微影图案化方法技术

本发明专利技术实施例公开光阻组成与采用其的方法。光阻包含聚合物骨架，化学键结至聚合物骨架的酸敏基团、光酸产生剂、溶剂、以及化学键结至交联剂或酸敏基团的含硅单元。采用光阻组成的方法包含形成光阻层于基板上，对光阻层进行曝光制程，以及显影光阻层，以形成图案化的光阻层。图案化的光阻层包括含硅单元。

Photolithography patterning method

Embodiments of the present invention disclose photoresist compositions and methods employing them. A photoresist containing polymer skeleton, acid sensitive groups, chemical bonding to the polymer backbone photoacid generator, solvent, chemical bonding and a crosslinking agent or acid sensitive groups containing silicon element. The photoresist composition comprises the formation of a photoresist layer on the substrate, an exposure process to the photoresist layer, and a developing photoresist layer to form a patterned photoresist layer. The patterned photoresist layer includes a silicon containing unit.

【技术实现步骤摘要】
微影图案化方法
本专利技术实施例关于半导体装置的制作方法，更特别关于微影中的光敏层组成及采用其的方法。
技术介绍
半导体集成电路产业已快速成长一段时日。集成电路设计与材料的技术进展，使每一代的集成电路均比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。然而上述进展增加IC制程的复杂性，因此集成电路制程需要类似发展以实现上述进展。在集成电路进化中，功能密度(如单位芯片所具有的内连线装置数目)越来越大，而几何尺寸(如制程所能形成的最小构件或线路)则越来越小。上述尺寸缩小制程通常有利于增加产能与降低相关成本。上述尺寸缩小亦增加集成电路制程的复杂性。微影已用于图案化基板如晶片，以形成集成电路的多种结构。在一般的微影制程中，光阻层形成于基板上，并以射线曝光形成集成电路的潜影像。接着在显影剂如化学溶液中显影曝光后的光阻层，以移除部份光阻层并形成光阻图案。接着以光阻图案作为后续蚀刻制程的蚀刻掩模，将图案转移至下方的材料层。为了作为蚀刻掩模，光阻图案需对后续的蚀刻制程具有抗蚀刻性。目前亟需新的改良光阻材料，其抗蚀刻性需高于现有的光阻材料。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的微影图案化方法，包括：形成光阻层于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微影图案化方法，包括：形成一光阻层于一基板上，其中该光阻层包含一聚合物骨架，化学键结至该聚合物骨架的一酸敏基团、一光酸产生剂、一溶剂、以及化学键结至一交联剂的一含硅单元；对该光阻层进行一曝光制程；以及显影该光阻层，以形成一图案化的光阻层。

【技术特征摘要】
2016.03.17 US 15/072,6351.一种微影图案化方法，包括：形成一光阻层于一基板上，其中该光阻层包含一聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立彦，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71