寄生RC网络的提取方法技术

本发明专利技术提供的一种寄生RC网络的提取方法，包括：获取包括多个器件的版图；于所述版图中定义辅助层；于所述辅助层中定义寄生RC区域；建立所述寄生RC区域与所述器件的端口之间的连接关系；提取所述寄生RC区域的寄生电阻、寄生电容，并计算出寄生电阻、寄生电容的参数。本发明专利技术中，可以将衬底中的寄生阻抗提取出来，提高电路设计的准确性。

Method for extracting parasitic RC network

Including a parasitic extraction method, the RC network provided by the invention includes a plurality of devices: access to the territory; in the territory to the definition of the auxiliary layer; the auxiliary layer defined in the parasitic RC region; the connection established between the RC region and the parasitic device port; extracting parasitic resistance, the parasitic capacitance of the parasitic RC region, and calculate the parameters of parasitic resistance and parasitic capacitance. In the invention, parasitic impedance in the substrate can be extracted to improve the accuracy of the circuit design.

【技术实现步骤摘要】
寄生RC网络的提取方法
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种寄生RC网络的提取方法。
技术介绍
电子设计自动化(ElectronicDesignAutomation，EDA)意指使用计算机来设计及仿真集成电路上的电子电路的性能，EDA已经进展到可处理苛求复杂的半导体集成电路设计工作。在已设计出的集成电路且实体上已将该电路布局好之后，需测试验证该集成电路是否正确地工作。其中一项测试可测定集成电路中与例如晶体管的电子装置的互连线路(亦即布线或网络)相关联的寄生效应特性，即可测定布线寄生电阻及电容的特性，而这种方式在本文中被称为“电阻电容RC提取”(ResistanceCapacitanceextraction)，这些布线寄生效应由半导体制程引起。测定布线寄生效应的特性是相当重要的，这是因为布线寄生效应会影响到电路中的电子信号自一点传输到另一点的延迟，因而可能会影响到处理速度。此外，寄生效应可能影响到“电子迁移”，电子迁移意指使信号线中的金属随着使用时间而沿着电流的路径迁移的问题。最后在诸如数年等的一段时间之后，该电子迁移现象可能造成断路，使信号路径中的信号中断，因而造成集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种寄生RC网络的提取方法，其特征在于，包括：获取包括多个器件的版图；于所述版图中定义辅助层；于所述辅助层中定义寄生RC区域；建立所述寄生RC区域与所述器件的端口之间的连接关系；提取所述寄生RC区域的寄生电阻、寄生电容，并计算出寄生电阻、寄生电容的参数。

【技术特征摘要】
1.一种寄生RC网络的提取方法，其特征在于，包括：获取包括多个器件的版图；于所述版图中定义辅助层；于所述辅助层中定义寄生RC区域；建立所述寄生RC区域与所述器件的端口之间的连接关系；提取所述寄生RC区域的寄生电阻、寄生电容，并计算出寄生电阻、寄生电容的参数。2.如权利要求1所述的寄生RC网络的提取方法，其特征在于，所述多个器件位于SOI衬底上，具有硅衬底、埋氧层及顶层硅。3.如权利要求2所述的寄生RC网络的提取方法，其特征在于，所述寄生RC网络位于所述硅衬底中。4.如权利要求3所述的寄生RC网络的提取方法，其特征在于，获取所述寄生RC网络的寄生电容及寄生电阻的步骤包括：提取寄生电容、提取寄生电阻；计算寄生电阻的延迟和寄生电容的延迟；将该延迟与不同互连模型进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹云，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31