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本发明涉及一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法，所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag9GaSe6‑x‑yTey，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.75且x，y不同时为0。本发明提供的半导体材料其热导率很低，可在0.25到0.65Wm...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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