片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器技术

本发明专利技术提供了一种片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器，涉及电子元器件领域。首先在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层；再在陶瓷基板的正面压合温度敏感箔材层；然后对温度敏感箔材层进行刻蚀，以使温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样；接着在图形化电阻图样的电极区域形成第二金属电极层，在图形化电阻图样的电阻图样功能区域布置串并联的电阻线条；最后由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层；由内到外在陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层。该片式热敏电阻器的电阻温度系数可达到5500～6500ppm/K左右；电阻温度系数容差在±200ppm/K左右，线性度好。

Manufacturing method of chip thermistor and chip thermistor

The invention provides a method for manufacturing a chip thermistor and a chip thermistor, which relates to the field of electronic components. The first set in a ceramic substrate on the back of the pre region forming a first metal electrode layer; and a temperature sensitive foil layer in positive pressure ceramic substrate; and etching the temperature sensitive foil layer, so that the surface temperature sensitive foil layer forming graphic resistance pattern; then the electrode region resistance pattern in figure the formation of the second metal electrode layer, the resistance pattern of function area layout of resistance pattern in the pattern string resistance lines in parallel; finally, from the inside to the outside temperature sensitive foil layer outer package protective layer and the encapsulation layer; sequentially forming a side electrode layer, a barrier layer and a welding layer from the inside to the ends of the external ceramic substrate. The resistance temperature coefficient of the chip thermistor can reach about 5500 ~ 6500ppm/K; the resistance temperature coefficient tolerance is about 200ppm/K, and the linearity is good.

【技术实现步骤摘要】
片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器
本专利技术涉及电子元器件领域，具体而言，涉及一种片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器。
技术介绍
热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器(PTC)在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器(NTC)在温度越高时电阻值越低，它们同属于敏感性元件。目前市场上的线性正温度系数热敏电阻器多采用两种工艺，其中一种采用印刷的方式将特种电阻浆料印刷在基板上形成热敏电阻的厚膜工艺，另外一种采用溅射的方式将具有敏感性质的金属溅射在基板上形成热名电阻的薄膜工艺。目前采用这两种方式制作的热敏电阻的电阻温度系数多在3000～4000ppm/K左右，电阻温度系数低，电阻温度系数容差在±500ppm/K左右，容差大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器，其旨在改善上述的问题。本专利技术提供一种技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种片式热敏电阻器制造方法，所述片式热敏电阻器制造方法包括：在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层；在所述陶瓷基板的正面压合温度敏感箔材层；对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样；在所述图形化电阻图样的电极区域形成第二金属电极层，在所述图形化电阻图样的电阻图样功能区域布置串并联的电阻线条；由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层；由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层。进一步地，在所述由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层的步骤之前，所述片式热敏电阻器制造方法还包括：对当前电阻的阻值进行调阻。进一步地，对当前电阻的阻值进行调阻的方法包括：在所述电阻图样功能区域设置有多个电阻调整点；利用一检测终端识别电阻的当前阻值，并依据电阻的当前阻值以及预设的目标阻值确定需要调整的电阻调整点；调节所述电阻调整点以使检测终端识别的当前阻值达到目标阻值。进一步地，所述温度敏感箔材层的表面形成有多个排成一列的图形化电阻图样，在所述由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层的步骤之前，所述方法还包括：对所述陶瓷基板进行折粒。进一步地，所述温度敏感箔材层的表面形成有多个阵列式排列的图形化电阻图样，在所述由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层的步骤之前，所述方法还包括：对所述陶瓷基板进行裂条；在每个裂条后的条状的陶瓷基板的两端形成侧电极层；对裂条后的且形成有所述侧电极层的陶瓷基板进行折粒；在每个折粒后的陶瓷基板上的侧电极层外形成阻挡层；在每个所述阻挡层外形成焊接层。进一步地，所述在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层的步骤包括：通过溅射或蒸镀或丝网印刷的方式在所述陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层。进一步地，所述对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样的步骤包括：通过干法刻蚀或化学刻蚀或电化学刻蚀的方式对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种片式热敏电阻器，所述片式热敏电阻器包括陶瓷基板、保护层、包封层、侧电极层、阻挡层以及焊接层，所述陶瓷基板的背面的预设定的区域均形成有第一金属电极层，所述陶瓷基板的正面压合有温度敏感箔材层，所述温度敏感箔材层的两侧形成有第二金属电极层，在所述温度敏感箔材层的电阻图样功能区域布置有串并联的电阻线条；所述温度敏感箔材层外封装有保护层，所述保护层外封装有包封层；所述陶瓷基板的两端形成有侧电极层，每个所述侧电极层外形成有阻挡层，所述阻挡层外形成有焊接层，且整个所述片式热敏电阻器的厚度在预设定的阈值范围内。进一步地，每个所述侧电极层均为银涂层，每个所述阻挡层均为镍涂层，每个所述焊接层为锡铅涂层。进一步地，整个所述片式热敏电阻器的厚度小于1mm。本专利技术提供的片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器的有益效果是：首先在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层；再在所述陶瓷基板的正面压合温度敏感箔材层；然后对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样；接着在所述图形化电阻图样的电极区域形成第二金属电极层，在所述图形化电阻图样的电阻图样功能区域布置串并联的电阻线条；最后由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层；由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层。片式热敏电阻器的制造方法形成的片式热敏电阻器电阻温度系数可达到5500～6500ppm/K左右；电阻温度系数容差在±200ppm/K左右，线性度好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的片式热敏电阻器的制造方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的片式热敏电阻器在折粒后的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的片式热敏电阻器安装完毕后的横截面示意图。图标：101-陶瓷基板；102-第一金属电极层；103-温度敏感箔材层；104-第二金属电极层；105-电阻线条；106-保护层；107-包封层；108-侧电极层；109-阻挡层；110-焊接层。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，所述片式热敏电阻器制造方法包括：在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层；在所述陶瓷基板的正面压合温度敏感箔材层；对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样；在所述图形化电阻图样的电极区域形成第二金属电极层，在所述图形化电阻图样的电阻图样功能区域布置串并联的电阻线条；由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层；由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层。

【技术特征摘要】
1.一种片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，所述片式热敏电阻器制造方法包括：在一陶瓷基板背面的预设定的区域形成第一金属电极层；在所述陶瓷基板的正面压合温度敏感箔材层；对所述温度敏感箔材层进行刻蚀，以使所述温度敏感箔材层的表面形成图形化电阻图样；在所述图形化电阻图样的电极区域形成第二金属电极层，在所述图形化电阻图样的电阻图样功能区域布置串并联的电阻线条；由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层；由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层。2.根据权利要求1所述的片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，在所述由内到外在温度敏感箔材层外依次封装保护层与包封层的步骤之前，所述片式热敏电阻器制造方法还包括：对当前电阻的阻值进行调阻。3.根据权利要求2所述的片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，对当前电阻的阻值进行调阻的步骤包括：在所述电阻图样功能区域设置有多个电阻调整点；利用一检测终端识别电阻的当前阻值，并依据电阻的当前阻值以及预设的目标阻值确定需要调整的电阻调整点；调节所述电阻调整点以使检测终端识别的当前阻值达到目标阻值。4.根据权利要求1所述的片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，所述温度敏感箔材层的表面形成有多个排成一列的图形化电阻图样，在所述由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层的步骤之前，所述方法还包括：对所述陶瓷基板进行折粒。5.根据权利要求1所述的片式热敏电阻器制造方法，其特征在于，所述温度敏感箔材层的表面形成有多个阵列式排列的图形化电阻图样，在所述由内到外在所述陶瓷基板的两端依次形成侧电极层、阻挡层以及焊接层的步骤之前，所述方法还包括：对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：史书刚，韩玉成，陈天磊，黄伟训，徐敏，董秀琴，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52