具有焊料侧壁的引线框架制造技术

本申请案涉及具有焊料侧壁的引线框架。本发明专利技术涉及一种引线框架(510)，其中所述引线框架的在单个化期间通过锯割暴露的外侧壁的大于50％是由焊料(506)组成。本发明专利技术涉及一种引线框架条带(510)，其中锯割道(502、504)及所述引线框架的外表面的大于50％是由焊料(506)组成。本发明专利技术涉及一种形成引线框架条带的方法(图9A到9L)，其中所述锯割道及所述引线框架的所述外表面主要由焊料(602、606)组成。本发明专利技术涉及一种形成引线框架条带的方法(图8A到8L)，其中所述锯割道及所述引线框架的所述外表面完全由焊料(602、606)组成。

【技术实现步骤摘要】
具有焊料侧壁的引线框架
本专利技术涉及集成电路的领域。更特定来说，本专利技术涉及用于集成电路封装中的引线框架。
技术介绍
半导体小型无引线(SON)装置及四方扁平无引线(QFN)装置通常是通过将多个集成电路(IC)芯片组装于金属引线框架条带上而制作。引线框架条带200(图2)经布局以使每一引线框架100(图1)包含IC芯片垫102(图1)及经协调线接合垫104。为了将装置小型化且节约引线框架条带200的布局中的区，所述布局通常经设计使得一个引线框架100的接合线垫104通过水平锯割道202及垂直锯割道204而直接连接到邻近引线框架100的相应线接合垫104。大多数引线框架条带200是由基底金属(例如铜或包含铜的合金)制成且镀覆有可焊接金属层(例如镍层后接钯层)。图3中所图解说明的横截面是沿着图2中的虚线206跨越水平锯割道204截取。多个IC芯片304组装于引线框架条带200上。在将IC芯片304附接到IC芯片垫102且利用线接合306电连接到线接合垫104之后，将经组装引线框架条带300囊封于保护性塑料化合物308中，而不使囊封化合物308覆盖打算用于焊接的区310。随后，通过用锯切断囊封化合物308以及经镀覆金属锯割道202及204而从经组装引线框架条带300单个化离散封装式IC芯片400(图4A)。由于锯割步骤，线接合垫104具有侧表面410(图4A)，在侧表面410处基底金属因所述锯割而被暴露。最后，通过将未被覆盖区310焊料连接406到电路板402上的金属垫404而将离散封装式IC芯片400组装于电路板402上，如图4C中所展示。
技术实现思路
下文呈现经简化
技术实现思路
，以便提供对本专利技术的一或多个方面的基本理解。此
技术实现思路
并非本专利技术的扩展性概述，且既不打算识别本专利技术的关键或紧要元件，也不打算划定其范围。而是，本
技术实现思路
的主要目的是以简化形式呈现本专利技术的一些概念作为稍后所呈现的更详细描述的前言。将IC芯片附接到引线框架条带且囊封于保护性塑料化合物中。接着通过沿着锯割道将个别IC芯片锯割开而单个化个别IC芯片。在单个化过程期间，锯割会暴露未受保护引线框架金属，所述未受保护引线框架金属可能氧化且防止焊料润湿表面及防止在通过焊接将IC芯片附接到印刷电路板时形成强接合。本专利技术涉及一种引线框架，其中所述引线框架的在单个化期间通过锯割暴露的外侧壁的大于50％是由焊料组成。本专利技术涉及一种引线框架条带，其中锯割道及所述引线框架的外表面的大于50％是由焊料组成。本专利技术涉及一种形成引线框架条带的方法，其中所述锯割道及所述引线框架的所述外表面主要由焊料组成。本专利技术涉及一种形成引线框架条带的方法，其中所述锯割道及所述引线框架的所述外表面完全由焊料组成。附图说明图1(现有技术)是引线框架的平面图。图2(现有技术)是引线框架条带的平面图。图3(现有技术)是引线框架条带上的封装式IC芯片的横截面。图4A、4B及4C描述通过焊接将封装式IC附接到电路板。图5A描述根据实施例形成的引线框架。图5B及5C描述根据实施例形成的引线框架条带。图6A及6B是图解说明根据实施例形成的引线框架条带的横截面。图7A及7B是图解说明根据实施例形成的引线框架条带的横截面。图8A到8L是以连续制作阶段描绘的图6A中的引线框架条带的横截面。图9A到9L是以连续制作阶段描绘的图7A中的引线框架条带的横截面。具体实施方式参考附图描述本专利技术的实施例。所述图未按比例绘制且其仅经提供以图解说明本专利技术。为进行说明，下文参考实例性应用来描述实施例的数个方面。应理解，陈述众多特定细节、关系及方法以提供对本专利技术的理解。然而，相关领域的技术人员将容易地认识到，可在不使用所述特定细节中的一或多者或者使用其它方法的情况下实践本专利技术。在其它实例中，未详细展示众所周知的结构或操作以避免使本专利技术模糊。实施例并不受动作或事件的所图解说明排序限制，这是因为一些动作可以不同次序发生及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并非需要所有所图解说明动作或事件来实施根据本专利技术的方法。通过用锯切断囊封式化合物308以及经镀覆金属锯割道202及204(图2)而从经组装引线框架条带300单个化离散封装式IC芯片400(图4A)。在常规引线框架条带上，由于锯割步骤，线接合垫104具有侧表面410(图4A)，在侧表面410处基底金属被暴露。经锯割暴露基底金属在暴露于空气后即刻被氧化。在将封装式IC芯片400焊接到电路板402之前施加的焊料膏有时不足以消除氧化。当这种情况发生时，焊料406无法润湿线接合垫104的侧壁且不会形成到封装式IC芯片400的垂直侧的焊料接合。此可导致封装式IC芯片400与电路板402之间的弱接合，这可导致封装式IC芯片400与电路板402之间的电连接的故障或可导致封装式IC芯片400从电路板402的脱层。此在于使用期间由于电路板402上的机械应力而发生故障时尤其成问题。图5A中图解说明解决接合线垫104的侧壁上的由于锯割导致的经暴露基底金属的问题的实施例引线框架510。在所述实施例中，用焊料506替代接合线垫104的通过锯割而暴露的侧壁上的基底金属。图5B中的第一实例性引线框架条带500由利用水平锯割道502及垂直锯割道504而连接在一起的多个实施例引线框架510组成。在此实施例中，用焊料506替代水平锯割道502及垂直锯割道504中的基底金属中的全部或大部分。图5C中的第二实例性引线框架条带512由利用水平锯割道508及垂直锯割道510而连接在一起的多个实施例引线框架510组成。在此实施例中，用焊料506替代水平锯割道508及垂直锯割道510的在接合线垫104之间的区域中的基底金属中的全部或大部分。锯割道区508及510的未连接到线接合垫104的其余部分保持为基底金属。图6A图解说明其中用焊料602替代锯割道中的在线接合垫104之间的全部基底金属的实例。在锯割之后，如图6B中所展示，无基底金属暴露于线接合垫104的侧壁上。线接合垫104的侧壁上的基底金属被焊料606替代。此焊料侧壁606与用于将IC芯片400附接到电路板402的焊料608形成强接合。图7A图解说明其中用焊料702替代锯割道中的在线接合垫104之间的基底金属中的大部分的实例。在锯割之后，如图7B中所展示，仅少量的基底金属704暴露于线接合垫104的侧壁上。线接合垫104的侧壁上的超过50％的基底金属被焊料706替代。侧壁上的此焊料706与用于将IC芯片400附接到电路板402的焊料708形成强接合。以在图8A到8L中图解说明主要处理步骤的横截面来描述用于以图6A及6B中的横截面形成实施例引线框架条带的方法。图8A展示覆盖有保护性干燥膜涂层802的金属条带800(引线框架条带)。用于引线框架条带制造中的金属条带800通常是由铜或铜合金形成。所述保护性干燥膜涂层可为(举例来说)光致抗蚀剂或经电沉积聚酰亚胺。在图8B中，将光致抗蚀剂图案804形成为具有位于IC芯片垫102区与接合线垫104区之间的开口803以及位于锯割道504上方且稍宽于锯割道504的开口805。锯割道504上方的开口805暴露锯割道504的整个宽度且还暴露附接到锯割道504的接合线垫104的小的区。锯割道504上方的开口805可比锯割道504宽介于约本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架，其中所述引线框架的在通过锯割对封装式IC芯片进行单个化期间形成的经暴露侧的大于50％是由焊料组成。

【技术特征摘要】
2016.03.21 US 15/075,2981.一种引线框架，其中所述引线框架的在通过锯割对封装式IC芯片进行单个化期间形成的经暴露侧的大于50％是由焊料组成。2.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述经暴露侧的100％是由焊料组成。3.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述经暴露侧的51％到80％是由焊料组成。4.根据权利要求1所述的引线框架，其进一步包括基底金属接合线垫，其中所述基底金属接合线垫的外侧壁由焊料构成，具有在0.03mm到0.1mm的范围内的深度。5.根据权利要求1所述的引线框架，其进一步包括基底金属接合线垫，其中所述基底金属接合线垫的外侧壁由以下各项构成：顶部侧壁焊料几何结构，其覆盖所述侧壁的至少四分之一；底部侧壁焊料几何结构，其覆盖所述侧壁的厚度的至少四分之一；及基底金属侧壁几何结构，其位于所述顶部与底部侧壁焊料几何结构之间，覆盖所述侧壁的不到一半。6.一种引线框架条带，其由通过锯割道耦合在一起的多个引线框架组成，其中所述锯割道的一部分及附接到所述锯割道的引线框架的一部分的大于50％是由焊料组成。7.根据权利要求6所述的引线框架条带，其中所述锯割道及附接到所述锯割道的所述引线框架的所述部分的100％是由焊料组成。8.根据权利要求6所述的引线框架条带，其中所述锯割道及附接到所述锯割道的所述引线框架的所述部分的51％到80％是由焊料组成。9.根据权利要求6所述的引线框架条带，其中所述引线框架的所述部分在0.03mm到0.1mm的范围内。10.根据权利要求6所述的引线框架条带，其中所述锯割道的所述部分包括位于耦合到所述锯割道的第一侧的第一接合线垫与耦合到所述锯割道的第二侧的第二接合线垫之间的锯割道几何结构，且其中所述第二接合线垫跨越所述锯割道与所述第一接合线垫直接相对。11.根据权利要求6所述的引线框架条带，其进一步包括为所述锯割道的厚度的介于20％与49％之间的基底金属条带，所述基底金属条带将所述锯割道的第一侧上的第一引线框架耦合到所述锯割道的第二侧上的第二引线框架。12.一种形成引线框架条带的方法，其包括：提供具有干燥保护性膜涂层的基底金属引线框架条带；在所述引线框架条带的前侧上形成第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案具有位于锯割道上方且稍大于所述锯割道的暴露所述锯割道的一部分并暴露邻近于所述锯割道的引线框架的一部分的开口；在被暴露之处蚀刻所述干燥保护性膜涂层；执行前侧基底金属蚀刻且形成前侧沟槽，所述前侧沟槽具有为所述引线框架条带的厚度的至少四分之一的深度；将第一层可焊接金属膜沉积于所述引线框架的经暴露区上方；在所述引线框架上形成前侧丝网印刷图案，所述前侧丝网印刷图案具有稍大于所述前侧沟槽的开口；对焊料进行丝网印刷，从而填充所述前侧沟槽；使所述焊料回流，从而形成经焊料填充前侧沟槽；在所述引线框架条带的后侧上形成第二干燥保护性膜涂层；在所述引线框架条带的后侧上形成第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案具有位于所述锯割道上方且稍大于所述锯割道的开口；在被暴露之处蚀刻所述第二干燥保护性膜涂层；执行后侧基底金属蚀刻且形成后侧沟槽，所述后侧沟槽具有为所述引线框架条带的所述厚度的至少四分之一的深度；将第二层可焊接金属膜沉积于所述引线框架的经暴露区上方；在所述引线框架的所述后侧上形成第二丝网印刷图案，所述第二丝网印刷图案具有稍大于所述后侧沟槽的开口；对焊料进行丝网印刷，从而填充所述后侧沟槽；及使所述焊料回流，从而形成经焊料填充后侧沟槽。13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：蚀刻所述基底金属且形成为所述引线框架条带的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本旦，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US