【技术实现步骤摘要】
一种多阈值低电压检测电路
本专利技术涉及电子电路领域,尤其是一种多阈值低电压检测电路。
技术介绍
集成电路是指采用现代半导体加工技术加工而成的、内部集成了数量较大的晶体管、电阻电容等半导体器件、能完成特定功能且应用在现代电子系统中的一种微型部件。每一颗集成电路都需要有一个外部电压供电装置,并且该装置必须维持在一定的电压范围内(即每一颗集成电路都有一个稳定工作的电源电压范围)才能够正常工作,若超出了集成电路的正常工作电压范围就可能造成工作紊乱。常用的外部电压供电装置包括化学干电池、锂电池等,这些电池在给一颗集成电路供电时需要一定的时间,即集成电路的电源电压从零上升到该电路的电源电压规范值需要有一个过程。另一方面,以上电池在使用一段时间后其电压会慢慢降低,因此集成电路在使用过程中其电源电压是经常变化的,必须确保这种变化的范围保持在该电路的电源电压规范范围内,否则将造成电路内部信号出现不确定或者与预期结果相违背的情况,从而使得电路出现误操作等。为了避免电路出现不正常的工作状态,通常会使用低电压检测电路对电源电压进行实时监测,当电源电压低于低电压检测有效值LVDA时,执行 ...
【技术保护点】
一种多阈值低电压检测电路,其特征在于,所述电路包括:信号输入端、m个控制信号端、信号输出端、分压模块、带隙基准模块、电阻控制模块、比较模块和触发器,所述电阻控制模块包括m个输入端和2
【技术特征摘要】
1.一种多阈值低电压检测电路,其特征在于,所述电路包括:信号输入端、m个控制信号端、信号输出端、分压模块、带隙基准模块、电阻控制模块、比较模块和触发器,所述电阻控制模块包括m个输入端和2m个输出端,m为正整数;所述分压模块的输入端连接所述信号输入端,所述分压模块的输出端连接所述比较模块的第一电压输入端,所述带隙基准模块的输出端连接所述比较模块的第二电压输入端,所述比较模块的输出端连接所述触发器的输入端,所述触发器的输出端连接所述信号输出端;所述分压模块中包括依次串联的第一可变电阻、第一电阻和第二电阻,该串联电路的一端连接所述分压模块的输入端、另一端接地,所述第一电阻和所述第二电阻的公共端连接所述分压模块的输出端,所述第一可变电阻的控制端连接所述电阻控制模块的输出端,所述电阻控制模块的每个输入端分别连接一个控制信号端;所述信号输入端用于连接待检测的电源电压,所述信号输出端用于输出低电压检测信号,所述m个控制信号端用于接收至少两个不同的控制信号组,所述多阈值低电压检测电路在接收到不同的控制信号组时,通过所述信号输出端输出与所述控制信号组对应的低电压检测信号。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一可变电阻包括N个依次串联的分压电阻,每个所述分压电阻分别与一个传输门并联,每个所述传输门的控制端分别连接所述电阻控制模块的一个输出端,1≤N≤2m且N为整数。3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述比较模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连并连接所述第一NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极分别接地,所述第一NMOS管的漏极还连接所述第一PMOS管的源极,所述第一PMOS管的栅极连接所述比较模块的第一电压输入端,所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的栅极连接所述比较模块的第二电压输入端,所述第二NMOS管和所述第二PMOS管的公共端连接所述比较模块的输出端;所述第一PMOS管的漏极通过第三电阻和第四电阻连接所述信号输入端,所述第二PMOS管的漏极通过第五电阻和第六电阻连接所述信号输入端,所述第三电阻和所述第五电阻的阻值相同,所述第四电阻与所述第六电阻的阻值相同,所述第四电阻与一个传输门并联,所述传输门还与所述第六电阻并联,所述传输门的控制端连接所述电阻控制模块的输出端。4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述电路包括2个控制信号端,所述第一可变电阻包括3个依次串联的分压电阻;则所述电...
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