所述二极管导通后，在所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极之间提供压降，所述第二PMOS管的漏极电压小于所述第一PMOS管的栅极电压。6.根据权利要求4所述的参考电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘飞，唐华，荀本鹏，杨海峰，郭萌萌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31