The invention relates to a 0.1 ~ 1.2GHz broadband single ended to differential low noise amplifier, including: input matching circuit and noise cancellation circuit, wherein the input matching circuit, the input signal receiving signal input terminal (IN), produced two signals of opposite phase, respectively through noise cancellation circuit to the level of output filter; the noise cancellation circuit, the noise cancellation circuit has three inputs, two output terminals, which connect two input two output input matching stage, another input signal receiving the signal input terminal (IN), the output of two differential signal (OUT+/OUT).
【技术实现步骤摘要】
宽带单端转差分低噪声放大器
本专利技术为射频集成电路
,具体涉及一种0.1~1.2GHz宽带单端转差分低噪声放大器。
技术介绍
随着无线通信的发展,射频接收技术在军用和民用领域的作用愈发重要。宽带通讯系统是当今无线通讯技术的发展趋势,也是国内外研究的热点[1][2]。目前存在多种宽带低噪声放大器设计方法。共栅放大器利用输入管的跨导实现宽带匹配,噪声系数与工作频率和带宽关系不大而相对平坦,电路具有极好的反向隔离性能和较高的线性度,但噪声系数较高[3]。全局负反馈结构可以缓和阻抗匹配和噪声系数之间严峻的折衷关系,但增益较低而需要多级级联,将会导致不稳定的问题[4]。电阻并联反馈共源放大器降低输入端的品质因子从而实现带宽拓展和增益平坦化,但电阻本身会引入噪声,会恶化输入端的噪声特性[5]。分布式放大器需要多晶体管级联和大量的电感,或需要高质量的传输线,增加了面积和功耗,提高了成本[6]。在射频接收机的设计中,为了抑制共模噪声,提高端口隔离度,常采用基尔伯特混频器。但是从天线接收到的信号为单端信号,且一般带通滤波器和低噪声放大器都是单端口结构,故需要巴伦进行单端信号 ...
【技术保护点】
一种宽带单端转差分低噪声放大器,包括:输入匹配级电路和噪声抵消级电路,所述输入匹配级电路,其输入端接收信号输入端的信号(IN),产生相位相反的两路信号,分别通过高通滤波器输出到后级的噪声抵消级电路;所述噪声抵消级电路,该噪声抵消级电路有三个输入端,两个输出端,其中两路输入连接输入匹配级的两路输出,另一路输入接收信号输入端的信号(IN),输出两路差分信号(OUT+/OUT‑);所述输入匹配级电路包括:第一晶体管(M1),第二晶体管(M2),第三晶体管(M3),第四晶体管(M4),第五晶体管(M5);其中,所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电容(C ...
【技术特征摘要】
1.一种宽带单端转差分低噪声放大器,包括:输入匹配级电路和噪声抵消级电路,所述输入匹配级电路,其输入端接收信号输入端的信号(IN),产生相位相反的两路信号,分别通过高通滤波器输出到后级的噪声抵消级电路;所述噪声抵消级电路,该噪声抵消级电路有三个输入端,两个输出端,其中两路输入连接输入匹配级的两路输出,另一路输入接收信号输入端的信号(IN),输出两路差分信号(OUT+/OUT-);所述输入匹配级电路包括:第一晶体管(M1),第二晶体管(M2),第三晶体管(M3),第四晶体管(M4),第五晶体管(M5);其中,所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电容(C1)的第二端、第一电阻(R1)的第一端和第六电容(C6)的第一端连接;所述的第一晶体管(M1)的漏极分别与第二晶体管(M2)的漏极、第一电阻(R1)的第二端、第三电容(C3)的第一端和第四电容(C4)的第一端连接;所述的第二晶体管(M2)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极和第二电容(C2)的第二端连接;所述第四晶体管(M4)的栅极分别与第二电阻(R2)的第一端和第三电容(C3)的第二端连接;所述第四晶体管(M4)的漏极分别与第五晶体管(M5)的漏极和第五电容(C5)的第一端连接。所述噪声抵消级电路包括:第六晶体管(M6),第七晶体管(M7),第八晶体管(M8),第九晶体管(M9),第十晶体管(M10),第十一晶体管(M11);其中所述第六晶体管(M6)的栅极分别与第五电阻的第一端和第六电容(C6)的第二端连接;所述第六晶体管(M6)的漏极与第七晶体管(M7)的源极连接;所述第七晶体管(M7)的漏极分别与第八晶体管(M8)的源...
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