一种射频同轴连接器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频同轴连接器。本实用新型专利技术的目的在于提供一种改进的射频同轴连接器。本实用新型专利技术包括本体，本体包括第一插座和第二插座以及连接两者的转接器，通过转接器将第一插座和第二插座进行信号连接，具有结构简单、结实耐用、连接方便、信号传递好的特点。本实用新型专利技术主要用于电路板射频连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Radio frequency coaxial connector

The utility model discloses an RF coaxial connector. The purpose of the utility model is to provide an improved radio frequency coaxial connector. The utility model comprises a body, the body comprises a first and a second socket socket and adapter that connects the two, by the first and second outlet socket adapter for signal connection, has the advantages of simple structure, strong and durable, convenient connection, good signal transmission characteristics. The utility model is mainly used for the radio frequency connection of the circuit board.

【技术实现步骤摘要】

：本技术公开了一种射频同轴连接器，属于电路板射频同轴连接器领域。
技术介绍
：射频同轴连接器用于电路板对电路板或电路板对射频模块或射频模块对射频模块时射频同轴连接器需有一定的径向和轴向容差以补偿制造的公差。在现有技术中已知有射频同轴连接器可以实现电路板对电路板连接。问题是所述连接器通常只是允许不足的径向和轴向容差或者在界面产生间隙时产生高阻抗降低了射频电气性能。现有电路板对电路板或电路板对射频模块或射频模块对射频模块连接器内导都没有插入导向，容易损坏连接器内导体。现有现有电路板对电路板或电路板对射频模块或射频模块对射频模块连接器的中间的转接器都可任意地与两端的插座插合，造成两端都有不匹配区域不利于阻抗匹配从而降低了射频电气性能(加大了电压驻波比)。
技术实现思路
：本技术要解决的技术问题是提供一种允许较大轴向偏移量，而又具有良好射频电气性的射频同轴连接器。要解决在插合时转接器内导体插坏的问题。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一种射频同轴连接器，包括本体，本体包括第一插座和第二插座以及连接两者的转接器；第一插座包括第一外导体、第一中心导体以及设在两者之间的第一绝缘体；转接器包括第二外导体、第二中心导体以及设在两者之间的第二绝缘体；第二插座包括第三外导体、第三中心导体以及设在两者之间的第三绝缘体，其特征是：a.所述第一插座的第一外导体接触面为内部圆柱面，第一中心导体接触面为外部圆柱面，第二中心导体末端为带弹性的外部形状为T形，内部孔口呈碗口状；b.所述转接器的第二外导体的上端与下端的端部均为具有弹性且设有径向带凸点的卡块；所述第二插座的第三外导体接触面为内部圆柱面且底部带有径向槽，第三中心导体接触面为内部圆柱面；转接器的上端插设在第一插座内，转接器的上端的第二外导体的上端与第一插座上的第一外导体连接、第二中心导体的上端与第一插座上的第一中心导体连接；转接器的下端插设在第二插座内，转接器的下端的第二外导体的下端与第二插座上的第三外导体连接、第二中心导体的下端与第二插座上的第三中心导体连接。本技术的效果：由于在转接器的内部设有T形的内导体，从而在转接器与插座的接合区域内形成不同阻抗区域：当被连接的器件间距有很大的轴向公差时在连接器的连接区域处会出现较大的空气间隙，从而形成高阻抗区域；而转接器的端面区域形成低阻抗区域，插座肩部的设计也形成一个低阻抗区域，其它区域为标准阻抗区域，这样高阻抗区域与低阻抗区域可以形成阻抗互补，从而降低高阻抗区域对连接器性能的不良影响，提高了产品的射频电气性能。因此，本技术的射频同轴连接器与现有技术相比可以允许更大的轴向偏移量(±1mm)，减少连接界面处由空气间隙引起的阻抗不匹配的量，在频率0到6Ghz内具有良好的射频电气性能。转接器内导体如碗口将保护内导体不被插坏。插座4只与转接器3的下端配合保证了A区域的阻抗匹配性以达到优异的射频电气性能。附图说明结合附图对本技术作详细说明。图1是本技术的连接器在组装状态下的正视剖面图。图2是本技术的连接器的转接器的正视剖视图。图3是本技术的连接器的转接器的中心导体上端剖视图。图4是阻抗区域示意图。图5是本技术电压驻波比曲线图。图中A为标准阻抗区域，V为低阻抗区域，S为低阻抗区域，R为连接后形成的间隙，为高阻抗区域，本体1、第一插座2、转接器3、第二插座4、第一外导体21、第一绝缘体22、第一中心导体23、第二外导体31、第二绝缘体32、第二中心导体33、第三外导体41、第三绝缘体42、第三中心导体43具体实施方式参见附图1至附图4，本技术包括本体1，本体1包括第一插座2和第二插座4以及连接两者的转接器3；第一插座2包括第一外导体21、第一中心导体23以及设在两者之间的第一绝缘体22；转接器3包括第二外导体31、第二中心导体33以及设在两者之间的第二绝缘体32；第二插座4包括第三外导体41、第三中心导体43以及设在两者之间的第三绝缘体42，其特征是：a.所述第一插座2的第一外导体21接触面为内部圆柱面，第一中心导体23接触面为外部圆柱面，第二中心导体33末端为带弹性的外部形状为T形，内部孔口呈碗口状；b.所述转接器3的第二外导体31的上端与下端的端部均为具有弹性且设有径向带凸点的卡块；c.所述第二插座4的第三外导体41接触面为内部圆柱面且底部带有径向槽，第三中心导体43接触面为内部圆柱面；转接器3的上端插设在第一插座2内，转接器3的上端的第二外导体31的上端与第一插座2上的第一外导体21连接、第二中心导体33的上端与第一插座2上的第一中心导体23连接；转接器3的下端插设在第二插座4内，转接器3的下端的第二外导体31的下端与第二插座4上的第三外导体41连接、第二中心导体33的下端与第二插座4上的第三中心导体43连接。所述转接器3的第二外导体31的上端与下端的端部均为具有弹性且设有径向带凸点的卡决。由第二插座4与转接器3的下端构成的A区域为阻抗匹配区域，V区域为低阻抗区域，R区域为高阻抗区域，S区域为低阻抗区域。转接器3的上端插入第一插座2内形成空成影响射频电气性能的间隙(如图4“R”区域)，转接器的T形内导体形成低阻抗区域(如图4“V”)，第一插座2内的“S”区域为低阻抗区域，这样一个高阻抗区域和两个低阻抗区域相邻互补，降低阻抗的不匹配性，提高射频电气性能。当第二插座4与转接器3的下端插合，第一插座2与转接器3的上端插合，第一插座2内孔直径H＝4.63，插座内孔深度L＝3，肩部内孔直径J＝3.6，肩部宽S＝0.3，插座第一中心导体23直径G＝0.93，转接器3的第二外导体31内径I＝3.85，转接器3的第二中心导体33外径W＝1.9，宽度V＝1.7，插合间隙R＝1mm时射频电气性能“电压驻波比”最小。插合间隙R＝2和R＝0时射频电气性能“电压驻波比”最大，实际使用时以R＝1作为基准，这样多数插合情况下射频电气性能“电压驻波比”低于极最大值，以达到优异的射频电气性能(如图5)。转接器3的上端T形第二中心导体33与第一插座2的第一中心导体23插合时，转接器3的第二中心导体33利用孔口的碗口状(图3)导向防止被第一插座2的第一中心导体23将转接器3的第二中心导体33插坏。通过上述的结构和原理的描述，所属
的技术人员应当理解，本技术不局限于上述的具体实施方式，在本技术基础上采用本领域公知技术的改进和替代均落在本技术的保护范围，应由各权利要求限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频同轴连接器，包括本体(1)，本体(1)包括第一插座(2)和第二插座(4)以及连接两者的转接器(3)；第一插座(2)包括第一外导体(21)、第一中心导体(23)以及设在两者之间的第一绝缘体(22)；转接器(3)包括第二外导体(31)、第二中心导体(33)以及设在两者之间的第二绝缘体(32)；第二插座(4)包括第三外导体(41)、第三中心导体(43)以及设在两者之间的第三绝缘体(42)，其特征是： a.所述第一插座(2)的第一外导体(21)接触面为内部圆柱面，第一中心导体(23)接触面为外部圆柱面，第二中心导体(33)末端为带弹性的外部形状为T形，内部孔口呈碗口状； b.所述转接器(3)的第二外导体(31)的上端与下端的端部均为具有弹性且设有径向带凸点的卡块； c.所述第二插座(4)的第三外导体(41)接触面为内部圆柱面且底部带有径向槽，第三中心导体(43)接触面为内部圆柱面。

【技术特征摘要】
1.一种射频同轴连接器，包括本体(1)，本体(1)包括第一插座(2)和第二插座(4)以及连接两者的转接器(3)；第一插座(2)包括第一外导体(21)、第一中心导体(23)以及设在两者之间的第一绝缘体(22)；转接器(3)包括第二外导体(31)、第二中心导体(33)以及设在两者之间的第二绝缘体(32)；第二插座(4)包括第三外导体(41)、第三中心导体(43)以及设在两者之间的第三绝缘体(42)，其特征是：
a.所述第一插座(2)的第一外导体(21)接触面为内部圆柱面，第一中心导体(23)接触面为外部圆柱面，第二中心导体(33)末端为带弹性的外部形状为T形，内部孔口呈碗口状；
b.所述转接器(3)的第二外导体(31)的上端与下端的端部均为具有弹性且设有径向带...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳伟，寿祖刚，
申请(专利权)人：苏州瑞可达连接系统有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32