不平坦的晶片和用于制造不平坦的晶片的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于将至少一个固体部分(4)、尤其晶片与固体(2)分开的方法。所述方法至少包括如下步骤：借助于修改机构(18)修改固体(2)的晶格，其中在固体内部产生多个修改部(19)，以构成不平坦的、尤其拱起的分离区域(8)，其中根据预设的参数产生修改部(19)，其中预设的参数描述固体部分(4)的变形与固体部分(4)的限定的进一步处理之间的关联，将固体部分(4)与固体(2)分离。

Flat wafer and method for producing uneven wafer

The present invention relates to a method for separating at least one solid part (4), especially a wafer, and a solid (2). The method comprises the following steps: by modifying mechanism (18) modified solid (2) lattice, which generates a plurality of modification department within the body (19), to separate regions are especially arched is flat, (8), the modification department according to preset parameters (19). The preset parameters describing the solid part (4) of the deformation and the solid part (4) the association between further processing limit, the solid part (4) and (2) solid separation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】不平坦的晶片和用于制造不平坦的晶片的方法
本专利技术根据权利要求1涉及用于将至少一个固体部分与固体分开的方法，根据权利要求7涉及用于制造多层装置的方法，根据权利要求10涉及不平坦的晶片和根据权利要求11涉及多层装置。
技术介绍
晶片通常是与固体分开的固体部件。所述晶片基本上二维地延伸，即其厚度相对于其宽度和长度小至少一个量级。晶片优选使用在用于制造太阳能电池、计算机芯片、LED等的半导体技术中。晶片的产生是成本非常高的，由此尝试从固体中得到尽可能多的晶片。这造成晶片变得更薄，这又造成：当覆层的和晶片的热膨胀系数不同时，晶片在覆层之后变形。这种变形称作翘曲(Warp)，所述翘曲描述晶片的拱起。这种拱起例如已通过参考文献EP0966047A2、US6528394、US6829270、US7315045和US7592629描述，这些文献的主题通过参引结合到本专利文献的主题中。晶片的变形造成：所产生的多层装置不可最优地被加工或者所述多层装置不仅受限制地可用力加载或者所述多层装置沿高度方向比绝对所需的长度延伸得更远。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种解决方案，通过所述解决方案能够制造具有小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将至少一个固体部分(4)、尤其晶片与固体(2)分开的方法，所述方法至少包括如下步骤：借助于修改机构(18)修改所述固体(2)的晶格，其中在所述固体(2)的内部中产生多个修改部(19)，以构成不平坦的、尤其拱起的分离区域(8)，其中根据预设的参数产生所述修改部(19)，其中所述预设的参数描述所述固体部分(4)的变形与所述固体部分(4)的限定的进一步处理之间的关联，将所述固体部分(4)与所述固体(2)分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.15 DE 102015000451.41.一种用于将至少一个固体部分(4)、尤其晶片与固体(2)分开的方法，所述方法至少包括如下步骤：借助于修改机构(18)修改所述固体(2)的晶格，其中在所述固体(2)的内部中产生多个修改部(19)，以构成不平坦的、尤其拱起的分离区域(8)，其中根据预设的参数产生所述修改部(19)，其中所述预设的参数描述所述固体部分(4)的变形与所述固体部分(4)的限定的进一步处理之间的关联，将所述固体部分(4)与所述固体(2)分离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述固体(2)的晶格内部借助于至少一个激光器的、尤其皮秒或飞秒激光器的经由所述固体部分(4)的外表面导入所述固体部分(4)的内部中的辐射(6)产生所述修改部(19)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述进一步处理包括在所述固体部分(4)的至少一个表面(40，42)上设置或产生限定的覆层(50)，并且所述预设的参数至少包括如下数据，通过所述数据至少间接地包括所述固体部分(4)的和所述覆层(50)的材料的热膨胀系数，或者通过所述数据包括或预设所述固体部分(4)由于对设有所述覆层(50)的所述固体部分(4)限定地温度处理而引起的变形。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，借助于所述修改部(19)改变、尤其破坏在所述分离区域(8)的伸展中构成的晶格的大于5％，尤其大于10％或大于20％或大于50％或大于80％。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将所述固体部分(4)与所述固体(2)分离至少包括下述步骤：在所述固体(2)上设置容纳层(10)，以保持所述固体部分(4)，以及对所述容纳层(10)热加载，以在所述固体(2)中尤其机械地产生应力，其中在所述固体(2)中的裂纹通过所述应力沿着所述分离区域(8)扩展，所述固体部分(4)与所述固体(2)通过所述分离区域分开。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述容纳层(10)具有聚合物，尤其PDMS，或者由其构成，其中进行所述热加载...

【专利技术属性】
技术研发人员：扬·黎克特，
申请(专利权)人：西尔特克特拉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE