一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路制造技术

本发明专利技术涉及一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路。包括：第一二极管D1的正极连接第一输入端，第一二极管D1的负极连接初级线圈；第一二极管D1的负极通过第二开关K2连接第三二极管D3的负极；第一二极管D1的负极连接第二二极管D2的正极，第二二极管D2的负极连接第三二极管D3的负极；第三二极管D3的负极通过电容C2连接第二输入端，第三二极管D3的正极连接初级线圈T11；变压器T1的初级线圈T11通过第一开关K1连接第二输入端；通过控制第一开关K1和第二开关K2的通断来调节变压器T1的次级线圈T12的输出。本电路可实现高功率因数，同时降低纹波电压；因所需电容较小，可有效减小器件体积，减少发热。

【技术实现步骤摘要】
一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路
本专利技术涉及开关电源领域，更具体地说，涉及一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路。
技术介绍
在开关电源的反激电路中，存在纹波电压高、损耗大、体积大的问题。例如，图1是现有技术中一种反激电路，该电路使用大容量的电解电容，导致体积过大；另外，变压器线圈产生的漏感主要由RCD电路损耗掉，不仅导致电路能量损耗，还引起器件发热。图2是现有技术中另一种反激电路，该电路虽然不使用电解电容，但纹波电压比较大，输出电流质量差。上述电解电容体积过大、发热等缺点不利于电子设备的小型化，同时功率因数也比较低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关K1、第二开关K2、电容C2、变压器T1，其中，所述第一二极管D1的正极连接第一输入端，所述第一二极管D1的负极连接所述变压器T1的初级线圈T11的A端；所述第一二极管D1的负极通过所述第二开关K2连接所述第三二极管D3的负极；所述第一二极管D1的负极连接所述第二二极管D2的正极，所述第二二极管D2的负极连接所述第三二极管D3的负极；所述第三二极管D3的负极通过所述电容C2连接第二输入端，所述第三二极管D3的正极连接所述变压器T1的初级线圈T11的B端；所述变压器T1的初级线圈T11的B端通过所述第一开关K1连接所述第二输入端，所述第一开关K1接地；通过控制所述第一开关K1和所述第二开关K2的通断来调节所述变压器T1的次级线圈T12的输出。进一步，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，还包括整流电路和第一电容C1，所述整流电路的输入端接入AC输入，所述第一输入端和所述第二输入端连接所述整流电路的输出端，所述第一输入端和所述第二输入端之间连接所述第一电容C1。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述第一开关K1为三极管、场效应管、可控硅、绝缘栅双极晶体管中的任意一种；所述第二开关K2为三极管、场效应管、可控硅、绝缘栅双极晶体管中的任意一种。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述电容C2为电解电容、瓷片电容、固体电容。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述电容C2包括至少一个电解电容，所述至少一个电解电容进行串联和/或并联连接；或，所述电容C2包括至少一个瓷片电容，所述至少一个瓷片电容进行串联和/或并联连接；或，所述电容C2包括至少一个固体电容，所述至少一个固体电容进行串联和/或并联连接。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，还包括：电感L1或电阻R1,所述第三二极管D3的负极通过所述电感L1或电阻R1分别连接所述第二开关K2、所述第二二极管D2的负极、以及所述第二电容C2。进一步，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，还包括与所述第一开关K1和所述第二开关K2连接的开关控制电路，所述开关控制电路通过检测输入电压的波形控制所述第一开关K1和所述第二开关K2的通断状态，调节所述变压器T1的次级线圈T12的输出。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述第一开关K1闭合，所述第二开关K2断开，则所述第三二极管D3处于反偏状态，所述变压器T1的初级线圈T11产生电流，将能量存储在所述变压器T1内。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述第一开关K1闭合，所述第二开关K2闭合，则所述第二电容C2上的电压大于输入电压，所述第一二极管D1反偏截止，所述第三二极管D3处于反偏状态；所述变压器T1的初级线圈T11产生的电流变大，所述变压器T1继续储存能量，同时，所述第二电容C2处于放电状态。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述第一开关K1断开，所述第二开关K2闭合，则所述第一二极管D1处于反偏状态，所述变压器T1的初级线圈T11内的电流保持恒定，所述第一开关K1的电压钳位在所述第二电容C2的电压值上。优选地，本专利技术所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，所述第一开关K1断开，所述第二开关K2断开，则所述第一二极管D1和所述第三二极管D3导通，所述第二二极管D2反偏截止，所述变压器T1的初级线圈T11为所述第二电容C2充电。实施本专利技术的一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，具有以下有益效果：包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关K1、第二开关K2、电容C2、变压器T1，其中，所述第一二极管D1的正极连接第一输入端，所述第一二极管D1的负极连接所述变压器T1的初级线圈T11的A端；所述第一二极管D1的负极通过所述第二开关K2连接所述第三二极管D3的负极；所述第一二极管D1的负极连接所述第二二极管D2的正极，所述第二二极管D2的负极连接所述第三二极管D3的负极；所述第三二极管D3的负极通过所述电容C2连接第二输入端，所述第三二极管D3的正极连接所述变压器T1的初级线圈T11的B端；所述变压器T1的初级线圈T11的B端通过所述第一开关K1连接所述第二输入端，所述第一开关K1接地；通过控制所述第一开关K1和所述第二开关K2的通断来调节所述变压器T1的次级线圈T12的输出。本电路可实现高功率因数，同时降低纹波电压；因所需电容较小，可有效减小器件体积，减少发热。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1是一种大容量电解电容的反激电路的结构示意图；图2是一种Hi-PH反激电路的结构示意图；图3是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的结构示意图；图4是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的结构示意图；图5是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的输出波形示意图；图6是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的第一工作状态的等效电路图；图7是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的第二工作状态的等效电路图；图8是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的第三工作状态的等效电路图；图9是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的优选实施例的第四工作状态的等效电路图。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。如图3所示，图3是本专利技术一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路的结构示意图。具体的，本专利技术构造一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关K1、第二开关K2、电容C2、变压器T1，其中，第一二极管D1的正极连接第一输入端，第一二极管D1的负极连接变压器T1的初级线圈T11的A端；第一二极管D1的负极通过第二开关K2连接第三二极管D3的负极；第一二极管D1的负极连接第二二极管D2的正极，第二二极管D2的负极连接第三二极管D3的负极；第三二极管D3的负极通过电容C2连接第二输入端，第三二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，其特征在于，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关K1、第二开关K2、电容C2、变压器T1，其中，所述第一二极管D1的正极连接第一输入端，所述第一二极管D1的负极连接所述变压器T1的初级线圈T11的A端；所述第一二极管D1的负极通过所述第二开关K2连接所述第三二极管D3的负极；所述第一二极管D1的负极连接所述第二二极管D2的正极，所述第二二极管D2的负极连接所述第三二极管D3的负极；所述第三二极管D3的负极通过所述电容C2连接第二输入端，所述第三二极管D3的正极连接所述变压器T1的初级线圈T11的B端；所述变压器T1的初级线圈T11的B端通过所述第一开关K1连接所述第二输入端，所述第一开关K1接地；通过控制所述第一开关K1和所述第二开关K2的通断来调节所述变压器T1的次级线圈T12的输出。

【技术特征摘要】
1.一种单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，其特征在于，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关K1、第二开关K2、电容C2、变压器T1，其中，所述第一二极管D1的正极连接第一输入端，所述第一二极管D1的负极连接所述变压器T1的初级线圈T11的A端；所述第一二极管D1的负极通过所述第二开关K2连接所述第三二极管D3的负极；所述第一二极管D1的负极连接所述第二二极管D2的正极，所述第二二极管D2的负极连接所述第三二极管D3的负极；所述第三二极管D3的负极通过所述电容C2连接第二输入端，所述第三二极管D3的正极连接所述变压器T1的初级线圈T11的B端；所述变压器T1的初级线圈T11的B端通过所述第一开关K1连接所述第二输入端，所述第一开关K1接地；通过控制所述第一开关K1和所述第二开关K2的通断来调节所述变压器T1的次级线圈T12的输出。2.根据权利要求1所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，其特征在于，还包括整流电路和第一电容C1，所述整流电路的输入端接入AC输入，所述第一输入端和所述第二输入端连接所述整流电路的输出端，所述第一输入端和所述第二输入端之间连接所述第一电容C1。3.根据权利要求1所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，其特征在于，所述第一开关K1为三极管、场效应管、可控硅、绝缘栅双极晶体管中的任意一种；所述第二开关K2为三极管、场效应管、可控硅、绝缘栅双极晶体管中的任意一种。4.根据权利要求1所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，其特征在于，所述电容C2为电解电容、瓷片电容、固体电容中的任意一种；所述电容C2为至少一个电容进行串联和/或并联连接。5.根据权利要求1所述的单级高PF值低输出纹波电压的反激电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志邦，
申请(专利权)人：郭志邦，
类型：发明
国别省市：广东,44