The invention provides a high precision load detection circuit and power management chip, including ADC chip error amplifier is arranged in the internal power management chip and for load changes and detection of a common error amplifier; input and output and the ADC processing chip of the error amplifier is connected with the output; the ADC chip in the error amplifier value for processing, and direct load change corresponding output power management chip; the ADC chip to another input input input voltage and the output voltage of the product value of absolute difference and correlation coefficient corresponding to the power supply system; the ADC processing system and the corresponding output chip power supply system in the end, the application circuit of simple structure design, improve the need for additional PCB plate area of the traditional detection method in load, It saves the resources and has high detection accuracy.
【技术实现步骤摘要】
一种高精确度负载检测电路及电源管理芯片[
]本专利技术涉及负载检测电路
,尤其涉及一种检测精确度高、灵敏度好且制作成本低的高精确度负载检测电路及电源管理芯片。[
技术介绍
]近些年来,随着人们生活水平的不断提高,诸多不同种类的充电设备也陆续出现,然而,在很多应用中,特别是手机充电设备,不仅需要检测有无负载,还需要检测负载的大小。由于实际检测过程中,一般负载检测都是在外部进行的,这样的情况下,就需要额外增加PCB板面积,带来成本和资源的双重负担,而且,使用效果不一定比较好。针对上述问题,怎么才能通过具体设计,使得实际的产品不需要额外增加管脚和外面电路,或者可以从芯片本身入手进行改进,是本领域技术人员经常考虑的问题,也进行了大量的研发和实验,经过具体的改进和改善设计,也取得了较好的成绩。[
技术实现思路
]为克服现有技术所存在的问题,本专利技术提供一种检测精确度高、灵敏度好且制作成本低的高精确度负载检测电路及电源管理芯片。本专利技术解决技术问题的方案是提供一种高精确度负载检测电路,包括设置于电源管理芯片内部的误差放大器以及用于与误差放大器共同检测外接负载改变情况的A ...
【技术保护点】
一种高精确度负载检测电路,其特征在于:包括设置于电源管理芯片内部的误差放大器以及用于与误差放大器共同检测外接负载改变情况的ADC处理芯片;该所述误差放大器的输出端与ADC处理芯片的一输入端相连;且所述ADC处理芯片对误差放大器的输出值进行处理,并直接输出对应电源管理芯片的负载变化状况;所述ADC处理芯片另一输入端输入对应电源系统中输入电压和输出电压之绝对差与相关系数的乘积数值;所述ADC处理芯片与对应电源系统的系统输出端相连。
【技术特征摘要】
1.一种高精确度负载检测电路,其特征在于:包括设置于电源管理芯片内部的误差放大器以及用于与误差放大器共同检测外接负载改变情况的ADC处理芯片;该所述误差放大器的输出端与ADC处理芯片的一输入端相连;且所述ADC处理芯片对误差放大器的输出值进行处理,并直接输出对应电源管理芯片的负载变化状况;所述ADC处理芯片另一输入端输入对应电源系统中输入电压和输出电压之绝对差与相关系数的乘积数值;所述ADC处理芯片与对应电源系统的系统输出端相连。2.一种电源管理芯片,其特征在于:包括如权利要求1所述的高精确度负载检测电路以及电压比较器、驱动器、N沟道mos管和P沟道mos管;所述EA放大器的正向输入端与基准电压Vref相连接,其输出端与电压比较器的其中一输入端相连接;所述电压比较器的输出端与驱动器的输入端相连;所述ADC处理芯片与EA放大器的输出端相连;所述P沟道mos管以及N沟道mos管的栅极与驱动器的输出端相...
【专利技术属性】
技术研发人员:王莉,
申请(专利权)人:深圳市英特源电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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