一种双管反激的单级PFC的LED电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。本实用新型专利技术因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于LED电源
，尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路，具体应用到较高的交流输入电压，较高的PF且低THD要求的LED电源。
技术介绍
现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下，要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压，从整机的成本，以及器件的应用选型，到整机的效率，产品的功率密度等都是一个比较传统的技术，造成整机的成本高，以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。
技术实现思路
本技术目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用，器件易选型，器件余量足，配合现有的单级PFC电路，实现高PFC低THD的一种LED电源电路,实现产品成本低，产品竞争能力强。为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处，本技术通过以下技术方案得以实现为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述次级侧N2并联有稳压二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，其特征在于：所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所...

【技术特征摘要】
1.一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路和芯片IC1，其特征在于：所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊高，王斌，廖兴高，
申请(专利权)人：深圳市莱福德光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44