非氰系Au‑Sn合金镀覆液制造技术

本发明专利技术涉及一种非氰系Au‑Sn合金镀覆液，由中性且不含有氰的镀覆液组成，可进行Au‑Sn合金镀覆处理。本发明专利技术的非氰系Au‑Sn合金镀覆液含有非氰的可溶性金盐、由4价Sn所成的Sn化合物、硫代羧酸系化合物。本发明专利技术的非氰系Au‑Sn合金镀覆液，可还含有糖醇类化合物，此外，也可还含有二硫基烷基化合物。本发明专利技术提供的非氰系Au‑Sn合金镀覆液，由于对环境不会造成大负荷，能够做到Au‑Sn合金镀覆处理，并且不会引起由Sn化合物的氧化所造成的沉淀产生的液体稳定性降低，故可有效率地进行半导体晶圆等的Au‑Sn合金镀覆处理。

Non cyanide plating Sn alloy coating liquid Au

The invention relates to a non cyanide Au Sn alloy plating solution by neutral and does not contain cyanide plating solution which can be Au Sn alloy plating. Non cyanide Au Sn the alloy plating solution containing soluble salt, non cyanide composed of 4 valent Sn Sn compound, thio carboxylic acid compounds. Coating liquid non cyanide Au Sn alloy of the invention can also contain plating, sugar alcohols, in addition, can also contain two alkyl sulfur compounds. Coating liquid non cyanide Au Sn alloy provided by the invention plating, due to heavy load on the environment will not be able to do Au, Sn alloy plating, and will not cause the decrease of liquid stability caused by oxidation of Sn compounds precipitate, so it can be efficiently Au Sn alloy semiconductor the wafer plating treatment.

【技术实现步骤摘要】
非氰系Au-Sn合金镀覆液
本专利技术涉及非氰系Au-Sn合金镀覆液，特别是涉及使用4价Sn化合物的非氰系Au-Sn合金镀覆液。
技术介绍
Au-Sn合金具有高连接可靠性，而在形成电子零件等的接合部之际使用。又，作为通过此Au-Sn合金形成接合部的方法，已知有使用Au-Sn合金镀覆液的方法(例如，参照专利文献1至4)。向来的Au-Sn合金镀覆液，已知是含有氰的氰系Au-Sn合金镀覆液。关于此氰系Au-Sn合金镀覆液，被指称有由氰的毒性所造成的环境问题；或由于2价Sn化合物氧化而成为4价Sn，形成不溶性的化合物而产生沉淀等液体稳定性的问题。针对此Au-Sn合金镀覆液，试图制造非氰系的Au-Sn合金镀覆液时，由于相对于含有氰的Au化合物，非氰的Au化合物的稳定性较低，故可能因如(1)所示的不均化反应而产生Au沉淀的问题。2Au(I)+Sn(II)→2Au↓+Sn(IV)…(1)再者，为了避免由上述的不均化反应、Sn化合物的氧化所造成的沉淀产生等液体稳定性的问题，即使尝试使用4价Sn，由于Au(I)与Sn(IV)的析出电位差非常大，故难以得到液体稳定性良好且恒定的Au-Sn的共析。因此，虽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非氰系Au‑Sn合金镀覆液，其中，所述非氰系Au‑Sn合金镀覆液含有非氰的可溶性金盐、由4价Sn构成的Sn化合物、以及硫代羧酸系化合物。

【技术特征摘要】
2016.04.12 JP 2016-0793821.一种非氰系Au-Sn合金镀覆液，其中，所述非氰系Au-Sn合金镀覆液含有非氰的可溶性金盐、由4价Sn构成的Sn化合物、以及硫代羧酸系化合物。2.根据权利要求1所述的非氰系Au-Sn合金镀覆液，其中，所述非氰系Au-Sn合金镀覆液还含有糖醇类化合物。3.根据权利要求1所述的非氰系Au-Sn合金镀覆液，其中，硫代羧酸系化合物是硫代单羧酸。4.根据权利要求2或3所述的非氰系Au-Sn合金镀覆液，其中，糖醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：林克纪，
申请(专利权)人：日本电镀工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP