The invention provides a super junction DMOS device through the second conductivity type doped column lateral super junction structure as dielectric layer structure to avalanche breakdown point fixed super junction DMOS devices, while reducing the super junction doping structure of second conductivity type doped area at the top of the column, the second conductive type semiconductor electric field near the body region reduce. Base resistance makes the final avalanche breakdown current path avoiding parasitic BJT, avalanche breakdown occurred in the super junction DMOS device, effectively avoid turn on the parasitic transistor, thereby improving the reliability of super junction DMOS load device used in the non clamping inductance (anti UIS failure).
【技术实现步骤摘要】
一种超结DMOS器件
本专利技术属于半导体功率器件
,涉及一种超结DMOS器件。
技术介绍
功率DMOS因其开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好等优点,在功率变换特别是在高频功率变换中起着重要作用。不断提高的系统性能要求功率DMOS具有更低功率损耗的同时,在高电应力下也具有更高的可靠性。当系统回路中存在非箝位电感负载时,导通状态下存储在电感中的能量会在关断时全部由DMOS释放,高电压和大电流将同时施加在功率DMOS上,极易造成器件失效。因此,抗UIS(UnclampedInductiveSwitching,非箝位电感开关过程)失效能力通常被认为是反应功率DMOS可靠性的重要指标。研究发现,功率DMOS中寄生BJT(BipolarJunctionTransistor,双极型晶体管)的激活是引起器件UIS失效的重要原因之一。寄生BJT的开启会不断放大器件内的雪崩击穿电流,进而使结温增加,最终导致器件热烧毁。因此,抑制寄生BJT的激活是提高功率DMOS可靠性的重要措施。文献KoconC,ZengJandStokesR.ImplantSpacerOptimizationfortheImprovementofPowerDMOSs'UnclampedInductiveSwitching(UIS)andHighTemperatureBreakdown,Proceedingsofthe12thInternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevices&IC's,FranceMay22-25,2000p ...
【技术保护点】
一种超结DMOS器件,包括金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第一导电类型掺杂柱区(3)、第二导电类型半导体掺杂柱区(4)、多晶硅栅电极(10)、栅介质层(11)、金属化源极(12);金属化漏电极(1)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)下表面;第一导电类型掺杂柱区(3)和第二导电类型半导体掺杂柱区(4)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)上表面;第一导电类型掺杂柱区(3)正上方具有一个低掺杂的第一导电类型掺杂区(6);第二导电类型半导体掺杂柱区(4)位于第一导电类型掺杂柱区(3)两侧,并与第一导电类型掺杂柱区(3)形成超结结构;第二导电类型半导体掺杂柱区(4)顶部具有第二导电类型半导体体区(7),第二导电类型半导体体区(7)分别与第二导电类型半导体掺杂柱区(4)和低掺杂的第一导电类型掺杂区(6)相接触;第二导电类型半导体体区(7)上层具有相互独立的第一导电类型半导体掺杂源区(8)和第二导电类型半导体掺杂接触区(9),其中第一导电类型半导体掺杂源区(8)位于靠近低掺杂的第一导电类型掺杂区(6)的一侧;所述多晶硅栅电极(10)位于第二导电类型半导体体区(7)和低掺杂的第 ...
【技术特征摘要】
1.一种超结DMOS器件,包括金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第一导电类型掺杂柱区(3)、第二导电类型半导体掺杂柱区(4)、多晶硅栅电极(10)、栅介质层(11)、金属化源极(12);金属化漏电极(1)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)下表面;第一导电类型掺杂柱区(3)和第二导电类型半导体掺杂柱区(4)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(2)上表面;第一导电类型掺杂柱区(3)正上方具有一个低掺杂的第一导电类型掺杂区(6);第二导电类型半导体掺杂柱区(4)位于第一导电类型掺杂柱区(3)两侧,并与第一导电类型掺杂柱区(3)形成超结结构;第二导电类型半导体掺杂柱区(4)顶部具有第二导电类型半导体体区(7),第二导电类型半导体体区(7)分别与第二导电类型半导体掺杂柱区(4)和低掺杂的第一导电类型掺杂区(6)相接触;第二导电类型半导体体区(7)上层具有相互独立的第一导电类型半导体掺杂源区(8)和第二导电类型半导体掺杂接触区(9),其中第一导电类型半导体掺杂源区(8)位于靠近低掺杂的第一导电类型掺杂区(6)的一侧;所述多晶硅栅电极(10)位于第二导电类型半导体体区(7)和低掺杂的第一导电类型掺杂区(6)上表面,并与第二导电类型半导体体区(7)和低掺杂的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:任敏,罗蕾,李佳驹,谢驰,林育赐,李泽宏,张波,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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