一种双管反激的单级PFC的LED电路制造技术

本发明专利技术公开了一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，所述三极管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。本发明专利技术因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。

【技术实现步骤摘要】
一种双管反激的单级PFC的LED电路
本专利技术属于LED电源
，尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路，具体应用到较高的交流输入电压，较高的PF且低THD要求的LED电源。
技术介绍
现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下，要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压，从整机的成本，以及器件的应用选型，到整机的效率，产品的功率密度等都是一个比较传统的技术，造成整机的成本高，以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用，器件易选型，器件余量足，配合现有的单级PFC电路，实现高PFC低THD的一种LED电源电路实现产品成本低，产品竞争能力强。为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处，本专利技术通过以下技术方案得以实现。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、MOS管Q3和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。优选的，所述初级侧N1上串联有电阻R23。优选的，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。本专利技术还提供了一种双管反激的单级PFC的LED电路的保护方法，该方法是是把双管反激电路与PSR的单级PFC电路结合在一起，能较好的处理较高的交流电压输入时MOS耐压问题，把本应用约1KV以上耐压的MOS，用两个常用耐压的650V或700V的MOS串联使用，可以较好的解决单颗MOS的高耐压问题，同时相对单颗高压MOS比较，两颗低压MOSRDS较小，损耗较小，提高了整机效率，具体工作过程如下：S1、PWM信号由IC1的脚输到NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2组成的图腾，放大IC的驱动电流能力，把PWM信号经电容C2输到变压器T2的初级侧N1；S2、变压器T2的初级侧N1是变压器T2的输入信号端，当初级侧N1有PWM信号时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依据同名端原理同时感应到对应相位的PWM信号；S3、当变压器T2的初级侧N1是PWM高电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上正下负的高电平信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs；MOS管Q3和MOS管Q4同时导通，变压器的电感电流将会线性增加并将能量储存于变压器中；S4、当变压器T2的初级侧N1是PWM低电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上负下正的信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs，则MOS管Q3和MOS管Q4截止变压器把能量经输出二极管DS7和二极管DS6传输到二次侧；因为漏感所形成的电压会导致2个回收二极体导通，二极管D4和二极管D10导通，把磁芯激磁复位，以免磁饱和；S5、变压器T2的PWM信号不断输出高低电平的PWM信号，就是不断重复S3和S4的功能，这样通过MOS管Q3和MOS管Q4的开与关，变压器的通与断就把能量从一次输到二次侧；S6、S5的PWM信号形成后会在变压器T1的VCC引脚T1-5Pin，输出对应的方波，经芯片IC1ZCS检测到，进入判定识别，在谷底时实现开通与关断，实现PSR的功能，形成高PFC，低THD。本专利技术提供的一种双管反激的单级PFC的LED电路，与传统的LED电路相比，本专利技术使用两个MOS(双管)串联，较好的解决因为交流输入电压高，而造成MOS耐压更高，选型难，供货难，调货难的困扰,因为可选用通用MOS，降低成本；本专利技术的电路应用在单级PFC电路里，还可解决高PF低THD的LED应用要求，达到电路简单，成本低，功率密度高；本专利技术因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。请参照图1，本专利技术采用了如下技术方案：一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、MOS管Q3和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述初级侧N1上串联有电阻R23，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。本专利技术还提供了一种双管反激的单级PFC的LED电路的保护方法，该方法是是把双管反激电路与PSR的单级PFC电路结合在一起，能较好的处理较高的交流电压输入时MOS耐压问题，把本应用约1KV以上耐压的MOS，用两个常用耐压的650V或700V的MOS串联使用，可以较好的解决单颗MOS的高耐压问题，同时相对单颗高压MOS比较，两颗低压MOSRDS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，其特征在于：所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述三极管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。...

【技术特征摘要】
1.一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，其特征在于：所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和次级侧N2和次级侧N3，所述变压器T2次级侧N2的端口1与稳压二极管Z2阴极和MOS管Q3栅极相连，所述变压器T2次级侧N2的端口2与稳压二极管Z2阳极、MOS管Q3源极、电容C8一端、电容C18一端、二极管D10阴极、变压器T1端口1相连，所述二极管D4阴极分别与MOS管Q3漏极、电容C8另一端、VCC供电电路的输出端电性连接，所述电容C18另一端与MOS管Q4漏极、所述二极管D4阳极、电容C17一端、变压器T1初级侧端口3相连，所述变压器T2次级侧N3端口5与稳压二极管Z3阴极、所述MOS管Q4栅极相连，所述变压器T2次级侧N3端口4与稳压二极管Z3阳极、所述MOS管Q4源极、二极管D10阳极、所述电容C17另一端、电阻R6一端、电阻R38一端、电阻R22一端相连，所述电阻R38另一端、所述电阻R22另一端与地相连，所述电阻R6另一端与芯片IC1CS脚相连，所述变压器T1的次级侧端口8与二极管DS7阳极、二极管DS6阳极相连，所述二极管DS7阴极与所述二极管DS6阴极相连，所述芯片IC1驱动脚通过电阻R17输出到图腾电路。2.根据权利要求1所述的一种双管反激的单级PFC的LED电路，其特征在于：所述初级侧N1端口7与电容C2一端相连，所述电容C2另一端与电阻R23一端相连，所述电阻R23另一端与图腾驱动相连，所述初级侧N1端口9与地相连。3.根据权利要求1所述的一种双管反激的单级PFC的L...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊高，王斌，廖兴高，
申请(专利权)人：深圳市莱福德光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44