一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法，所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6‑x‑yTey，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.75且x，y不同时为0。本发明专利技术提供的半导体材料其热导率很低，可在0.25到0.65Wm

N type high performance sulfur germanium silver germanium thermoelectric material and preparation method thereof

The present invention relates to a N type high performance argyrodite thermoelectric material and preparation method thereof, wherein the chemical argyrodite thermoelectric materials composed of Ag9GaSe6 x yTey, and 0 = x = 0.03, 0 = y = 0.75 and X, y is not the same as 0. The semiconductor material provided by the invention has low thermal conductivity and can be in the range of 0.25 to 0.65Wm

【技术实现步骤摘要】
一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法
本专利技术涉及一种高性能的N型硫银锗矿热电材料及其制备方法，属于热电材料领域。
技术介绍
随着世界经济发展，人类对于能源的需求量与日俱增，现有的能源储量已不足以支撑人类长期发展的需要，因此大量的研究开始关注于新能源的开发以及能源利用效率的提高。在这种大背景下，由于热电材料能够实现电能和热能之间的相互转换，近几十年来吸引了研究者的广泛关注。热电材料的使用基于两个效应：Seebeck效应和Peltier效应。Seebeck效应是指若导体的两端存在温差，导体中将产生电压，即通常所说的温差电现象，是热电材料能够发电的理论基础。Peltier效应是指在给予不同导体构成的回路通电的条件下，结点处会产生温差，即电生温差现象，这成为热电材料制冷的理论基础。热电材料的能量转换效率取决于环境温差和材料本身的无量纲优值ZT，ZT值越大其能量转换效率越高。ZT值可以由以下公式表示：ZT＝S2σT/(κe+κL)，其中S为塞贝克系数，σ为电导率，κe为载流子热导率，κL为晶格热导率，T为绝对温度。目前商用的主要热电材料是碲化铋基半导体，其ZT值约为1.0，能量转换效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫银锗矿热电材料，其特征在于，所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6‑x‑yTey，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.75且x，y不同时为0。

【技术特征摘要】
1.一种硫银锗矿热电材料，其特征在于，所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6-x-yTey，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.75且x，y不同时为0。2.根据权利要求1所述的硫银锗矿热电材料，其特征在于，0.01≤x≤0.02，0.45≤y≤0.6。3.根据权利要求1或2所述的硫银锗矿热电材料，其特征在于，所述硫银锗矿热电材料的热导率为0.25～0.65Wm-1K-1，优选为0.35～0.55Wm-1K-1。4.根据权利要求1-3中任一项所述的硫银锗矿热电材料，其特征在于，所述硫银锗矿热电材料的ZT值在800K时为1.1～1.6，优选为1.3～1.6。5.根据权利要求1-4中任一项所述的硫银锗矿热电材料，其特征在于，所述硫银锗矿热电材料的电导率在10000～60000Sm-1之间。6.一种如权利要求1-5中任一项所述的硫银锗矿热电材料制备方法，其特征在于，包括：按化学组成称取Ag单质、Ga单质、Se...

【专利技术属性】
技术研发人员：史迅，陈立东，江彬彬，仇鹏飞，陈弘毅，张骐昊，任都迪，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31