双串联反激电路制造技术

技术编号:16432880 阅读:503 留言:0更新日期:2017-10-24 02:13
本发明专利技术提供了一种双串联反激电路,包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3。本发明专利技术能够有效解决MOS管耐压问题,成本低,制作使用方便。

Double series flyback circuit

The present invention provides a dual series flyback circuit includes a first RCD absorption circuit, current detection circuit, the first second RCD second absorption circuit, current detection circuit, MOS Q8, MOS Q9 and tube tube transformer, the first RCD absorption circuit in parallel in transformer windings 1/2 pin 1 and pin 2, the MOS source of Q8 is connected to the first RCD absorption circuit, gate are respectively connected with the pulse control signal OGA and a first current detection circuit, a drain connected to the first circuit detection circuit; the first current detection circuit are respectively connected with the second RCD absorption circuit and transformer winding 1/2 pin 3. The invention can effectively solve the pressure problem of the MOS pipe, and has the advantages of low cost and convenient manufacture and use.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电路,尤其是一种双串联反激电路
技术介绍
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。电池的动力电压较高,而现有技术中一般只采用一个MOS管,输入电压范围尤其上限仍然较低。
技术实现思路
为克服了现有技术的不足,本专利技术提供一种双串联反激电路,能够有效解决MOS管耐压问题,成本低,使用方便。本专利技术采用以下技术方案:一种双串联反激电路,其中,包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3,引脚3连接中点电压VHO,所述第二RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚3和引脚4上,变压器1/2绕组的引脚4连接MOS管Q9源极,MOS管Q9的栅极分别连接脉冲控制信号OGB和第二电流检测电路,漏极连接第二电流流检测电路;变压器二次绕组L2按照匝比感应一次绕组L1的电压,二次绕组L2的引脚9连接二极管D1的正极,二次绕组L2的引脚8连接电容器的负极,所述二极管的负极连接电容器的正极。优选的,所述第一RCD吸收回路包括电容C14、电阻R27和二极管D9,所述二极管D9的正极分别连接MOS管Q8的源极和变压器1/2绕组的引脚2,负极分别连接电容C14和电阻R27,所述电容C14和电阻R27并联后共同连接到变压器1/2绕组的引脚1和电压IN+端。优选的,所述第一电流检测电路包括二极管D7-D8、电阻R26、电阻R24和检流环ACT,所述二极管D7的负极输出待检测电流信号ISEN,正极分别连接电阻R26和二极管D7的负极,所述二极管D7的正极连接检流环ACT的原边线圈,电阻R26分别连接电压IN-端和检流环ACT的原边线圈;检流环ACT的副边线圈分别连接电阻R24、第二吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3。优选的,所述第二RCD吸收回路包括电容C17、电阻R30和二极管D8,所述二极管D8的正极分别连接MOS管Q9的源极和变压器1/2绕组的引脚4,负极分别连接电容C17和电阻R30,所述电容C17和电阻R30并联后共同连接到变压器1/2绕组的引脚3和第一电流检测电路。优选的,所述第二电流检测电路包括电阻R23、电阻R25、电阻RP1和电阻RP2,所述电阻R25一端连接待检测电流信号ISEN,另一端分别连接电阻RP1、电阻RP2和电阻R23,所述电阻RP1和电阻RP2并联后一端共同连接电阻R23和MOS管Q9的漏极,另一端共同连接电压IN-端,所述电阻R23连接分别连接脉冲控制信号OGB和MOS管Q9的栅极。本专利技术的有益效果如下:本专利技术包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,采用两个MOS管解决现有技术中的耐压问题,本专利技术电路结构简单,成本低,制作使用方便。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明图1是本专利技术一种双串联反激电路的电路原理图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。如图1所示,本专利技术提供一种双串联反激电路,包括第一RCD吸收回路1、第一电流检测电路2、第二RCD吸收回路3、第二电流检测电路4、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器。第一RCD吸收回路1并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路1,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路2,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路2分别连接第二RCD吸收回路3和变压器1/2绕组的引脚3,引脚3连接中点电压VHO,所述第二RCD吸收回路3并联在变压器1/2绕组的引脚3和引脚4上,变压器1/2绕组的引脚4连接MOS管Q9源极,MOS管Q9的栅极分别连接脉冲控制信号OGB和第二电流检测电路4,漏极连接第二电流流检测电路4;变压器二次绕组L2按照匝比感应一次绕组L1的电压,二次绕组L2的引脚9连接二极管D1的正极,二次绕组L2的引脚8连接电容器的负极,所述二极管的负极连接电容器的正极。第一RCD吸收回路1包括电容C14、电阻R27和二极管D9,所述二极管D9的正极分别连接MOS管Q8的源极和变压器1/2绕组的引脚2,负极分别连接电容C14和电阻R27,所述电容C14和电阻R27并联后共同连接到变压器1/2绕组的引脚1和电压IN+端。第一电流检测电路2包括二极管D7-D8、电阻R26、电阻R24和检流环ACT,所述二极管D7的负极输出待检测电流信号ISEN,正极分别连接电阻R26和二极管D7的负极,所述二极管D7的正极连接检流环ACT的原边线圈,电阻R26分别连接电压IN-端和检流环ACT的原边线圈;检流环ACT的副边线圈分别连接电阻R24、第二吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3。第二RCD吸收回路3包括电容C17、电阻R30和二极管D8,所述二极管D8的正极分别连接MOS管Q9的源极和变压器1/2绕组的引脚4,负极分别连接电容C17和电阻R30,所述电容C17和电阻R30并联后共同连接到变压器1/2绕组的引脚3和第一电流检测电路。第二电流检测电路4包括电阻R23、电阻R25、电阻RP1和电阻RP2,所述电阻R25一端连接待检测电流信号ISEN,另一端分别连接电阻RP1、电阻RP2和电阻R23,所述电阻RP1和电阻RP2并联后一端共同连接电阻R23和MOS管Q9的漏极,另一端共同连接电压IN-端,所述电阻R23连接分别连接脉冲控制信号OGB和MOS管Q9的栅极。第一RCD吸收回路1释放掉在MOS管关断时产生的尖峰高压,第一电流检测电路2和第二电流检测电路4分开进行电流检测,第一电流检测电路2采用检流环检测电流,第二电流检测电路4接IN-(GND),采用电阻检测电流。变压器二次绕组连接二极管D1,经过二极管D1进行高频整流,在电容IE1平滑电流。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
双串联反激电路

【技术保护点】
一种双串联反激电路,其特征在于:包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3,引脚3连接中点电压VHO,所述第二RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚3和引脚4上,变压器1/2绕组的引脚4连接MOS管Q9源极,MOS管Q9的栅极分别连接脉冲控制信号OGB和第二电流检测电路,漏极连接第二电流流检测电路;变压器二次绕组L2按照匝比感应一次绕组L1的电压,二次绕组L2的引脚9连接二极管D1的正极,二次绕组L2的引脚8连接电容器的负极,所述二极管的负极连接电容器的正极。

【技术特征摘要】
1.一种双串联反激电路,其特征在于:包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3,引脚3连接中点电压VHO,所述第二RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚3和引脚4上,变压器1/2绕组的引脚4连接MOS管Q9源极,MOS管Q9的栅极分别连接脉冲控制信号OGB和第二电流检测电路,漏极连接第二电流流检测电路;变压器二次绕组L2按照匝比感应一次绕组L1的电压,二次绕组L2的引脚9连接二极管D1的正极,二次绕组L2的引脚8连接电容器的负极,所述二极管的负极连接电容器的正极。2.根据权利要求1所述的双串联反激电路,其特征在于:所述第一RCD吸收回路包括电容C14、电阻R27和二极管D9,所述二极管D9的正极分别连接MOS管Q8的源极和变压器1/2绕组的引脚2,负极分别连接电容C14和电阻R27,所述电容C14和电阻R27并联后共同连接到变压器1/2绕组的引脚1和电压IN+...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈大锋
申请(专利权)人:郑州瑞能电源技术有限公司
类型:发明
国别省市:河南;41

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