【技术实现步骤摘要】
银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法
本专利技术属于厚膜电阻浆料制备方法
，具体涉及一种银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法。
技术介绍
厚膜电阻浆料是集材料、化工、冶金以及电子技术于一体的电子功能材料，已经广泛地应用到混合集成电路、表面组装技术、电阻网络以及各种分立电子元器件等诸多方面。其中，钌系厚膜电阻浆料因为其电气性能出色、工艺重复性高、稳定性好、阻值范围宽等优点，在厚膜混合集成电路制造中占有非常重要的地位。厚膜电阻浆料由四部分构成，分别是：导电相(一般由贵金属粉末、贵金属氧化物粉末以及其它金属或金属氧化物粉末组成)、无机粘结相(一般由玻璃粉末以及其它导电性较差的金属氧化物或非金属氧化物组成)、有机载体(一般由增加浆料粘性的增稠剂、改变浆料触变性的触变剂以及溶解增稠剂和触变剂的有机溶剂组成)，以及改性剂。将这四部分按照一定的比例混合，即可得到满足特定条件的电阻浆料，如：室温阻值较低、电阻温度系数(TCR)较大的正温度系数(PTC)热敏电阻浆料；室温阻值较高、TCR接近零的恒阻浆料以及室温阻值较高、TCR为负值的负温度系数(NTC)热敏电阻浆料等。其...
【技术保护点】
银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、利用RuO2和银包铜粉体制备出导电相粉末；步骤2、利用ZnO、B2O3、SiO2、PbO以及Bi2O3制备出改性ZnBSi玻璃相粉末；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机载体相；步骤4、将经步骤1得到的导电相粉末、经步骤2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步骤3得到的有机载体相混合均匀，得到银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料。
【技术特征摘要】
1.银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、利用RuO2和银包铜粉体制备出导电相粉末；步骤2、利用ZnO、B2O3、SiO2、PbO以及Bi2O3制备出改性ZnBSi玻璃相粉末；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机载体相；步骤4、将经步骤1得到的导电相粉末、经步骤2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步骤3得到的有机载体相混合均匀，得到银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料。2.根据权利要求1所述的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，其特征在于，所述步骤1具体按照以下步骤实施：步骤1.1、按质量比为4～8：1～7分别称取RuO2、银包铜粉体；步骤1.2、将步骤1.1中称取的RuO2和银包铜粉体混合在一起，形成混合物料A；步骤1.3、将经步骤1.2得到的混合物料A添加到球磨罐中，并向球磨罐中加入去离子水和磨球，经球磨处理后，得到混合物料B；步骤1.4、经步骤1.3后，从球磨罐中取出混合物料B，将混合物料B烘干后粉碎，得到混合物料C；步骤1.5、将经步骤1.4得到的混合物料C装入坩埚内，将该坩埚升温至800℃～1000℃并保温5h～8h，待自然冷却至室温后，得到导电相粉末。3.根据权利要求2所述的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，其特征在于，所述步骤1.3中：在球磨处理过程中：球磨介质-去离子水的用量为每克的待球磨粉料要加入0.6ml～1.2ml的去离子水；磨球采用的是直径3mm～5mm的氧化锆球，且球料质量比为(1.5～3)：1；转速400rpm～500rpm；球磨时间为4h～6h；在所述步骤1.4中：烘干的温度控制为50℃～70℃。4.根据权利要求1所述的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，其特征在于，所述步骤2具体按照以下步骤实施：步骤2.1、按质量百分比分别称取如下物料：ZnO40％～49％，B2O321％～34％，SiO215％～25％，PbO5％～10％，Bi2O30～5％，以上组分含量总和为100％；步骤2.2、将步骤2.1中称取的ZnO、B2O3、SiO2、PbO以及Bi2O3混合在一起，形成混合物A；步骤2.3、将经步骤2.2得到的混合物A添加到球磨罐中，并向球磨罐中加入去离子水和磨球，经球磨处理后，得到混合物B；步骤2.4、经步骤2.3后，从球磨罐中取出混合物B，将混合物B烘干后粉碎，得到混合物C；步骤2.5、将经步骤2.4得到的混合物C装入坩埚内，将该坩埚升温至1100℃～1500℃并保温30min～60min，淬火后将得到物质添...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智敏，孙鹏，宁涛，张茂林，闫养希，李培咸，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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