MOM电容制造技术

本发明专利技术公开了一种MOM电容，由多层金属线圈组成，每一层金属线圈都是由两条金属子线圈嵌套形成，每一层的两条金属子线圈之间形成横向电容结构，即由两条金属子线圈组成电容的两个极板，上下相邻两侧的两条金属子线圈通过通孔连接在一起。本发明专利技术MOM电容两个极板都分别由金属线圈组成，由于金属线圈具有较大的寄生电感，从而能够提高MOM电容的等效电容、增加电容密度并减少电路面积。

MOM capacitor

The invention discloses a MOM capacitor, composed of multilayer metal coils, each layer of metal coils are formed by two metal coil nested transverse capacitor structure formed between two metal wires of each layer, the two plate consists of two strips of metal coil composed of capacitor, two metal wires on both sides of the upper and lower adjacent through holes connected together. The two capacitor plates of the MOM capacitor are respectively composed of metal coils, because the metal coil has larger parasitic inductance, thereby increasing the equivalent capacitance of the MOM capacitor, increasing the capacitance density and reducing the circuit area.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路器件，特别是涉及一种金属-氧化物-金属（MOM）电容。
技术介绍
电容在射频电路中应用非常广泛，如金属-绝缘层-金属（MiM）电容和MOM电容，但是电容往往也是非常占用面积器件，其电容密度也比较小。随着集成度的需求越来越高，对电容密度的要求也越来越高。现有MiM电容的电容密度一般为2fF/μm2左右，现有MOM电容结构有为三种结构。如图1所示，是现有第一种MOM电容的结构示意图；第一种MOM电容为水平条杆结构(HorizontalBarsm，HB)，包括多层金属层，每层金属层都包括有金属条101和102，各层的相邻的金属条101和102之间形成横向结构的电容。上下两个相邻层之间的金属条101和102重叠并形成纵向结构的电容。每一层的金属条101和102可以结构一样。如图2所示，是现有第二种MOM电容的结构示意图；第二种MOM电容为没有通孔的编织状结构（WovenNoVia，WNV），包括多层金属层，每层金属层都包括有金属条103和1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOM电容，其特征在于：包括多层金属线圈，每一层金属线圈都是由两条金属子线圈嵌套形成； 对于每一层所述金属线圈的两条所述金属子线圈有如下结构： 两条所述金属子线圈都分别由一条金属线环绕而成、环绕方向相同、环绕的圈数也相同，第一条金属子线圈和第二条金属子线圈之间由氧化层隔离、所述第一条金属子线圈和所述第二条金属子线圈的各圈金属线段的侧面会交叠并在对应的金属层形成横向的电容； 最顶层的所述金属线圈包括两个电极端口，第一电极端口位于最顶层的所述金属线圈的所述第一条金属子线圈的外侧端口，第二电极端口位于最顶层的所述金属线圈的所述第二条金属子线圈的外侧端口； 两个相邻层的所述金属线圈之间具有如下结构...

【技术特征摘要】
1.一种MOM电容，其特征在于：包括多层金属线圈，每一层金属线圈都是由两条金属子线圈嵌套形成；
对于每一层所述金属线圈的两条所述金属子线圈有如下结构：
两条所述金属子线圈都分别由一条金属线环绕而成、环绕方向相同、环绕的圈数也相同，第一条金属子线圈和第二条金属子线圈之间由氧化层隔离、所述第一条金属子线圈和所述第二条金属子线圈的各圈金属线段的侧面会交叠并在对应的金属层形成横向的电容；
最顶层的所述金属线圈包括两个电极端口，第一电极端口位于最顶层的所述金属线圈的所述第一条金属子线圈的外侧端口，第二电极端口位于最顶层的所述金属线圈的所述第二条金属子线圈的外侧端口；
两个相邻层的所述金属线圈之间具有如下结构关系：
上层所述金属线圈和相邻的下层所述金属线圈的金属线的环绕方向相反，两个相邻层的所述金属线圈之间用氧化层隔离；
上层所述金属线圈的第一条金属子线圈的内侧端口和相邻的下层所述金属线圈的第二条金属子线圈的内侧端口通过通孔相连，上层所述金属线圈的第二条金属子线圈的内侧端口和相邻的下层所述金属线圈的第一条金属子线圈的内侧端口通过通孔相连；上层所述金属线圈和相邻的下层所述金属线圈之间的金属线会部分交叠，该交叠部分形成纵向电容。
2.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于：所有层的所述金属线圈的金属线的宽度相同。
3.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于：所有层的所述金属线圈的相邻金属线段之间的距离相等。
4.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于：上层所述金属线圈和相邻的下层所述金属线圈之间的金属线的重叠部分的面积大于不重叠部分的面积。
5.一种MOM电容，其特征在于：包括多层金属线圈，每一层金属线圈都是由两条金属子线圈嵌套形成；
对于每一层所述金属线圈的两条所述金属子线圈有如下结构：
两条所述金属子线圈都分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄景丰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31