经校准的温度感测系统技术方案

技术编号:16401332 阅读:175 留言:0更新日期:2017-10-17 21:33
本文中描述了用于感测芯片上的温度的系统和方法。在一方面,温度感测系统包括具有匹配二极管器件的感测电路,该匹配二极管器件用于提供与通过二极管器件的电流成比例的对应二极管电压。该系统还包括用于基于第一和第二参考电压以及该二极管电压生成多个数字码值的数字码计算单元,以及配置用于基于该多个数字码计算经校准的温度的数字校准引擎。该系统进一步包括用于在第一和第二时间期间将该二极管电压路由到该数字码计算单元的二极管电压输入端子的切换电路。

Calibrated temperature sensing system

The system and method for sensing the temperature on a chip are described in this paper. On one hand, the temperature sensing system includes a sensing circuit with a matching diode device, which is used to provide the diode voltage corresponding to the current through the diode device. The system also includes a calculation unit based on the first and second reference voltage and the voltage of the diode to generate multiple digital code value of digital code, and based on the configuration for the digital code calculation by digital engine calibration of temperature calibration. The system further includes a switching circuit for routing the diode voltage to the diode voltage input terminal of the digital code calculation unit during the first and second time periods.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】经校准的温度感测系统背景领域本公开的诸方面一般涉及温度感测,并且尤其涉及经校准的温度感测系统。
技术介绍
多个温度传感器可以被集成在集成电路芯片上并且被用来监视芯片上各个位置处的温度。来自传感器的温度读数可以被馈送到温度管理设备,该温度管理设备基于温度读数来管理芯片上的电路(例如,中央处理单元(CPU))。例如,温度管理设备可以基于温度读数来管理诸电路以防止芯片上的一个或多个位置处的温度变得过高,温度过高可能使性能降级或潜在地损坏芯片。在该示例中,若温度读数上升超过温度阈值,则该温度管理设备可以采取措施来降低温度(例如,降低电路的频率)。概述以下给出对一个或多个实施例的简化概述以提供对此类实施例的基本理解。此概述不是所有构想到的实施例的详尽综览,并且既非旨在标识所有实施例的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个实施例的一些概念以作为稍后给出的更加具体的说明之序。在第一方面,提供了一种温度传感器。该传感器包括至少一个感测单元,该至少一个感测单元包括第一和第二匹配二极管器件,该第一和第二匹配二极管器件用于分别提供与通过该第一和第二匹配二极本文档来自技高网...
经校准的温度感测系统

【技术保护点】
一种温度传感器,包括感测电路,其包括第一匹配二极管器件和第二匹配二极管器件,所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件配置成分别提供与通过所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件的电流成比例的第一二极管电压和第二二极管电压;数字码计算单元,其包括第一二极管电压输入端子和第二二极管电压输入端子,所述数字码计算单元配置成基于第一参考电压和第二参考电压以及所述第一二极管电压输入端子和所述第二二极管电压输入端子处的电压生成多个数字码值;第一切换电路,其配置成在第一时间期间分别将所述第一二极管电压和所述第二二极管电压路由到所述第一二极管电压输入端子和所述第二二极管电压输入端子,以及在第二时间期...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 US 14/634,3711.一种温度传感器,包括感测电路,其包括第一匹配二极管器件和第二匹配二极管器件,所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件配置成分别提供与通过所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件的电流成比例的第一二极管电压和第二二极管电压;数字码计算单元,其包括第一二极管电压输入端子和第二二极管电压输入端子,所述数字码计算单元配置成基于第一参考电压和第二参考电压以及所述第一二极管电压输入端子和所述第二二极管电压输入端子处的电压生成多个数字码值;第一切换电路,其配置成在第一时间期间分别将所述第一二极管电压和所述第二二极管电压路由到所述第一二极管电压输入端子和所述第二二极管电压输入端子,以及在第二时间期间分别将所述第一二极管电压和所述第二二极管电压路由到所述第二二极管输入电压端子和所述第一二极管输入电压端子;以及数字校准引擎,其配置成基于所述多个数字码值计算经校准的温度。2.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述感测电路进一步包括分别与所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件相关联的第一输入端子和第二输入端子,并且所述传感器进一步包括:第二切换元件,其配置成在所述第一时间期间分别将第一偏置电流和第二偏置电流路由到所述第一输入端子和所述第二输入端子,以及在所述第二时间期间分别将所述第一偏置电流和所述第二偏置电流路由到所述第二输入端子和所述第一输入端子。3.如权利要求2所述的传感器,其特征在于,进一步包括配置成提供所述第一偏置电流和所述第二偏置电流的电流生成电路。4.如权利要求3所述的传感器,其特征在于,所述电流生成电路配置成使得所述第二偏置电流为所述第一偏置电流的倍数。5.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件分别包括匹配的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管,以及其中所述第一二极管电压和所述第二二极管电压各自分别包括所述匹配的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管中的每一者的基极-发射极电压。6.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一切换电路包括动态元件匹配电路。7.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,进一步包括配置成生成所述第一参考电压和所述第二参考电压的分压器电路。8.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述多个数字码包括表示与在所述第一时间期间的所述第一二极管电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第一数字码,表示与在所述第二时间期间的所述第一二极管电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第二数字码,表示与所述第一参考电压和所述第二参考电压之间的差成比例的值的第三数字码,以及表示与所述第一参考电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第四数字码。9.一种用于感测温度的方法,包括:在第一时间期间根据第一输入配置以及在第二时间期间根据第二输入配置向感测电路的第一匹配二极管器件和第二匹配二极管器件提供第一偏置电流和第二偏置电流;在第一时间期间根据第一输出配置以及在第二时间期间根据第二输出配置获得去往所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件的第一二极管电压和第二二极管电压;基于所述第一时间和所述第二时间期间的所述第一二极管电压和所述第二二极管电压以及基于第一参考电压和第二参考电压生成多个数字码;以及基于所述多个数字码计算经校准的温度。10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述感测电路包括分别对应于所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件的第一输入端子和第二输入端子,其中所述第一输入配置包括分别将所述第一偏置电流和所述第二偏置电流路由到所述第一输入端子和所述第二输入端子,其中所述第二输入配置包括分别将所述第一偏置电流和所述第二偏置电流路由到所述第二输入端子和所述第一输入端子。11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述感测电路包括分别对应于所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件的第一输出端子和第二输出端子,其中所述第一输出配置包括分别将所述第一二极管电压和所述第二二极管电压路由到所述第一输出端子和所述第二输出端子,以及其中所述第二输出配置包括分别将所述第一二极管电压和所述第二二极管电压路由到所述第二输出端子和所述第一输出端子。12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,生成所述多个数字码包括计算表示与所述第一时间期间的所述第一二极管电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第一数字码,表示与所述第二时间期间的所述第一二极管电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第二数字码,表示与所述第一参考电压和所述第二参考电压之间的差成比例的值的第三数字码,以及表示与所述第一参考电压和所述第二二极管电压之间的差成比例的值的第四数字码。13.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一匹配二极管器件和所述第二匹配二极管器件分别包括匹配的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管,以及其中所述第一二极管电压和所述第二二极管电压各自分别包括所述匹配的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管中的每一者的基极-发射极电压。14.如权利要求9所述的方法,其特征在于,提供所述第一偏置电流和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁利M·罗汉姆L·戴A·莫鲁瓦
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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